铋‑氧化锡深紫外光探测器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种铋‑氧化锡深紫外光探测器及其制备方法。探测器的铋掺杂氧化锡薄膜的化学式组成为Bi

Bismuth tin oxide deep ultraviolet detector and preparation method thereof

The invention discloses a bismuth tin oxide deep ultraviolet detector and preparation method thereof. The chemical composition of the bismuth doped tin oxide film of the detector is Bi

【技术实现步骤摘要】
铋-氧化锡深紫外光探测器及其制备方法
本专利技术涉及一种探测器及制备方法，尤其是一种铋-氧化锡深紫外光探测器及其制备方法。
技术介绍
紫外光波段探测在军事预警、卫星间和水下潜艇间安全通信、火焰探测、食品消毒、饮用水净化等领域有着重要的用途。例如，太阳光辐射经过大气臭氧层的吸收，到达地球后220-300nm波长范围的光谱强度极其微弱，称为日盲区。当该区域内其他产生大量的日盲区紫外辐射时，必然来自于人造光源的物体或目标。导弹固体发动机产生的羽烟对应的紫外光正好处在日盲区，由于日盲区背景辐射弱，因而可以轻易的被探测出来，以为己方提供预警。高铁运行过程中需要高压电为其提供动力，由于线路受损或污染导致高压输变电因为电场集中而电离空气分子，产生电晕现象；电晕过程激发空气中氮气分子电离，发出深紫外光，电晕不但消耗输变电能，还有可能因此造成火灾等重大安全事故或者高铁延误等，通过紫外探测器可以及早发现电网电路问题，进行故障检修。SnO2是一种宽禁带氧化物半导体，具有宽带隙(3.6eV)、电学性能优异(载流子迁移率超过250cm2/V·s)、物理化学性质稳定、抗辐照能力强等特点，非常适合制作紫外探测器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铋‑氧化锡深紫外光探测器，包括铋掺杂氧化锡薄膜，其特征在于：所述铋掺杂氧化锡薄膜的化学式组成为Bi

【技术特征摘要】
1.一种铋-氧化锡深紫外光探测器，包括铋掺杂氧化锡薄膜，其特征在于：所述铋掺杂氧化锡薄膜的化学式组成为BixSn1-xO2，化学式中的0.04≤x≤0.3，其中，薄膜中铋的价态为Bi+3和Bi+5的比例为45-55％：45-55％；所述铋掺杂氧化锡薄膜的厚度为80-200nm，其上置有电极。2.根据权利要求1所述的铋-氧化锡深紫外光探测器，其特征是电极为其间距为10-100μm的金属叉指电极。3.根据权利要求2所述的铋-氧化锡深紫外光探测器，其特征是金属为金、银、铜、钛、铝、铟、钽、铂中的一种或两种。4.一种权利要求1所述铋-氧化锡深紫外光探测器的制备方法，包括磁控溅射法，其特征在于主要步骤如下：步骤1，先将由金属铋与金属锡的面积比为4～30％：70～96％的比例组成的铋锡混合靶和衬底分别置于磁控溅射设备真空室内的阴极上和样品台中，再待真空室的真空度为10-3-10-5Pa后，使真空室处于氩-氧混合气氛中，于450-700℃下溅射30-90min，其中，氩-氧混合气氛的总压强为1-10Pa，其由95-99％的氩气和1-5％的氧气组成，得到覆于衬底上的铋掺...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘书生，刘倩文，罗媛媛，赵俊乾，李广海，
申请(专利权)人：中国科学院合肥物质科学研究院，
类型：发明
国别省市：安徽,34