封装芯片及其加工方法技术

本申请公开了一种封装芯片及其加工方法，涉及半导体技术领域，所述封装芯片的加工方法包括以下步骤：提供待封装芯片模块；对所述待封装芯片模块进行塑封，在所述待封装芯片模块的外表面形成塑封层，其中，所述塑封层包括第一充填剂，所述第一充填剂在所述塑封层中的重量占比为40％

【技术实现步骤摘要】
封装芯片及其加工方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种封装芯片及其加工方法。

技术介绍

[0002]在半导体
，有很多对电磁干扰较为敏感的集成电路芯片，因此需要在使用前对这些芯片做好电磁屏蔽处理。目前，是通过在芯片封装好之后，在封装体外加工金属层的方式，起到电磁屏蔽作用，然而，金属层与封装体的结合力较差，在使用过程中容易出现脱落现象，不仅会影响封装芯片的电磁屏蔽性能，还可能会损伤产品内部的其他元器件。

技术实现思路

[0003]本申请的主要目的在于提供一种封装芯片及其加工方法，旨在解决现有技术封装芯片上的金属层易脱落的技术问题。
[0004]为实现上述目的，本申请提供一种封装芯片的加工方法，所述封装芯片的加工方法包括以下步骤：
[0005]提供待封装芯片模块；
[0006]对所述待封装芯片模块进行塑封，在所述待封装芯片模块的外表面形成塑封层，其中，所述塑封层包括第一充填剂，所述第一充填剂在所述塑封层中的重量占比为40％
‑
75％；
[0007]在所述塑封层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装芯片的加工方法，其特征在于，所述封装芯片的加工方法包括以下步骤：提供待封装芯片模块；对所述待封装芯片模块进行塑封，在所述待封装芯片模块的外表面形成塑封层，其中，所述塑封层包括第一充填剂，所述第一充填剂在所述塑封层中的重量占比为40％
‑
75％；在所述塑封层的外表面加工连接层，其中，所述连接层包括第二充填剂，所述第二充填剂在所述塑封层中的重量占比大于或等于75％；在所述连接层的外表面溅镀金属溅镀层，得到封装芯片。2.如权利要求1所述的封装芯片的加工方法，其特征在于，所述在所述塑封层的外表面加工连接层的步骤包括：对所述塑封层外表面上的目标连接区域进行二次塑封，形成连接层。3.如权利要求1所述的封装芯片的加工方法，其特征在于，所述在所述塑封层的外表面加工连接层的步骤包括：对所述塑封层外表面上的目标连接区域进行溅镀，形成连接层。4.如权利要求1所述的封装芯片的加工方法，其特征在于，所述第一充填剂包括二氧化硅和氧化铝中的至少一种；所述第二充填剂包括二氧化硅和氧化铝中的至少一种。5.如权利要求1所述的封装芯片的加工方法，其特征在于，所述塑封层包括第一环氧树脂，所述第一环氧树脂在所述塑封层中的重量占比为5％
‑
20％。6.如权利要求1所述的封装芯片的加工方法，其特征在于，所述塑封层还包括第一固化剂、第一阻燃剂和第一脱模剂中的至少一种，其中，所述第一固化剂在所述塑封层中的重量占比...

【专利技术属性】
技术研发人员：段明瑞，尹保冠，田德文，宋晓丽，包璐胜，张宏，詹新明，
申请(专利权)人：歌尔微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：