封装芯片及其加工方法技术

本申请公开了一种封装芯片及其加工方法，涉及半导体技术领域，所述封装芯片的加工方法包括以下步骤：提供待封装芯片模块；对所述待封装芯片模块进行塑封，在所述待封装芯片模块的外表面形成塑封层，其中，所述塑封层包括第一充填剂，所述第一充填剂在所述塑封层中的重量占比为40％

【技术实现步骤摘要】
封装芯片及其加工方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种封装芯片及其加工方法。

技术介绍

[0002]在半导体
，有很多对电磁干扰较为敏感的集成电路芯片，因此需要在使用前对这些芯片做好电磁屏蔽处理。目前，是通过在芯片封装好之后，在封装体外加工金属层的方式，起到电磁屏蔽作用，然而，金属层与封装体的结合力较差，在使用过程中容易出现脱落现象，不仅会影响封装芯片的电磁屏蔽性能，还可能会损伤产品内部的其他元器件。

技术实现思路

[0003]本申请的主要目的在于提供一种封装芯片及其加工方法，旨在解决现有技术封装芯片上的金属层易脱落的技术问题。
[0004]为实现上述目的，本申请提供一种封装芯片的加工方法，所述封装芯片的加工方法包括以下步骤：
[0005]提供待封装芯片模块；
[0006]对所述待封装芯片模块进行塑封，在所述待封装芯片模块的外表面形成塑封层，其中，所述塑封层包括第一充填剂，所述第一充填剂在所述塑封层中的重量占比为40％
‑
75％；
[0007]在所述塑封层的外表面加工连接层，其中，所述连接层包括第二充填剂，所述第二充填剂在所述塑封层中的重量占比大于或等于75％；
[0008]在所述连接层的外表面溅镀金属溅镀层，得到封装芯片。
[0009]可选地，所述在所述塑封层的外表面加工连接层的步骤包括：
[0010]对所述塑封层外表面上的目标连接区域进行二次塑封，形成连接层。
[0011]可选地，所述在所述塑封层的外表面加工连接层的步骤包括：
[0012]对所述塑封层外表面上的目标连接区域进行溅镀，形成连接层。
[0013]可选地，所述第一充填剂包括二氧化硅和氧化铝中的至少一种；所述第二充填剂包括二氧化硅和氧化铝中的至少一种。
[0014]可选地，所述塑封层包括第一环氧树脂，所述第一环氧树脂在所述塑封层中的重量占比为5％
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20％。
[0015]可选地，所述塑封层还包括第一固化剂、第一阻燃剂和第一脱模剂中的至少一种，其中，所述第一固化剂在所述塑封层中的重量占比为5％
‑
20％，所述第一阻燃剂在所述塑封层中的重量占比小于或等于10％，所述第一脱模剂在所述塑封层中的重量占比小于或等于1％。
[0016]可选地，所述连接层包括第二环氧树脂，所述第二环氧树脂在所述连接层中的重量占比小于或等于10％。
[0017]可选地，所述连接层还包括第二固化剂、第二阻燃剂和第二脱模剂中的至少一种，
其中，所述第二固化剂在所述塑封层中的重量占比小于或等于10％，所述第二阻燃剂在所述塑封层中的重量占比小于或等于10％，所述第二脱模剂在所述塑封层中的重量占比小于或等于1％。
[0018]可选地，所述连接层的厚度小于所述塑封层的厚度的五分之一。
[0019]本申请还提供一种封装芯片，所述封装芯片采用如上所述的封装芯片的加工方法加工得到，所述封装芯片包括：
[0020]待封装芯片模块；
[0021]塑封层，所述塑封层包覆于所述待封装芯片模块的外表面，所述塑封层包括第一充填剂，所述第一充填剂在所述塑封层中的重量占比为40％
‑
75％；
[0022]连接层，所述连接层贴附于所述塑封层的外表面，所述连接层包括第二充填剂，所述第二充填剂在所述塑封层中的重量占比大于或等于75％；
[0023]溅镀层，所述溅镀层贴附于所述连接层的外表面。
[0024]本申请提供了一种封装芯片及其加工方法，通过提供待封装芯片模块，对所述待封装芯片模块进行塑封，在所述待封装芯片模块的外表面形成塑封层，其中，所述塑封层包括第一充填剂，所述第一充填剂在所述塑封层中的重量占比为40％
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75％，实现了对待封装芯片模块的塑封，随着充填剂重量比的增加，塑封材料的流动性降低，充填性能下降，可能导致充填不足，从而引起锡膏串联短路，因此，将所述第一充填剂在所述塑封层中的重量占比确定为40％
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75％，进而通过在所述塑封层的外表面加工连接层，其中，所述连接层包括第二充填剂，所述第二充填剂在所述塑封层中的重量占比大于或等于75％，实现了在塑封层表面增设高充填剂含量的连接层，充填剂与塑封材料以及与金属材料之间的结合力均较高，进而通过在所述连接层的外表面溅镀金属溅镀层，得到封装芯片，可以将塑封层与金属溅镀层较为紧固地连接在一起。通过连接层的增设，实现了充填剂的梯度设置，充填剂含量较低的塑封层可以实现对待封装芯片模块的充分充填，降低封装芯片的漏电概率，充填剂含量较高的连接层与塑封层和金属溅镀层均可以紧密结合，从而将塑封层与金属溅镀层紧密连接在一起。因此，克服了金属层与封装体的结合力较差，在使用过程中容易出现脱落现象的技术缺陷，提高了金属层与封装体之间的结合力，减小了金属层脱落的几率。
附图说明
[0025]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。
[0026]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0027]图1为本申请实施例中加工金属层的一种可实施方式的场景示意图；
[0028]图2为本申请封装芯片的加工方法的一实施例的流程示意图；
[0029]图3为本申请实施例中二次塑封的一种可实施方式的场景示意图；
[0030]图4为本申请实施例中溅镀连接层的一种可实施方式的场景示意图；
[0031]图5为本申请封装芯片的一实施例的剖面图。
[0032]附图标号说明：
[0033]标号名称标号名称10待封装芯片模块20塑封层30连接层40金属溅镀层
[0034]本申请目的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0035]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，均属于本专利技术保护的范围。
[0036]在半导体
，有很多对电磁干扰较为敏感的集成电路芯片，因此需要在使用前对这些芯片做好电磁屏蔽处理。目前，是通过在芯片封装好之后，在封装体外加工金属层的方式，起到电磁屏蔽作用。在一种可实施的方式中，参照图1，对SMT(Surface Mounted Technology，表面贴装技术)贴片进行塑封，进而可以通过溅镀的方式在封装体外加工金属镀层，然而，芯片封装多为塑封，塑封后的封装体外表面通常为塑料、树脂等高分子材料本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装芯片的加工方法，其特征在于，所述封装芯片的加工方法包括以下步骤：提供待封装芯片模块；对所述待封装芯片模块进行塑封，在所述待封装芯片模块的外表面形成塑封层，其中，所述塑封层包括第一充填剂，所述第一充填剂在所述塑封层中的重量占比为40％
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75％；在所述塑封层的外表面加工连接层，其中，所述连接层包括第二充填剂，所述第二充填剂在所述塑封层中的重量占比大于或等于75％；在所述连接层的外表面溅镀金属溅镀层，得到封装芯片。2.如权利要求1所述的封装芯片的加工方法，其特征在于，所述在所述塑封层的外表面加工连接层的步骤包括：对所述塑封层外表面上的目标连接区域进行二次塑封，形成连接层。3.如权利要求1所述的封装芯片的加工方法，其特征在于，所述在所述塑封层的外表面加工连接层的步骤包括：对所述塑封层外表面上的目标连接区域进行溅镀，形成连接层。4.如权利要求1所述的封装芯片的加工方法，其特征在于，所述第一充填剂包括二氧化硅和氧化铝中的至少一种；所述第二充填剂包括二氧化硅和氧化铝中的至少一种。5.如权利要求1所述的封装芯片的加工方法，其特征在于，所述塑封层包括第一环氧树脂，所述第一环氧树脂在所述塑封层中的重量占比为5％
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20％。6.如权利要求1所述的封装芯片的加工方法，其特征在于，所述塑封层还包括第一固化剂、第一阻燃剂和第一脱模剂中的至少一种，其中，所述第一固化剂在所述塑封层中的重量占比...

【专利技术属性】
技术研发人员：段明瑞，尹保冠，田德文，宋晓丽，包璐胜，张宏，詹新明，
申请(专利权)人：歌尔微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：