原子层沉积设备制造技术

技术编号:40167817 阅读:11 留言:0更新日期:2024-01-26 23:39
本技术涉及半导体生产设备技术领域,具体而言,涉及一种原子层沉积设备,其包括底盖和真空环,底盖设置有与其同心分布的环形槽;真空环嵌设于环形槽内。本技术的原子层沉积设备能够保证真空环安装于底盖的同轴度,并能提高真空环的安装效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体生产设备,具体而言,涉及一种原子层沉积设备


技术介绍

1、原子层沉积是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。用于进行原子层沉积的设备包括底盖、真空环和上盖等结构;其中,底盖、真空环和上盖之间需要形成密封结构,以确保密封性。

2、但是,在安装真空环于底盖时,难以保证真空环和底盖之间的同轴度,难以提高安装效率。


技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种原子层沉积设备,其能够保证真空环安装于底盖的同轴度,并能提高真空环的安装效率。

2、本技术的实施例是这样实现的:

3、本技术提供一种原子层沉积设备,包括:

4、底盖,底盖设置有与其同心分布的环形槽;以及,

5、真空环,真空环嵌设于环形槽内。

6、在可选的实施方式中,原子层沉积设备还包括上盖,上盖装配于底盖,且上盖与底盖同轴分布;真空环位于上盖和底盖之间。

7、在可选的实施方式中,真空环包括相对分布的第一侧壁和第二侧壁;底盖设置有安装口,至少部分的上盖插接于安装口中;环形槽的一侧与安装口连通;第一侧壁与环形槽的槽壁贴合,第二侧壁与安装口的侧壁对齐。

8、在可选的实施方式中,原子层沉积设备还包括活动件,活动件可活动地连接于上盖,且能与真空环抵持,活动件用于使真空环相对于上盖移动。

9、在可选的实施方式中,上盖包括盖本体和外延环,外延环连接于盖本体的外周,且环绕盖本体分布;盖本体装配于底盖,真空环位于外延环和底盖之间;活动件可活动地设置于盖本体。

10、在可选的实施方式中,活动件的长度沿真空环的径向延伸,且活动件被配置为能沿其自身的长度延伸方向相对于盖本体移动,以驱动真空环相对于盖本体移动。

11、在可选的实施方式中,活动件与盖本体螺纹连接。

12、在可选的实施方式中,盖本体设置有插接孔;原子层沉积设备还包括限位件;活动件可活动地插接于插接孔,且限位件与活动件螺纹连接;当限位件转动时,能驱动活动件在插接孔内移动,并推动真空环相对于盖本体移动。

13、在可选的实施方式中,原子层沉积设备包括多个活动件,多个活动件绕盖本体的周向间隔分布。

14、在可选的实施方式中,多个活动件绕盖本体的周向均匀地间隔分布。

15、在可选的实施方式中,盖本体的两端分别设置有第一槽和第二槽,外延环分布于第一槽的外周,活动件可活动设置于第二槽的槽壁;第二槽的深度为37-39mm。

16、在可选的实施方式中,真空环的厚度为32-34mm。

17、本技术实施例的原子层沉积设备的有益效果包括:本技术实施例提供的原子层沉积设备包括底盖和真空环,底盖设置有环形槽,真空环嵌设于环形槽内。通过在底盖设置环形槽,并使环形槽与底盖同心分布,即可确保环形槽与底盖的同轴度,将真空环嵌设于环形槽内,则可以通过环形槽确保真空环与底盖的同轴度;而且,在保证真空环与底盖的同轴度的同时,简化了真空环的安装,还能提高真空环的安装效率。

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【技术保护点】

1.一种原子层沉积设备,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的原子层沉积设备,其特征在于,所述原子层沉积设备还包括上盖(300),所述上盖(300)装配于所述底盖(100),且所述上盖(300)与所述底盖(100)同轴分布;所述真空环(200)位于所述上盖(300)和所述底盖(100)之间。

3.根据权利要求2所述的原子层沉积设备,其特征在于,所述真空环(200)包括相对分布的第一侧壁(210)和第二侧壁(220);所述底盖(100)设置有安装口(120),至少部分的所述上盖(300)插接于所述安装口(120)中;所述环形槽(110)的一侧与所述安装口(120)连通;所述第一侧壁(210)与所述环形槽(110)的槽壁贴合,所述第二侧壁(220)与所述安装口(120)的侧壁对齐。

4.根据权利要求2所述的原子层沉积设备,其特征在于,所述原子层沉积设备还包括活动件(400),所述活动件(400)可活动地连接于所述上盖(300),且能与所述真空环(200)抵持,所述活动件(400)用于使所述真空环(200)相对于所述上盖(300)移动。

5.根据权利要求4所述的原子层沉积设备,其特征在于,所述上盖(300)包括盖本体(310)和外延环(320),所述外延环(320)连接于所述盖本体(310)的外周,且绕所述盖本体(310)的周向分布;所述盖本体(310)装配于所述底盖(100),所述真空环(200)位于所述外延环(320)和所述底盖(100)之间;所述活动件(400)可活动地设置于所述盖本体(310)。

6.根据权利要求5所述的原子层沉积设备,其特征在于,所述活动件(400)的长度沿所述真空环(200)的径向延伸,且所述活动件(400)被配置为能沿其自身的长度延伸方向相对于所述盖本体(310)移动,以驱动所述真空环(200)相对于所述盖本体(310)移动。

7.根据权利要求5所述的原子层沉积设备,其特征在于,所述活动件(400)与所述盖本体(310)螺纹连接。

8.根据权利要求5所述的原子层沉积设备,其特征在于,所述盖本体(310)设置有插接孔;所述原子层沉积设备还包括限位件;所述活动件(400)可活动地插接于所述插接孔,且所述限位件与所述活动件(400)螺纹连接;当所述限位件转动时,能驱动所述活动件(400)在所述插接孔内移动,并推动所述真空环(200)相对于所述盖本体(310)移动。

9.根据权利要求5所述的原子层沉积设备,其特征在于,所述原子层沉积设备包括多个所述活动件(400),多个所述活动件(400)绕所述盖本体(310)的周向间隔分布。

10.根据权利要求5所述的原子层沉积设备,其特征在于,所述盖本体(310)的两端分别设置有第一槽(312)和第二槽(313),所述外延环(320)分布于所述第一槽(312)的外周,所述活动件(400)可活动设置于所述第二槽(313)的槽壁;所述第二槽(313)的深度为37-39mm。

11.根据权利要求1所述的原子层沉积设备,其特征在于,所述真空环(200)的厚度为32-34mm。

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【技术特征摘要】

1.一种原子层沉积设备,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的原子层沉积设备,其特征在于,所述原子层沉积设备还包括上盖(300),所述上盖(300)装配于所述底盖(100),且所述上盖(300)与所述底盖(100)同轴分布;所述真空环(200)位于所述上盖(300)和所述底盖(100)之间。

3.根据权利要求2所述的原子层沉积设备,其特征在于,所述真空环(200)包括相对分布的第一侧壁(210)和第二侧壁(220);所述底盖(100)设置有安装口(120),至少部分的所述上盖(300)插接于所述安装口(120)中;所述环形槽(110)的一侧与所述安装口(120)连通;所述第一侧壁(210)与所述环形槽(110)的槽壁贴合,所述第二侧壁(220)与所述安装口(120)的侧壁对齐。

4.根据权利要求2所述的原子层沉积设备,其特征在于,所述原子层沉积设备还包括活动件(400),所述活动件(400)可活动地连接于所述上盖(300),且能与所述真空环(200)抵持,所述活动件(400)用于使所述真空环(200)相对于所述上盖(300)移动。

5.根据权利要求4所述的原子层沉积设备,其特征在于,所述上盖(300)包括盖本体(310)和外延环(320),所述外延环(320)连接于所述盖本体(310)的外周,且绕所述盖本体(310)的周向分布;所述盖本体(310)装配于所述底盖(100),所述真空环(200)位于所述外延环(320)和所述底盖(100)之间;所述活动件(400)可活动地设...

【专利技术属性】
技术研发人员:潘丽君张恩慈陈庆尧白海健
申请(专利权)人:拓荆创益沈阳半导体设备有限公司
类型:新型
国别省市:

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