流体加热结构和半导体流体处理系统技术方案

本申请公开了一种流体加热结构和半导体流体处理系统，涉及半导体技术领域。流体加热结构包括侧壁、探测管体、加热组件和测温组件。其中，侧壁围成用于容纳流体的腔体；探测管体的一端连接于侧壁并与腔体连通，探测管体的另一端形成开口；加热组件贴设于侧壁的外表面并用于加热腔体内的流体；测温组件与探测管体远离侧壁的一端密封连接，测温组件包括用于采集温度信息的探头，探头插入探测管体的管腔内。在本申请的流体加热结构中的探头能够与半导体材料直接接触并检测温度，因此能够更加准确地对腔体内的流体温度进行检测。半导体流体处理系统包括上述的流体加热结构，能够对腔体内的半导体流体进行精准地温度检测和控制。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种流体加热结构和半导体流体处理系统。

技术介绍

1、在半导体领域中，一些半导体材料需要以流体的形式来运输或者储存，通常采用对半导体材料进行加热的方式来避免其冷凝或者结晶。在半导体材料运输或者储存的过程中，其温度需要严格控制，因此会对半导体材料的温度进行采集，并根据采集的温度信息来调节温度。现有的半导体材料温度的采集方式是，将热电偶贴附在容纳半导体材料的腔室的侧壁外侧，直接采集侧壁的温度。由于侧壁的温度和内部半导体材料的温度存在差异，因此这种温度采集方式会存在检测不准确的问题。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种流体加热结构和半导体流体处理系统，其能够精确地对检测流体加热结构的腔体中半导体材料的温度。

2、本申请的实施例是这样实现的：

3、第一方面，本申请提供一种流体加热结构，包括：

4、侧壁，所述侧壁围成用于容纳流体的腔体；

5、探测管体，所述探测管体的一端连接于所述侧壁并与所述腔体连通，所述探测管体的另一端形成开口；

6、加热组件，所述加热组件贴设于所述侧壁的外表面并用于加热所述腔体内的流体；

7、测温组件，与所述探测管体远离所述侧壁的一端密封连接，所述测温组件包括用于采集温度信息的探头，所述探头插入所述探测管体的管腔内。

8、在可选的实施方式中，所述加热组件为包裹所述侧壁的加热带。

9、在可选的实施方式中，所述加热带还包裹于所述探测管体的外表面。

10、在可选的实施方式中，所述加热组件与所述探测管体通过螺纹连接。

11、在可选的实施方式中，所述探测管体与所述侧壁之间通过螺纹连接。

12、在可选的实施方式中，所述探测管体为面密封接头，所述面密封接头与所述侧壁之间设置有金属密封垫片。

13、在可选的实施方式中，所述流体加热结构还包括控制器，所述加热组件和所述测温组件均与所述控制器电连接。

14、在可选的实施方式中，所述侧壁围成管路，所述管路与所述探测管体垂直连接。

15、在可选的实施方式中，所述侧壁围成罐体，所述探头通过所述探测管体伸入至所述罐体内部。

16、第二方面，本申请提供一种半导体流体处理系统，包括前述实施方式中任一项所述的流体加热结构。

17、本申请实施例的有益效果是：

18、本申请提供的流体加热结构包括侧壁、探测管体、加热组件和测温组件。其中，侧壁围成用于容纳流体的腔体；探测管体的一端连接于侧壁并与腔体连通，探测管体的另一端形成开口；加热组件贴设于侧壁的外表面并用于加热腔体内的流体；测温组件与探测管体远离侧壁的一端密封连接，测温组件包括用于采集温度信息的探头，探头插入探测管体的管腔内。在本申请的流体加热结构中，由于探测管体的管腔与侧壁围成的腔体是连通的，而测温组件的探头伸入探测管体，使得探头能够与半导体材料直接接触并检测温度。相较于将探头设置在侧壁外侧，本申请实施例提供的流体加热结构能够更加准确地对腔体内的流体温度进行检测，进而也更有利于精准地控制加热组件对内部流体进行温度调节。

19、本申请实施例提供的半导体流体处理系统包括上述的流体加热结构，能够对腔体内的半导体流体进行精准地温度检测和控制。

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【技术保护点】

1.一种流体加热结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的流体加热结构，其特征在于，所述加热组件(200)为包裹所述侧壁(100)的加热带。

3.根据权利要求2所述的流体加热结构，其特征在于，所述加热带还包裹于所述探测管体(300)的外表面。

4.根据权利要求1所述的流体加热结构，其特征在于，所述加热组件(200)与所述探测管体(300)通过螺纹连接。

5.根据权利要求1所述的流体加热结构，其特征在于，所述探测管体(300)与所述侧壁(100)之间通过螺纹连接。

6.根据权利要求5所述的流体加热结构，其特征在于，所述探测管体(300)为面密封接头，所述面密封接头与所述侧壁(100)之间设置有金属密封垫片。

7.根据权利要求1所述的流体加热结构，其特征在于，所述流体加热结构(010)还包括控制器(500)，所述加热组件(200)和所述测温组件(400)均与所述控制器(500)电连接。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的流体加热结构，其特征在于，所述侧壁(100)围成管路，所述管路与所述探测管体(300)垂直连接。

9.根据权利要求1-7中任一项所述的流体加热结构，其特征在于，所述侧壁(100)围成罐体，所述探头(410)通过所述探测管体(300)伸入至所述罐体内部。

10.一种半导体流体处理系统，其特征在于，包括权利要求1-9中任一项所述的流体加热结构(010)。

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【技术特征摘要】

1.一种流体加热结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的流体加热结构，其特征在于，所述加热组件(200)为包裹所述侧壁(100)的加热带。

3.根据权利要求2所述的流体加热结构，其特征在于，所述加热带还包裹于所述探测管体(300)的外表面。

4.根据权利要求1所述的流体加热结构，其特征在于，所述加热组件(200)与所述探测管体(300)通过螺纹连接。

5.根据权利要求1所述的流体加热结构，其特征在于，所述探测管体(300)与所述侧壁(100)之间通过螺纹连接。

6.根据权利要求5所述的流体加热结构，其特征在于，所述探测管体(300)为面密封接头，所述面密封接头与所述侧壁(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：章志敏，谈太德，鞠子辰，
申请(专利权)人：拓荆创益沈阳半导体设备有限公司，
类型：新型
国别省市：