基板传送方法技术

本发明专利技术提供一种基板传送方法，包括将存放在一基板存放区内的复数个基板定义为工作基板及暂存基板。一机械手臂由基板存放区取出其中一工作基板，将工作基板传送至对准单元进行对准，并将经过对准的工作基板传送至一加载互锁腔体。机械手臂由基板存放区取出其中一暂存基板，将暂存基板传送至对准单元进行对准，并将经过对准的暂存基板传送至一氮气缓冲腔体。通过本发明专利技术所述的方法，可避免在暂存基板上形成氧化层，或避免设置在暂存基板上的光阻吸水形变，而影响光阻定义的线宽及线距的精准度。而影响光阻定义的线宽及线距的精准度。而影响光阻定义的线宽及线距的精准度。

【技术实现步骤摘要】
基板传送方法


[0001]本专利技术有关于一种基板传送方法，可避免对工作基板进行后续制程的期间，于暂存基板的表面形成氧化层，或造成暂存基板上的光阻吸水变形。

技术介绍

[0002]化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)及原子层沉积(ALD)皆是常用的薄膜沉积设备，并普遍被使用在集成电路、发光二极管及显示器等制程中。
[0003]沉积的设备主要包括一腔体及一晶圆承载盘，其中晶圆承载盘位于腔体内，并用以承载至少一晶圆。以物理气相沉积为例，腔体内需要设置一靶材，其中靶材面对晶圆承载盘上的晶圆。在进行物理气相沉积时，可将惰性气体及/或反应气体输送至腔体内，分别对靶材及晶圆承载盘施加偏压，并通过晶圆承载盘加热承载的晶圆。腔体内的惰性气体因为高压电场的作用，形成离子化的惰性气体，其中离子化的惰性气体会受到靶材上的偏压吸引而轰击靶材。从靶材溅出的靶材原子或分子受到晶圆承载盘上的偏压吸引，并沉积在加热的晶圆的表面，以在晶圆的表面形成薄膜。
[0004]在实际应用时通常会将复数个晶圆放置在一晶圆盒(Wafer Cassette)，其中晶圆盒放置在晶圆存放区。而后通过机械手臂由晶圆盒中取出晶圆，并将晶圆输送至沉积腔体进行薄膜沉积。
[0005]在薄膜沉积的过程中，晶圆盒内的其他晶圆则会处在闲置状态，直到沉积的晶圆离开沉积腔体后，机械手臂才会将晶圆盒内的其他晶圆依序传送至沉积腔体进行沉积。
[0006]然而晶圆本身非常容易氧化，使得晶圆盒内闲置的晶圆在经过一段时间的等待后，会在晶圆的表面形成氧化层。进而造成先后进行薄膜沉积的晶圆之间的结构及制程条件不一致，并可能会影响后续制程的良率。
[0007]此外，晶圆表面亦可能具有光阻，并通过光阻在晶圆表面定义出具有一定线宽或线距的线路。晶圆盒内闲置的晶圆在经过一段时间的等待后，晶圆表面的光阻会吸收水气而形变，进而影响光阻定义的线宽或线距的精准度。

技术实现思路

[0008]为了解决上述先前技术面临的问题，本专利技术提出一种基板传送方法，在将基板传送至后端的工作机台的过程中，将部分的基板传送至氮气缓冲腔体暂存，以避免基板在等待的过程中发生氧化的情形，亦可防止基板上的光阻吸收水气而变形，并有利于提高制程的稳定度及精准度。
[0009]本专利技术的一目的，在于提供一种基板传送方法，可将欲进行后续制程的复数个基板区分为复数个工作基板及复数个暂存基板。在实际应用时可将各个工作基板依序输送至后端的工作机台进行后续的制程，并将各个暂存基板依序传送到氮气缓冲腔体存放。
[0010]氮气缓冲腔体内充满氮气，可减少基板接触氧气的机会，并避免在基板表面形成氧化层。此外亦可避免基板上的光阻接触水气，而发生光阻变形的情形。氮气缓冲腔体内的
压力略大于外界的压力，使得暂存基板输送至氮气缓冲腔体的过程中，外界的污染物不会随着暂存基板进入氮气缓冲腔体。
[0011]本专利技术的一目的，在于提供一种基板传送方法，适用于一基板传送系统，其中基板传送系统包括一基板存放区、一氮气缓冲腔体、一基板传送区及一加载互锁腔体。基板传送区连接基板存放区、氮气缓冲腔体及加载互锁腔体，并用以在基板存放区、氮气缓冲腔体及加载互锁腔体之间传送基板。
[0012]基板存放区用以存放复数个基板，其中复数个基板可被定义为复数个工作基板及复数个暂存基板。基板传送区内的机械手臂可将其中一个工作基板由基板存放区取出，并将工作基板传送至一对准单元进行定位，而后将经过定位的工作基板传送至加载互锁腔体。
[0013]之后基板传送区的机械手臂会继续将其中一个暂存基板由基板存放区内取出，并将暂存基板传送至对准单元进行定位，而后将经过定位的暂存基板传送至氮气缓冲腔体储存。
[0014]加载互锁腔体可连接一工作机台，其中工作机台内的传输手臂用以将加载互锁腔体内的工作基板输送至工作机台，并在工作机台内对工作基板进行薄膜沉积。在对工作基板进行薄膜沉积的过程中，暂存基板会存放在氮气缓冲腔体内，以避免在暂存基板表面形成氧化层，亦可避免基板表面的光阻吸水变形。
[0015]为了达到上述的目的，本专利技术提出一种基板传送方法，适用于一基板传送系统，其中基板传送系统包括一基板存放区、一氮气缓冲腔体、一基板传送区及一加载互锁腔体，基板传送区连接基板存放区、氮气缓冲腔体及加载互锁腔体，基板传送方法包括：定义基板存放区内的复数个基板为复数个工作基板及复数个暂存基板；由基板存放区取出其中一工作基板；对准工作基板；将经过对准的工作基板传送至加载互锁腔体；由基板存放区取出其中一暂存基板；对准暂存基板；及将经过对准的暂存基板传送至氮气缓冲腔体。
[0016]本专利技术提出另一种基板传送方法，适用于一基板传送系统，其中基板传送系统包括一基板存放区、一氮气缓冲腔体、一基板传送区及一加载互锁腔体，基板传送区连接基板存放区、氮气缓冲腔体及加载互锁腔体，基板传送方法包括：定义基板存放区内的复数个基板为复数个工作基板及复数个暂存基板；由基板存放区取出其中一暂存基板；对准暂存基板；将经过对准的暂存基板传送至氮气缓冲腔体；由基板存放区取出其中一工作基板；对准工作基板；及将经过对准的工作基板传送至加载互锁腔体。
[0017]所述的基板传送方法，包括：将加载互锁腔体内的工作基板输送至一工作机台，其中工作机台连接加载互锁腔体；及对工作机台内的工作基板进行薄膜沉积。
[0018]所述的基板传送方法，包括：将工作机台内完成薄膜沉积的工作基板输送至加载互锁腔体；及将加载互锁腔体内完成薄膜沉积的工作基板输送至基板存放区。
[0019]所述的基板传送方法，包括：所有工作基板已由基板存放区取出；将氮气缓冲腔体内的暂存基板输送至加载互锁腔体；将加载互锁腔体内的暂存基板输送至工作机台；及对工作机台内的暂存基板进行薄膜沉积。
[0020]所述的基板传送方法，其中工作机台包括一第一沉积腔体及一第二沉积腔体，基板传送方法包括：将加载互锁腔体内的工作基板输送至第一沉积腔体；及对第一沉积腔体内的工作基板进行第一次薄膜沉积。
[0021]所述的基板传送方法，包括：将第一沉积腔体内的工作基板输送至第二沉积腔体；及对第二沉积腔体内的工作基板进行第二次薄膜沉积。
[0022]所述的基板传送方法，包括：将第二沉积腔体内经过薄膜沉积的工作基板输送至加载互锁腔体。
[0023]本专利技术的有益效果是：提供一种新颖的基板传送方法，可避免对工作基板进行后续制程的期间，于暂存基板的表面形成氧化层，或造成暂存基板上的光阻吸水变形，而影响光阻定义的线宽及线距的精准度。
附图说明
[0024]图1为本专利技术基板传送系统一实施例的构造示意图。
[0025]图2为本专利技术基板传送方法一实施例的步骤流程图。
[0026]图3为本专利技术基板传送系统的氮气缓冲腔体一实施例的构造示意图。
[0027]图4为本专利技术基板传送方法又一实施例的步骤流程图。
[0028]附图标记说明：10
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基板传送系统；11<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板传送方法，适用于一基板传送系统，其中该基板传送系统包括一基板存放区、一氮气缓冲腔体、一基板传送区及一加载互锁腔体，该基板传送区连接该基板存放区、该氮气缓冲腔体及该加载互锁腔体，其特征在于，该基板传送方法包括：定义该基板存放区内的复数个基板为复数个工作基板及复数个暂存基板；由该基板存放区取出其中一该工作基板；对准该工作基板；将经过对准的该工作基板传送至该加载互锁腔体；由该基板存放区取出其中一该暂存基板；对准该暂存基板；及将经过对准的该暂存基板传送至该氮气缓冲腔体。2.根据权利要求1所述的基板传送方法，其特征在于，包括：将该加载互锁腔体内的该工作基板输送至一工作机台，其中该工作机台连接该加载互锁腔体；及对该工作机台内的该工作基板进行薄膜沉积。3.根据权利要求2所述的基板传送方法，其特征在于，包括：将该工作机台内完成薄膜沉积的该工作基板输送至该加载互锁腔体；及将该加载互锁腔体内完成薄膜沉积的该工作基板输送至该基板存放区。4.根据权利要求2所述的基板传送方法，其特征在于，包括：所有该工作基板已由该基板存放区取出；将该氮气缓冲腔体内的该暂存基板输送至该加载互锁腔体；将该加载互锁腔体内的该暂存基板输送至该工作机台；及对该工作机台内的该暂存基板进行薄膜沉积。5.根据权利要求2所述的基板传送方法，其特征在于，其中该工作机台包括一第一沉积腔体及一第二沉积腔体，该基板传送方法包括：将该加载互锁腔体内的该工作基板输送至第一沉积腔体；及对该第一沉积腔体内的该工作基板进行第一次薄膜沉积。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊成，
申请(专利权)人：天虹科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：