一种应用于化学气相沉积的混气装置及其薄膜沉积设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种应用于化学气相沉积的混气装置，其包括具有出气面的混气本体，所述混气本体上设有至少一组混气气路以及清洁气路；所述混气气路包括：主进气气路，连通于所述主进气气路的出口的至少两个分气气路，所述分气气路的出口延伸至所述出气面，所述清洁气路的出口也延伸至所述出气面；所述分气气路上还设有逆止结构。本发明专利技术的应用于化学气相沉积的混气装置其延长了混气气路的长度，以便工艺气具有更长的混合空间，使其混气更均匀，且能够避免清洁气从混气气路倒灌，污染工艺气路。本发明专利技术还公开了一种采用该混气装置的薄膜沉积设备，其工艺气体混合更均匀，薄膜沉积质量更高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜沉积设备，尤其涉及一种应用于化学气相沉积的混气装置及其薄膜沉积设备。

技术介绍

1、随着半导体制程的不断发展，其对于pecvd(等离子体增强化学气相沉积)设备沉积薄膜的颗粒数量、尺寸及稳定性要求日趋严格，而很多颗粒来源于易反应气体直接在管路中混气。同时，为了确保pecvd设备沉积薄膜的均匀性，反应气体混气效果需要加强，如果混气不充分，也会降低沉积薄膜的均匀性，进而导致整体薄膜膜质不满足要求。

2、在常温环境易反应的气源，不能直接在管路中混合，长时间有pa r i sk(颗粒数量超出客户标准要求的风险)，需要在混气装置中混合，比如teos(四乙氧基硅烷)和o3(臭氧)，b2h6(乙硼烷)和nh3(氨气)等，但混气装置中往往混气路径短，混气不充分，造成成膜质量不均匀，且存在ri(折射率)、ec(消光系数)、b％(硼浓度)浓度偏心等问题。现有混气装置的清洁气路气体容易倒灌到工艺气管路，污染工艺气体管路。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种应用于化学气相沉本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种应用于化学气相沉积的混气装置，其特征在于，包括具有出气面的混气本体，所述混气本体上设有至少两组混气气路以及清洁气路；

2.根据权利要求1所述的应用于化学气相沉积的混气装置，其特征在于，所述混气气路环绕于所述清洁气路设置。

3.根据权利要求2所述的应用于化学气相沉积的混气装置，其特征在于，所述逆止结构为特斯拉阀结构。

4.根据权利要求2所述的应用于化学气相沉积的混气装置，其特征在于，所述分气气路的出口沿所述出气面呈环形分布。

5.根据权利要求4所述的应用于化学气相沉积的混气装置，其特征在于，所述出气面上还设有至少两个环形槽以及盖合于所...

【技术特征摘要】

1.一种应用于化学气相沉积的混气装置，其特征在于，包括具有出气面的混气本体，所述混气本体上设有至少两组混气气路以及清洁气路；

2.根据权利要求1所述的应用于化学气相沉积的混气装置，其特征在于，所述混气气路环绕于所述清洁气路设置。

3.根据权利要求2所述的应用于化学气相沉积的混气装置，其特征在于，所述逆止结构为特斯拉阀结构。

4.根据权利要求2所述的应用于化学气相沉积的混气装置，其特征在于，所述分气气路的出口沿所述出气面呈环形分布。

5.根据权利要求4所述的应用于化学气相沉积的混气装置，其特征在于，所述出气面上还设有至少两个环形槽以及盖合于所述环形槽的盖板，所述分气气路的出口延伸至所述环形槽的槽壁，所述盖板上设有若干连通所述环形槽的混气出口。

6.根据权利要求2所述的应用于化学气相沉积的混气装置，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘良，刘婧婧，戚艳丽，宁建平，
申请(专利权)人：拓荆创益沈阳半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：