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本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种静电吸盘及其制备方法，静电吸盘包括电极、第一绝缘层、第二绝缘层、第一薄膜电极和第二薄膜电极，第一绝缘层附着在电极的表面；第一薄膜电极附着于第一绝缘层；第二薄膜电极附着于第一绝缘层，其中，第二薄膜电...
该专利属于拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司授权不得商用。

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