静电吸盘及其制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种静电吸盘及其制备方法，静电吸盘包括电极、第一绝缘层、第二绝缘层、第一薄膜电极和第二薄膜电极，第一绝缘层附着在电极的表面；第一薄膜电极附着于第一绝缘层；第二薄膜电极附着于第一绝缘层，其中，第二薄膜电极和第一薄膜电极接触，并形成至少一个用于测温的接触点；第二绝缘层附着于第一绝缘层，并使第一薄膜电极和第二薄膜电极位于第一绝缘层和第二绝缘层之间。该静电吸盘能够可靠地检测温度，且其整体结构较小，静电吸盘原本的结构也不容易被破坏。易被破坏。易被破坏。

【技术实现步骤摘要】
静电吸盘及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种静电吸盘及其制备方法。

技术介绍

[0002]相关技术提供的半导体制造系统如刻蚀系统、化学汽相淀积系统、溅射系统等通常都配备有静电吸盘，用于将晶片固定在特定的位置以使晶片可以在制造系统中被加工。静电吸盘包括由绝缘体形成的介质主体和由导体形成的用于在介质主体内产生介质极化的电极；电极与高压直流电源相连；当高压直流电源将直流电压加到电极上，介质主体被介质极化，同时它表现出吸引力；也就是说，静电吸盘可以用施加直流电压产生的吸引力将晶片吸引并支持在它的介质主体上。
[0003]相关技术为了测量静电吸盘的温度，给静电吸盘配置了金属热电偶或光纤；但是，上述两种方式均会导致静电吸盘整体结构增大，且容易对静电吸盘原本的结构造成破坏。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种静电吸盘及其制备方法，该静电吸盘整体结构较小，且原本的结构不容易被破坏。
[0005]本专利技术的实施例是这样实现的：
[0006]第一方面，本专利技术提供一种静电吸盘，包括：
[0007]电极；
[0008]第一绝缘层，第一绝缘层附着在电极的表面；
[0009]第一薄膜电极，第一薄膜电极附着于第一绝缘层；
[0010]第二薄膜电极，第二薄膜电极附着于第一绝缘层，其中，第二薄膜电极和第一薄膜电极接触，并形成至少一个用于测温的接触点；以及，
[0011]第二绝缘层，第二绝缘层附着于第一绝缘层，并使第一薄膜电极和第二薄膜电极位于第一绝缘层和第二绝缘层之间。
[0012]在可选的实施方式中，静电吸盘还包括导线，第一薄膜电极和第二薄膜电极两者中的至少一者与导线电连接。
[0013]在可选的实施方式中，电极上设置有第一出线孔，第一绝缘层设置有第二出线孔，导线依次穿过第二出线孔和第一出线孔、并从电极背离第一绝缘层的一侧穿出。
[0014]在可选的实施方式中，第一出线孔和第二出线孔两者中的至少一者填充有绝缘密封胶。
[0015]在可选的实施方式中，静电吸盘包括多个第二薄膜电极和多个导线，多个第二薄膜电极均与第一薄膜电极接触，并形成多个接触点；多个导线与多个第二薄膜电极一一对应地连接，且多个导线均依次穿过第二出线孔和第一出线孔、并从电极背离第一绝缘层的一侧穿出；或者，
[0016]静电吸盘包括多个第二薄膜电极，多个第二薄膜电极均与第一薄膜电极接触，并
形成多个接触点；多个第二薄膜电极均与导线连接。
[0017]在可选的实施方式中，第二薄膜电极和第一薄膜电极接触，并形成多个接触点，多个接触点呈环形阵列或矩形整列分布。
[0018]在可选的实施方式中，第一绝缘层和第二绝缘层的厚度为5
‑
10μm。
[0019]第二方面，本专利技术提供一种静电吸盘的制备方法，包括：
[0020]在电极上涂覆第一绝缘层；
[0021]在第一绝缘层上沉积第一薄膜电极；
[0022]在第一绝缘层上沉积第二薄膜电极，且使第二薄膜电极与第一薄膜电极接触，以形成至少一个用于测温的接触点；
[0023]在第一绝缘层上涂覆第二绝缘层，并使第一薄膜电极和第二薄膜电极位于第一绝缘层和第二绝缘层之间。
[0024]在可选的实施方式中，静电吸盘的制备方法，还包括：
[0025]在第一薄膜电极和第二薄膜电极两者中的至少一者连接导线，并将导线依次穿过第一绝缘层设置的第二出线孔和电极设置的第一出线孔，以使导线从电极背离第一绝缘层的一侧穿出。
[0026]在可选的实施方式中，第一绝缘层和第二绝缘层包括氧化铝绝缘层、氮化铝绝缘层、氧化钇绝缘层和氟化钇绝缘层中的至少一种；
[0027]第一薄膜电极包括In2O3薄膜电极和ITO薄膜电极中的一者，第二薄膜电极包括In2O3薄膜电极和ITO薄膜电极中的另一者。
[0028]本专利技术实施例的静电吸盘及其制备方法的有益效果包括：本专利技术实施例提供的静电吸盘的制备方法，在电极上附着第一绝缘层，并在第一绝缘层上沉积附着第一薄膜电极和第二薄膜电极，并使第二薄膜电极和第一薄膜电极接触、形成至少一个用于测温的接触点；这样一来，即可利用第二薄膜电极和第一薄膜电极相互接触形成的测温点作为薄膜热电偶用来测温，而且形成薄膜热电偶的两个薄膜电极本身厚度尺寸很小，能够保证静电吸盘的小型化设计，静电吸盘整体结构较小，改善因为了测量温度而导致静电吸盘占用空间增大的问题；再者，在第一绝缘层上沉积两个薄膜电极以形成能够用于测温的薄膜热电偶，能够减少对电极自身结构的破坏，即能够改善对静电吸盘自身结构破坏的问题。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0030]图1为本专利技术实施例中静电吸盘在第一视角下的结构示意图；
[0031]图2为本专利技术实施例中静电吸盘在第二视角下的结构示意图；
[0032]图3为本专利技术一些实施方式中静电吸盘的结构示意图；
[0033]图4为本专利技术另一些实施方式中静电吸盘的结构示意图。
[0034]图标：010
‑
静电吸盘；100
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电极；110
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第一出线孔；200
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第一绝缘层；210
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第二出线孔；300
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第一薄膜电极；400
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第二薄膜电极；500
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接触点；600
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第二绝缘层；700
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导线。
具体实施方式
[0035]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本专利技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0036]因此，以下对在附图中提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0037]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0038]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“竖”、“横”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该专利技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种静电吸盘，其特征在于，包括：电极(100)；第一绝缘层(200)，所述第一绝缘层(200)附着在所述电极(100)的表面；第一薄膜电极(300)，所述第一薄膜电极(300)附着于所述第一绝缘层(200)；第二薄膜电极(400)，所述第二薄膜电极(400)附着于所述第一绝缘层(200)，其中，所述第二薄膜电极(400)和所述第一薄膜电极(300)接触，并形成至少一个用于测温的接触点(500)；以及，第二绝缘层(600)，所述第二绝缘层(600)附着于所述第一绝缘层(200)，并使所述第一薄膜电极(300)和所述第二薄膜电极(400)位于所述第一绝缘层(200)和所述第二绝缘层(600)之间。2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其特征在于，所述静电吸盘还包括导线(700)，所述第一薄膜电极(300)和所述第二薄膜电极(400)两者中的至少一者与所述导线(700)电连接。3.根据权利要求2所述的静电吸盘，其特征在于，所述电极(100)上设置有第一出线孔(110)，所述第一绝缘层(200)设置有第二出线孔(210)，所述导线(700)依次穿过所述第二出线孔(210)和所述第一出线孔(110)、并从所述电极(100)背离所述第一绝缘层(200)的一侧穿出。4.根据权利要求3所述的静电吸盘，其特征在于，所述第一出线孔(110)和所述第二出线孔(210)两者中的至少一者填充有绝缘密封胶。5.根据权利要求3所述的静电吸盘，其特征在于，所述静电吸盘包括多个所述第二薄膜电极(400)和多个所述导线(700)，多个所述第二薄膜电极(400)均与所述第一薄膜电极(300)接触，并形成多个所述接触点(500)；多个所述导线(700)与多个所述第二薄膜电极(400)一一对应地连接，且多个所述导线(700)均依次穿过所述第二出线孔(210)和所述第一出线孔(110)、并从所述电极(100)背离所述第一绝缘层(200)的一侧穿出；或者，所述静电吸盘包括多个所述第二薄膜电极(400)，多个所述第二薄膜电极(400)均与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯鹏，鞠子辰，谈太德，牛新平，
申请(专利权)人：拓荆创益沈阳半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：