半导体的镀膜方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体的镀膜方法，包括：对半导体进行清洁；在所述半导体上分三次沉积硅层；其中，第一次沉积的速率低于第二次沉积的速率，第二次沉积的速率低于第三次沉积的速率；在所述半导体上沉积DLC层。采用本发明专利技术实施例，能有效提高半导体表面镀膜的拉伸应力。力。力。

【技术实现步骤摘要】
半导体的镀膜方法


[0001]本专利技术涉及微电子制造
，尤其涉及一种半导体的镀膜方法。

技术介绍

[0002]半导体元器件通常在工作过程中，要应对高温高压的变化，其表面的镀膜通常质地较为硬脆，往往会收到恶劣环境的影响而造成脱落，因而如何增强其拉伸应力是亟待解决的问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种半导体的镀膜方法，能有效提高半导体表面镀膜的拉伸应力。
[0004]本专利技术一实施例提供一种半导体的镀膜方法，包括：
[0005]对半导体进行清洁；
[0006]在所述半导体上分三次沉积硅层；其中，第一次沉积的速率低于第二次沉积的速率，第二次沉积的速率低于第三次沉积的速率；
[0007]在所述半导体上沉积DLC层。
[0008]作为上述方案的改进，所述对半导体进行清洁，包括：
[0009]使用NMP溶剂浸泡半导体；
[0010]用去离子水清洗所述半导体；
[0011]将所述半导体放入IPA溶剂中进行超声波清洗；
[0012]待所述半导体干燥后，对所述半导体进行离子清洗。
[0013]作为上述方案的改进，所述NMP溶剂的温度为20
‑
40℃，浸泡时间为15
‑
25分钟。
[0014]作为上述方案的改进，所述超声波清洗的时间为25
‑
35分钟。
[0015]作为上述方案的改进，所述待所述半导体干燥后，对所述半导体进行离子清洗，包括：<br/>[0016]待所述半导体干燥后，将所述半导体置入真空室；
[0017]对所述真空室进行抽真空并加热到200
‑
250℃；
[0018]通入预设气体到真空室；其中，所述预设气体为氩气、氩氧混合气体、氩乙烷混合气体或氮氦混合气体；
[0019]在真空室气压达到10
‑
15Pa时，对所述预设气体进行电离形成等离子体，并利用所述等离子体对所述半导体的表面进行轰击清洗；其中，轰击清洗的时间为30分钟。
[0020]作为上述方案的改进，所述第一次沉积的速率为0.45
‑
0.55埃/秒，所述第二次沉积的速率为0.75
‑
0.85埃/秒，所述第三次沉积的速率为0.95
‑
1.05埃/秒。
[0021]作为上述方案的改进，所述在所述半导体上分三次沉积硅层，具体为：
[0022]采用溅射镀膜装置在所述半导体上分三次沉积硅层；其中，所述溅射镀膜装置的作业参数包括：真空度为1.5
×
10
‑1‑
2.5
×
10
‑1Pa，离子源功率为2.0
‑
2.5kW，工件负偏压为
100
‑
150V，溅射靶功率为1.2
‑
1.5kW。
[0023]作为上述方案的改进，所述溅射镀膜装置使用的溅射气体为氩气；在所述第一次沉积中，氩气的流量为140
‑
160sccm；在所述第二次沉积和所述第三次沉积中，氩气的流量为190
‑
210sccm。
[0024]作为上述方案的改进，所述第一次沉积和所述第二次沉积的硅层厚度均为1.5
‑
2.5nm，所述第三次沉积的硅层厚度为0.5
‑
1.5nm；所述DLC层的厚度为3
‑
5nm。
[0025]作为上述方案的改进，所述在所述半导体上沉积DLC层，具体为：
[0026]采用化学气相沉积装置在所述半导体上沉积DLC层；其中，所述化学气相沉积装置中通入的气体为氩气和甲烷，氩气的流量为140
‑
160sccm，甲烷的流量为90
‑
110sccm；所述化学气相沉积装置的作业参数包括：真空度为1.5
×
10
‑1‑
2.5
×
10
‑1Pa，离子源功率为2.5
‑
3.0kW，工件负偏压为140
‑
160V，沉积时间为40
‑
50min。
[0027]与现有技术相比，本专利技术实施例公开的半导体的镀膜方法，通过先对半导体进行清洁，能够清除半导体表面的杂质，提高镀膜结合力，再在半导体上分三次沉积硅层，并且，第一次沉积的速率低于第二次沉积的速率，第二次沉积的速率低于第三次沉积的速率，然后再沉积DLC层，能够使得形成的膜层缺陷较少，并且前两层硅层起到过渡作用，能够增强镀膜表面的拉伸应力。
附图说明
[0028]图1是本专利技术一实施例提供的一种半导体的镀膜方法的流程示意图。
具体实施方式
[0029]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0030]此外，下面所描述的本专利技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0031]参见图1，是本专利技术一实施例提供的一种半导体的镀膜方法的流程示意图。
[0032]本实施例提供一种半导体的镀膜方法，包括：
[0033]S11、对半导体进行清洁；
[0034]S12、在所述半导体上分三次沉积硅层；其中，第一次沉积的速率低于第二次沉积的速率，第二次沉积的速率低于第三次沉积的速率；
[0035]S13、在所述半导体上沉积DLC层。
[0036]需要说明的是，在本实施例中，对半导体进行清洁的方法有多种，例如化学清洗、超声波清洗，离子清洗等等，在具体实施时可以是根据实际需求进行选择，在此不做限定。
[0037]需要说明的是，在本实施例中，镀膜的方法有多种，例如物理镀膜和化学镀膜等等，在具体实施时可以是根据实际需求进行选择，在此不做限定。
[0038]在本实施例中，通过先对半导体进行清洁，能够清除半导体表面的杂质，提高镀膜结合力，再在半导体上分三次沉积硅层，并且，第一次沉积的速率低于第二次沉积的速率，
第二次沉积的速率低于第三次沉积的速率，然后再沉积DLC层，能够使得形成的膜层缺陷较少，并且前两层硅层起到过渡作用，能够增强镀膜表面的拉伸应力。
[0039]作为其中一个可选的实施例，所述对半导体进行清洁，包括：
[0040]S111、使用NMP溶剂浸泡半导体；
[0041]S112、用去离子水清洗所述半导体；
[0042]S113、将所述半导体放入IPA溶剂中进行超声波清洗；
[0043]S114、待所述半导体干燥后，对所述半导体进行离子清洗。
[0044]需要说明的是，NMP溶剂指N
‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体的镀膜方法，其特征在于，包括：对半导体进行清洁；在所述半导体上分三次沉积硅层；其中，第一次沉积的速率低于第二次沉积的速率，第二次沉积的速率低于第三次沉积的速率；在所述半导体上沉积DLC层。2.如权利要求1所述的半导体的镀膜方法，其特征在于，所述对半导体进行清洁，包括：使用NMP溶剂浸泡半导体；用去离子水清洗所述半导体；将所述半导体放入IPA溶剂中进行超声波清洗；待所述半导体干燥后，对所述半导体进行离子清洗。3.如权利要求2所述的半导体的镀膜方法，其特征在于，所述NMP溶剂的温度为20
‑
40℃，浸泡时间为15
‑
25分钟。4.如权利要求2所述的半导体的镀膜方法，其特征在于，所述超声波清洗的时间为25
‑
35分钟。5.如权利要求2所述的半导体的镀膜方法，其特征在于，所述待所述半导体干燥后，对所述半导体进行离子清洗，包括：待所述半导体干燥后，将所述半导体置入真空室；对所述真空室进行抽真空并加热到200
‑
250℃；通入预设气体到真空室；其中，所述预设气体为氩气、氩氧混合气体、氩乙烷混合气体或氮氦混合气体；在真空室气压达到10
‑
15Pa时，对所述预设气体进行电离形成等离子体，并利用所述等离子体对所述半导体的表面进行轰击清洗；其中，轰击清洗的时间为30分钟。6.如权利要求1所述的半导体的镀膜方法，其特征在于，所述第一次沉积的速率为0.45
‑
0.55埃/秒，所述第二次沉积的速率为0.75
‑
0.85埃/秒，所述第三次沉积的速率为0.95
‑
1.05埃/秒。7.如权利要求6所述的半导体的镀膜方法，其特征在于，所述在所述半导体上分三次沉积硅层，具体为：采用溅射镀膜装置在所述半导体上分三次沉...

【专利技术属性】
技术研发人员：张俊群，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：