电子器件和集成电路制造技术

提供了一种带有ＣＭＯＳ电路（ＣＣ）的电子器件。所述电子器件包括第一驱动电路（１０），所述第一驱动电路具有第一和第二ＰＭＯＳ晶体管（Ｐ１、Ｐ２）以及第一和第二ＮＭＯＳ晶体管（Ｎ１、Ｎ２）。第一驱动电路（１０）连接第一电压（ｖｄｄｅ）和地之间。驱动电路同时也与ＣＭＯＳ电路（ＣＣ）连接。电子器件还包括第二驱动电路（２０），所述第二驱动电路带有第三和第四ＰＭＯＳ晶体管（Ｐ３、Ｐ４）以及第三和第四ＮＭＯＳ晶体管（Ｎ３、Ｎ４）。第二驱动电路（２０）连接在第一电压（ｖｄｄｅ）和地之间。第二驱动电路（２０）是第一驱动电路（１０）的互补电路，并且沿与第一驱动电路（１０）相反的方向切换。第二和第四ＰＭＯＳ晶体管（Ｐ２、Ｐ４）的栅极与第一偏置电压（ＲＥＰｐ）相连，第二和第四ＮＭＯＳ晶体管（Ｎ２、Ｎ４）的栅极与第二偏置电压（ＲＥＦｎ）相连。第一电容器（Ｃ３）连接在第四ＰＭＯＳ晶体管（Ｐ４）的栅极和漏极之间，第二电容器（Ｃ４）连接在第四ＮＭＯＳ晶体管（Ｎ４）的栅极和源极之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种电子器件和集成电路。技术背景近来，增加了对集成电路具有更大计算功率、更大集成密度以及附 加低功耗性能的需求。为了实现这些要求，深亚微米和纳米技术变得越 来越重要以降低晶体管几何尺寸，因此电子器件足够长的使用寿命要求低电源电压。然而，典型地CMOS集成电路需要驱动或者控制其他外部器 件，可能需要具有较大电压幅值的输入信号。例如，外部器件接口在3. 3V 下工作，而现有CM0S技术只能提供2.5V。因此，新的器件必须能够提 供3.3V的兼容输出信号。另一方面，器件可能输出3.3V的信号，需要 连接至CMOS集成电路，因此CMOS集成也必须能够接受3. 3V的输入信号。 换言之，新的2. 5V CMOS工艺集成电路或器件必须能够提供3. 3V的电源。 此外，3. 3V电源应连接至1. 8V CMOS工艺或者2. 5V电源电压应连接至 1.8VCM0S工艺。因此，需要集成电路在使用低电压CMOS工艺时在较高 电源电压下工作。然而，如果高电源直接作用于低电压MOS晶体管，可能导致晶体管 终端之间的过应力，诸如Vds、 Vgs和Vgd。这是有缺陷的，因为漏极和 源极之间的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子器件，包括：　ＣＭＯＳ电路（ＣＣ）；　第一驱动电路（１０），带有连在第一电压（ｖｄｄｅ）和地之间的第一和第二ＰＭＯＳ晶体管（Ｐ１、Ｐ２）以及第一和第二ＮＭＯＳ晶体管（Ｎ１，Ｎ２），其中第一驱动电路（１０）连至ＣＭＯＳ电路（ＣＣ）；第二驱动电路（２０），带有连在第一电压（ｖｄｄｅ）和地之间的第三和第四ＰＭＯＳ晶体管（Ｐ３、Ｐ４）以及第三和第四ＮＭＯＳ晶体管（Ｎ３，Ｎ４）；　所述第二驱动电路（２０）是第一驱动电路（１０）的互补电路，并且沿与第一驱动电路（１０）的相反方向切换；　其中第二和第四ＰＭＯＳ晶体管（Ｐ２、Ｐ４）的栅极连在第一偏置电压（ＲＥＦｐ），第二和第四ＮＭＯＳ晶体管（Ｎ２、Ｎ４...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏尼尔钱德拉，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]