一种实现ＦＦＴ／ＩＦＦＴ变换的电路及方法技术

本发明专利技术公开了一种实现ＦＦＴ／ＩＦＦＴ变换的电路及方法，方法为：１）确定迭代次数ｍ、第一和第二ＲＡＭ的深度ｄ１、ＲＯＭ存储器的深度ｄ２；２）将待变换的输入数据的前和后ｎ／２部分分别存入第二和第一ＲＡＭ；３）进行ｍ次迭代蝶形运算：第１次迭代中，读取第一和第二ＲＡＭ时采用倒位序读取，偶数次蝶形运算结果写入第一ＲＡＭ，奇数次蝶形运算结果写入第二ＲＡＭ；在第２次到第ｍ－１次迭代中，采用正常位序读取第一和第二ＲＡＭ，写回ＲＡＭ的方式与第一次相同；在第ｍ次迭代中，采用正常位序读取第一和第二ＲＡＭ，写回ＲＡＭ的位置与读取位置相同。采用本发明专利技术，可降低电路的复杂度，保持变换前后ＲＡＭ内数据的存储顺序相同，减少额外的时间消耗。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种实现ＦＦＴ／ＩＦＦＴ变换的电路，其特征在于，包括：第一多路选择器，第二多路选择器，第一ＲＡＭ存储器，第二ＲＡＭ存储器，ＲＯＭ存储器，第三多路选择器，第四多路选择器，复数乘法器，第一复数加法器，第二复数加法器；本电路包括两个数据输出端和两个数据输入端，所述两个数据输出端分别为第三多路选择器和第四多路选择器的输出端，或者第一ＲＡＭ存储器和第二ＲＡＭ存储器的输出端；第一多路选择器的两个输入端分别与本电路的一个数据输入端和第一复数加法器的输出端连接；第二多路选择器的两个输入端分别与本电路的另一个数据输入端和第二复数加法器的输出端连接；第一多路选择器的输出端与第一ＲＡＭ存储器的数据输入端连接；第二多...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：温子瑜，
申请(专利权)人：中兴通讯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]