发光二极管及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种发光二极管（ＬＥＤ）及其制造方法。此发光二极管至少包含：一基板；一第一半导体层位于基板上；一发光层位于第一半导体层上；一第二半导体层位于发光层上，其中第二半导体层的一表面包含第一粗糙区以及第一平坦区，且第二半导体层与第一半导体层具有不同的电性；一透明导电层覆盖在第二半导体层的表面上；一第一电极位于第一平坦区上方的透明导电层上；以及一第二电极与第一半导体层电性连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种发光组件，且特别是有关于一种发光二极管(LED)及其制造 方法。
技术介绍
目前，为了增加发光二极管的光取出效率，而发展出一种发光二极管制造技术，其是在半导体层的磊晶成长过程中，透过调整磊晶参数，来使所生成的半导体层具有粗糙表 面，借此增加发光二极管的光取出效率。请参照图1，其是绘示一种传统发光二极管的剖面图。发光二极管200包含 基板202、η型半导体层204、发光层206、ρ型半导体层208、透明导电层(Transparent Conductive Layer) 212、ρ型电极216与η型电极220。其中，η型半导体层204堆叠在基 板202上，发光层206、ρ型半导体层208与透明导电层212则依序堆叠在部分的η型半导 体层204上，ρ型电极216位于部分的透明导电层212上，而η型电极220则位于η型半导 体层204的暴露部分上。在发光二极管200中，为了增加发光二极管200的光取出效率，而 在P型半导体层208的磊晶过程中，调整磊晶参数以使ρ型半导体层208具有粗糙的表面 210。如此一来，覆盖在ρ型半导体层208的表面210上的透明导电层212也本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，其特征在于，至少包含：一基板；一第一半导体层，位于该基板上；一发光层，位于该第一半导体层上；一第二半导体层，位于该发光层上，其中该第二半导体层的一表面包含一第一粗糙区以及一第一平坦区，且该第二半导体层与该第一半导体层具有不同的电性；一透明导电层，覆盖在该第二半导体层的该表面上；一第一电极，位于该第一平坦区上方的该透明导电层上；以及一第二电极，与该第一半导体层电性连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱长信，吕奇孟，张玉如，余国辉，陈锡铭，
申请(专利权)人：奇力光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]