半导体的圆弧面形成方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体的圆弧面形成方法，包括：将半导体以需要形成弧度的一面朝下放置在工作台上；控制金刚石划线机在所述一面的反面做纵向划线操作，以使所述一面形成远离所述半导体的中心方向的纵向弧度；控制金刚石划线机在所述一面的反面做横向划线操作，以使所述一面形成远离所述半导体的中心方向的横向弧度。采用本发明专利技术实施例能够高效地使半导体形成圆弧面。形成圆弧面。形成圆弧面。

【技术实现步骤摘要】
半导体的圆弧面形成方法


[0001]本专利技术涉及微电子
，尤其涉及一种半导体的圆弧面形成方法。

技术介绍

[0002]在微电子行业中，有时候需要半导体本身产生微形变，例如圆弧型，而现在的加工方法通常是用半球型的研磨盘，或是用激光轰击表面，从而制造出圆弧型表面。但是，上述两种方法的效率均比较低下，难以满足大批量加工的需求。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种半导体的圆弧面形成方法，能够高效地使半导体形成圆弧面。
[0004]本专利技术一实施例提供一种半导体的圆弧面形成方法，包括：
[0005]将半导体以需要形成弧度的一面朝下放置在工作台上；
[0006]控制金刚石划线机在所述一面的反面做纵向划线操作，以使所述一面形成远离所述半导体的中心方向的纵向弧度；
[0007]控制金刚石划线机在所述一面的反面做横向划线操作，以使所述一面形成远离所述半导体的中心方向的横向弧度。
[0008]作为上述方案的改进，所述金刚石划线机的刀头直径为1mm。
[0009]作为上述方案的改进，所述金刚石划线机的刀头的倾斜角度为30
‑
45
°
。
[0010]作为上述方案的改进，在做所述纵向划线操作的过程中，划线深度为0.1
‑
0.2mm，划线长度为0.8
‑
1.2mm。
[0011]作为上述方案的改进，在做所述纵向划线操作的过程中，所述金刚石划线机的气动系统的气压为350<br/>‑
450MPa。
[0012]作为上述方案的改进，所述纵向弧度为6
‑
26nm。
[0013]作为上述方案的改进，在做所述横向划线操作的过程中，划线深度为0.05
‑
0.10mm，划线长度为0.3
‑
0.5mm。
[0014]作为上述方案的改进，在做所述横向划线操作的过程中，所述金刚石划线机的气动系统的气压为150
‑
300MPa。
[0015]作为上述方案的改进，所述横向弧度为5.5
‑
6.5nm。
[0016]作为上述方案的改进，所述纵向划线操作和所述横向划线操作的划线中心为所述反面的中心对称点。
[0017]实施本专利技术实施例，具有如下有益效果：
[0018]通过将半导体以需要形成弧度的一面朝下放置在工作台上，再控制金刚石划线机在需要形成弧度的一面的反面分别做纵向划线操作和横向划线操作，能够使得半导体受内应力作用产生形变，从而在需要形成弧度的一面形成远离半导体的中心方向的纵向弧度和横向弧度。
附图说明
[0019]图1是本专利技术一实施例提供的一种半导体的圆弧面形成方法的流程示意图。
具体实施方式
[0020]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0021]在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0022]术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
[0023]请参阅图1所示，其是本专利技术提供的实施例中的一种半导体的圆弧面形成方法的流程图，所述的半导体的圆弧面形成方法包括以下步骤：
[0024]S11、将半导体以需要形成弧度的一面朝下放置在工作台上；
[0025]S12、控制金刚石划线机在所述一面的反面做纵向划线操作，以使所述一面形成远离所述半导体的中心方向的纵向弧度；
[0026]S13、控制金刚石划线机在所述一面的反面做横向划线操作，以使所述一面形成远离所述半导体的中心方向的横向弧度。
[0027]可以理解的，在本实施例中，需要形成弧度的一面一般是半导体的正面。当然需要形成弧度的一面也可以是半导体的背面，其可以根据实际需求进行设置，在此不做限定。
[0028]需要说明的是，由于半导体的自身结构影响，在半导体的一面划线后，半导体会受内应力作用，从而使得另一面形成圆弧形变。划线长度和深度能够影响需要形成弧度的一面的弧度。示例性地，当金刚石划线机的划线深度越大，需要形成弧度的一面对应形成的弧度越大，金刚石划线机的划线深度越小，需要形成弧度的一面对应形成的弧度越小。因此，在具体实施时，可以是根据半导体的表面弧形要求控制划线长度和深度。
[0029]在本实施例中，通过将半导体以需要形成弧度的一面朝下放置在工作台上，再控制金刚石划线机在需要形成弧度的一面的反面分别做纵向划线操作和横向划线操作，能够使得半导体受内应力作用产生形变，从而在需要形成弧度的一面形成远离半导体的中心方向的纵向弧度和横向弧度。
[0030]作为其中一个可选的实施例，为了提高圆弧加工的准确度，所述金刚石划线机的刀头直径为1mm。
[0031]作为其中一个可选的实施例，为了提高划线的顺畅性，所述金刚石划线机的刀头的倾斜角度为30
‑
45
°
。
[0032]在本实施例中，所述倾斜角度可以为30度、33.75度、37.5度、41.25度、45度。当然，
所述倾斜角度不限于上述列举的具体数值，其可以根据实际需求进行设置，在此不做更多的赘述。
[0033]作为其中一个可选的实施例，为了满足半导体的一般表面弧形要求，在做所述纵向划线操作的过程中，划线深度为0.1
‑
0.2mm，划线长度为0.8
‑
1.2mm。
[0034]在本实施例中，所述划线深度可以为0.1mm、0.125mm、0.15mm、0.175mm、0.2mm；所述划线长度可以为0.8mm、0.9mm、1.0mm、1.1mm、1.2mm。当然，所述划线深度和所述划线长度不限于上述列举的具体数值，其可以根据实际需求进行设置，在此不做更多的赘述。
[0035]示例性地，所述金刚石划线机具有气动系统。进一步地，为了提高划线的效率，在做所述纵向划线操作的过程中，所述金刚石划线机的气动系统的气压为350
‑
450MPa。
[0036]在本实施例中，所述气压可以为350MPa、375MPa、400MPa、425MPa本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体的圆弧面形成方法，其特征在于，包括：将半导体以需要形成弧度的一面朝下放置在工作台上；控制金刚石划线机在所述一面的反面做纵向划线操作，以使所述一面形成远离所述半导体的中心方向的纵向弧度；控制所述金刚石划线机在所述一面的反面做横向划线操作，以使所述一面形成远离所述半导体的中心方向的横向弧度。2.如权利要求1所述的半导体的圆弧面形成方法，其特征在于，所述金刚石划线机的刀头直径为1mm。3.如权利要求1所述的半导体的圆弧面形成方法，其特征在于，所述金刚石划线机的刀头的倾斜角度为30
‑
45
°
。4.如权利要求1所述的半导体的圆弧面形成方法，其特征在于，在做所述纵向划线操作的过程中，划线深度为0.1
‑
0.2mm，划线长度为0.8
‑
1.2mm。5.如权利要求4所述的半导体的圆弧面形成方法，其特征在于，在做所述纵向划线操作的过...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄海冰，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：