衬底处理装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

技术编号:38752489 阅读:28 留言:0更新日期:2023-09-09 11:19
本发明专利技术提供一种小型化的清洗干燥单元及具有该清洗干燥单元的衬底处理装置及半导体装置的制造方法,该清洗干燥单元能够将主处理单元中产生的晶圆上的残留气体成分去除,且能够设置在EFEM单元内或EFEM单元的装载埠连接部。小型水清洗/干燥模块(6)包含搬送机器人(10)及清洗干燥室(14),该搬送机器人(10)在EFEM单元(3)与干式蚀刻腔室(1)之间供给、回收晶圆(7)。清洗干燥室(14)具备晶圆保持台(16)、以及将晶圆(7)从EFEM单元(3)搬送到晶圆保持台(16)的搬送臂(12)。此外,清洗干燥室(14)也具备对保持在晶圆保持台(16)上的晶圆(7)供给清洗液及气体的液体及干燥气体供给模块(15)。进而,小型水清洗/干燥模块(6)是与装载埠单元(5)并排地连结于EFEM单元(3)。(5)并排地连结于EFEM单元(3)。(5)并排地连结于EFEM单元(3)。

【技术实现步骤摘要】
衬底处理装置及半导体装置的制造方法
[0001][相关申请案][0002]本申请案享有以日本专利申请案2022

029734号(申请日:2022年2月28日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。


[0003]本实施方式涉及一种衬底处理装置及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0004]在对半导体晶圆(以下,示为晶圆)等衬底使用溴化氢、氯等腐蚀性气体进行干式蚀刻的制程中,会产生以下品质不良,即,在FOUP(Front Opening Unified Pod,前开式晶圆盒)内因腐蚀性气体反应而导致器件构成材料发生变质、或产生微粒。此外,在利用腐蚀性气体的处理单元(例如干式蚀刻单元)及经由FOUP带入的其它处理单元(例如成膜单元)中,必须对腐蚀劣化等采取措施。

技术实现思路

[0005]本专利技术的一实施方式的目的在于,提供一种小型化的清洗干燥单元及具有该清洗干燥单元的衬底处理装置及半导体装置的制造方法,该清洗干燥单元能够将主处理单元中产生的晶圆上的残留气体成分去除本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种衬底处理装置,其包括:搬送模块;清洗单元;以及装载埠;所述清洗单元包括:被处理衬底保持机构,能够保持被处理衬底;清洗液供给机构,能够对保持在所述被处理衬底保持机构的所述被处理衬底上供给清洗液;以及气体供给机构,能够对保持在所述被处理衬底保持机构的所述被处理衬底上供给气体;且所述搬送模块包括:能够在所述装载埠与所述清洗单元之间搬送所述被处理衬底的被处理衬底搬送机构;所述清洗单元是与所述装载埠并排地连结于所述搬送模块。2.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中:所述搬送模块还包括:在第1方向延伸的轨条,所述被处理衬底搬送机构具有:基台,能够在所述轨条上移动;伸缩臂,能够旋转地安装在所述基台上,且能够调整与所述第1方向正交的第2方向上的从所述基台的突出量;以及保持部,设置在所述伸缩臂的前端侧,能够保持被处理衬底;且在所述搬送模块,连结至少一个所述装载埠,将在所述装载埠安装有被处理衬底容器的状态下的被处理衬底的存储位置设为第1存储位置,且将通过所述清洗单元进行清洗的状态下的被处理衬底的存储位置设为第2存储位置时,所述第2方向上从所述轨条到所述第1存储位置的距离,与所述第2方向上从所述轨条到所述第2存储位置的距离相等。3.根据权利要求2所述的衬底处理装置,其中:所述搬送模块具有多个装载埠连接部,所述装载埠与所述多个装载埠连接部中的至少一个连接,所述清洗单元与所述多个装载埠连接部中的至少另一个连接,所述被处理衬底搬送机构能够将所述衬底从所述装载埠搬送到所述被处理衬底保持机构。4.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中:所述清洗单元设置为能够调整与所述搬送模块的相对位置。5.根据权利要求2所述的衬底处理装置,其中:向所述被处理衬底容器存储被处理衬底时的所述保持部在所述第2方向上的伸长量、与向所述清洗单元存储被处理衬底时的所述保持部在所述第2方向上的伸长量相同。6.根据权利要求2所述的衬底处理装置,其中:与所述第1方向及所述第2方向正交的第3方向上,存在多个所述第1存储位置,所述第2
存储位置在所述第3方向上的位置,与多个所述第1存储位置中的任一个在所述第3方向上的位置相等。7.根据权利要求2所述的衬底处理装置,其中:所述清洗单元还具有:第2被处理衬底保持机构,在与所述第1方向及所述第2方向正交的第3方向上,设置在与所述被处理衬底保持机构分离的位置;第2清洗液供给机构,能够对保持在所述第2被处理衬底保持机构的第2被处理衬底上供给所述清洗液;以及第2气体供给机构,能够对保持在所述第2被处理衬底保持机构的所述第2被处理衬底上供给所述气体;且能够对保持在所述被处理衬底保持机构的所述被处理衬底同时进行清洗,在对所述被处理衬底进行清洗时,能够对保持在所述第2被处理衬底保持机构的所述第2被处理衬底进行清洗。8.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中:所述清洗液供给机构能够以与所述被处理衬底的相对位置被固定的状态,在第1指定期间对所述被处理衬底的上表面供给所述清洗液,所述气体供给机构能够以与所述被处理衬底的相对位置被固定的状态,在第2指定期间对所述被处理衬底的所述上表面供给所述气体。9.根据权利要求8所述的衬底处理装置,其中:所述清洗单元还包括功能零件,所述功能零件包括:所述清洗液供给机构;所述气体供给机构;以及抽吸机构,能够抽吸所述清洗液及所述气体;且所述功能零件以至少在所述第1指定期间或所述第2指定期间与所述被处理衬底的所述上表面对向的方式配置有多个。10.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中:所述清洗液供给机构在对所述被处理衬底上供给所述清洗液之后,还能够供给异丙醇。11.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中:所述气体包括氮气。12.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中所述清洗单元还包括:对向部件,具有所述被处理衬底存储在所述清洗单元时与所述被处理衬底的上表面对向的第1面,所述清洗液供给机构及所述气体供给机构能够向所述对向部件的所述第1面与所述被处理衬底的所述上表面之间分别供给所述清洗液及所述气体,所述对向部件的所述第1面由疏水性材料形成。13.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中所述清洗单元还包括:调整机构,调整所述被处理衬底存储在所述清洗单元时的所述被处理衬底的斜率。14.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其还具有传感器,所述传感器能够测定由所述清洗液供给机构供给到所述被处理衬底上之后的所述清洗液的物性。15.一种衬底处理装置,其包括:
搬送模块;清洗单元,...

【专利技术属性】
技术研发人员:三上徹神田直树冨田宽
申请(专利权)人:铠侠股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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