一维氧化锡量子线的溶剂热制备方法技术

本发明专利技术公开了一种一维氧化锡量子线的溶剂热制备方法。包括如下步骤：１）在剧烈搅拌下，将五水四氯化锡加入到８～１２ｍＬ预加热到８０～１００℃的油酸中，搅拌反应３０～６０分钟，五水四氯化锡的摩尔浓度为０．１～０．３ｍｏｌ／Ｌ；２）加入十二胺和无水乙醇，油酸∶十二胺的摩尔比为１∶１～２∶２，无水乙醇的体积浓度为１０～４０％，继续搅拌，获得前躯体溶液；３）将前躯体溶液移入不锈钢反应釜内密封，加热反应５～１０小时，反应温度为１５０～２００℃，然后自然冷却到室温；４）将反应产物用乙醇离心洗涤２～３次；５）将洗涤过的产物放入烘箱，干燥５～８小时，干燥温度为８０～１００℃，获得产品保存。本发明专利技术具有工艺简单、生产周期短、成本低及适合大规模生产等特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体材料领域，尤其涉及一种一维氧化锡量子线的溶剂热制 备方法。
技术介绍
氧化锡作为一种性能优良的n型宽禁带(3.6eV)半导体，它具有高透光性， 低电阻率，高气敏活性等优良性能，是理想的太阳能电池，透明电极，薄膜电 阻和气敏器件材料。在一维氧化锡纳米材料方面，目前人们对氧化锡纳米线和纳米棒的研究比 较多。YuliangWang (J. AM. CHEM. SOC. 2003, 125,16176-16177)等通过有机 溶剂水解法制备了直径约50nm长度超过30)am的氧化锡纳米线。Qin Kuang (J. AM. CHEM. SOC. 2007, 129， 6070-6071)等通过CVD法制备了延方向生长 的氧化锡纳米线。NahongZhao (Chem. Mater. 2008, 20, 2612-2614)等通过溶胶 凝胶法在阳极氧化铝薄膜上制备了氧化锡纳米线整列。Dongfeng Zhang (Adv. Mater. 2003, 15,No.l2,Jun 17， 1022-1025)等通过水热法制备了氧化锡纳米棒.当材料尺度达到10nm以下时，开始表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种一维氧化锡量子线的溶剂热制备方法，其特征在于包括如下步骤　１）在剧烈搅拌下，将五水四氯化锡加入到８～１２ｍＬ预加热到８０～１００℃的油酸中，搅拌反应３０～６０分钟，五水四氯化锡的摩尔浓度为０．１～０．３ｍｏｌ／Ｌ；　２）加入 十二胺和无水乙醇，油酸：十二胺的摩尔比为１∶１～２∶１，无水乙醇的体积浓度为１０～４０％，继续搅拌，获得前躯体溶液；　３）将前躯体溶液移入不锈钢反应釜内密封，加热反应５～１０小时，反应温度为１５０～２００℃，然后自然冷却到室温；　 　４）将反应产物用乙醇离心洗涤２～３次；　５）将洗涤过的产物放入烘箱，干燥５～８小时，干燥温度为８...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王智宇，俞中平，刘博，叶波，孔伟，石新超，翁晶晶，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]