【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例涉及快闪存储设备。更具体地,本专利技术的实施例涉及使 用哑单元(dummy cell)的快闪存储设备的编程校验方法。
技术介绍
具有传统全位线(ABL)结构的快闪存储设备能够一次对所选字线和所 有位线的存储单元进行编程。 一般来说,ABL快闪存储设备对于被编程的单 元执行两次校验和读取操作,因为,当相同的字线中存在相邻的被编程或被 擦除的单元时,由于相邻位线之间的耦合电容,可能会发生不正确的读取操 作。另外,与所有位线公共相连的电源的偏置电压保持恒定。具有ABL结 构的快闪存储设备的示例公开在2006年4月4日公布的美国专利 No.7,023,736中,其全部内容通过引用而被合并于此。由于连续的校验或读取操作,具有ABL结构的快闪存储设备的编程校 验和/或读取次数可能会增加。
技术实现思路
本专利技术的 一方面提供了 一种具有多个串的快闪存储设备,其中每个串包 括若干第 一存储单元和若干第二存储单元。在每个串中的若干第二存储单元 中的一个第二存储单元被设置到编程状态,而其余第二存储单元被设置到擦 除状态。该若干第二存储单元可以是哑单元。本专利技术的 ...
【技术保护点】
一种快闪存储设备,包括: 多个串,每个串包括第一存储单元和第二存储单元, 其中每个串中的第二存储单元中的一个第二存储单元被设置为编程状态,其余第二存储单元被设置为擦除状态。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:金武星,林瀛湖,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:KR[韩国]
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