【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体设备，具体涉及了一种远程等离子体发生装置的截断阀，以及一种半导体设备。
技术介绍
1、半导体设备，例如薄膜沉积设备的薄膜沉积过程或者清洁过程中，通常需要用到等离子体及强氧化性气体。当这些气体或等离子体流过阀门时，会对于连接半导体设备中的反应腔室和远程等离子体发生装置的截断阀上的密封圈产生非常强的腐蚀性作用。
2、现有技术中，当前使用的密封圈为全氟聚醚材质的密封圈，对于抵抗等离子腐蚀的能力有限，当截断阀上的密封圈被腐蚀后，会影响反应腔室内的真空度。此外，随着使用时间的延长，被腐蚀的密封圈还会释放出颗粒，这些颗粒进入反应腔室会直接影响腔室内后续晶圆的成膜质量，产生颗粒污染的风险。在密封圈腐蚀后，进行半导体加工工艺的工艺气体还会扩散进入远程等离子发生装置，污染远程等离子发生装置，进而在清洁时，带出污染物到反应腔室，再次影响反应腔室内的洁净度。为了降低上述风险，现有技术中，通常需要定期更换当前的密封圈，但是这又会导致设备的工作时间降低。
3、为了解决现有技术中存在的上述问题，本领域亟需一种改进的远程等离子体发生装置的截断阀，能够避免流经的等离子体和/或强氧化气体对截断阀上的密封圈产生腐蚀损坏，降低因等离子刻蚀密封圈产生的颗粒污染的风险，并且提升截断阀以及半导体设备的工作时间。
技术实现思路
1、以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任
2、为了克服现有技术存在的上述缺陷，本技术提供了一种远程等离子体发生装置的截断阀，以及一种半导体设备，能够避免流经的等离子体和/或强氧化气体对截断阀上的密封圈产生腐蚀损坏，降低因等离子刻蚀密封圈产生的颗粒污染的风险，并且提升截断阀以及半导体设备的工作时间。
3、具体来说，根据本技术的第一方面提供的上述远程等离子体发生装置的截断阀，包括：阀门本体，设置于半导体设备的反应腔室与所述远程等离子体发生装置之间的连接通道上，用于可开闭地连通所述反应腔室和所述远程等离子体发生装置，以导通或截断等离子体和/或工艺气体；以及多层密封圈，套接于所述阀门本体的两端连接口，所述多层密封圈的外层包括耐腐蚀外壳，所述多层密封圈的内层包括弹性内芯。
4、进一步地，在本技术的一些实施例中，所述多层密封圈的内层的中心为空心结构。
5、进一步地，在本技术的一些实施例中，所述耐腐蚀外壳为特氟龙材质，所述弹性内芯为橡胶弹性体。
6、进一步地，在本技术的一些实施例中，所述阀门本体包括闸板阀，所述多层密封圈设置于所述闸板阀的闸板上。
7、进一步地，在本技术的一些实施例中，所述阀门本体包括旋转角阀，所述多层密封圈设置于所述旋转角阀的旋转体上。
8、此外，根据本技术的第二方面提供的上述半导体设备，包括：反应腔室，用以进行半导体加工工艺；远程等离子体发生装置，连接所述反应腔室，向所述反应腔室提供等离子体；以及本技术上述第一方面提供的远程等离子体发生装置的截断阀。
9、进一步地，在本技术的一些实施例中，所述反应腔室包括进气口，用以通入进行半导体加工工艺的工艺气体。
10、进一步地，在本技术的一些实施例中，所述反应腔室连接真空泵，对所述反应腔室进抽气，以形成适于进行所述半导体加工工艺的真空环境。
11、进一步地，在本技术的一些实施例中，所述反应腔室的内部上方包括陶瓷顶盖，以与所述反应腔室共同构成真空环境。
12、进一步地，在本技术的一些实施例中，所述半导体设备包括多个互相独立的所述反应腔室，以使得同一时间段进行多种所述半导体加工工艺。
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1.一种远程等离子体发生装置的截断阀，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的截断阀，其特征在于，所述多层密封圈的内层的中心为空心结构。
3.如权利要求1或2所述的截断阀，其特征在于，所述耐腐蚀外壳为特氟龙材质，所述弹性内芯为橡胶弹性体。
4.如权利要求1所述的截断阀，其特征在于，所述阀门本体包括闸板阀，所述多层密封圈设置于所述闸板阀的闸板上。
5.如权利要求1所述的截断阀，其特征在于，所述阀门本体包括旋转角阀，所述多层密封圈设置于所述旋转角阀的旋转体上。
6.一种半导体设备，其特征在于，包括：
7.如权利要求6所述的半导体设备，其特征在于，所述反应腔室包括进气口，用以通入进行半导体加工工艺的工艺气体。
8.如权利要求6所述的半导体设备，其特征在于，所述反应腔室连接真空泵，对所述反应腔室进抽气，以形成适于进行所述半导体加工工艺的真空环境。
9.如权利要求8所述的半导体设备，其特征在于，所述反应腔室的内部上方包括陶瓷顶盖，以与所述反应腔室共同构成真空环境。
10.如权利要求
...【技术特征摘要】
1.一种远程等离子体发生装置的截断阀，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的截断阀，其特征在于，所述多层密封圈的内层的中心为空心结构。
3.如权利要求1或2所述的截断阀，其特征在于，所述耐腐蚀外壳为特氟龙材质，所述弹性内芯为橡胶弹性体。
4.如权利要求1所述的截断阀，其特征在于，所述阀门本体包括闸板阀，所述多层密封圈设置于所述闸板阀的闸板上。
5.如权利要求1所述的截断阀，其特征在于，所述阀门本体包括旋转角阀，所述多层密封圈设置于所述旋转角阀的旋转体上。
6.一种半导体设备，其特征在于，包...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋宇，
申请(专利权)人：拓荆创益沈阳半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：
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