贴合晶片的加工方法技术

本发明专利技术提供贴合晶片的加工方法，在以通过对支承晶片的背面进行吸引而保持着贴合晶片的状态对晶片进行了切削之后以同样的状态对晶片的背面侧进行磨削时，能够防止在该晶片的背面上形成凹痕且/或使该晶片破损。在以通过对支承晶片的背面进行吸引而保持着贴合晶片的状态对晶片进行切削的切削步骤与以同样的状态对晶片的背面侧进行磨削的磨削步骤之间，进行对支承晶片的背面进行清洗的清洗步骤。由此，能够在磨削步骤之前的清洗步骤中将附着于支承晶片的背面的切削屑冲掉。其结果是，能够防止在磨削步骤中在晶片的背面上形成凹痕且/或使晶片破损。或使晶片破损。或使晶片破损。

【技术实现步骤摘要】
贴合晶片的加工方法


[0001]本专利技术涉及贴合晶片的加工方法，该贴合晶片包含：晶片，其在正面侧形成有多个器件且在外周缘具有倒角部；以及支承晶片，其具有与该晶片的该正面贴合的正面。

技术介绍

[0002]IC(Integrated Circuit，集成电路)等器件的芯片是在移动电话和个人计算机等各种电子设备中不可欠缺的构成要素。这样的芯片例如在将在正面侧形成有多个器件的晶片磨削至期望的厚度之后沿着多个器件的边界按照贯通晶片的方式进行切削而制造。
[0003]晶片容易在外周缘产生裂纹。因此，在芯片的制造工序中，大多在各种工序之前将晶片的外周缘倒角即在晶片的外周缘形成倒角部。不过，当对在外周缘具有倒角部的晶片的背面侧进行磨削时，外周缘的背面侧成为刀刃那样的形状。
[0004]并且，在该部分，应力集中而容易产生裂纹。因此，在芯片的制造工序中，有时在按照将形成于晶片的外周缘的倒角部的正面侧的一部分去除的方式对晶片进行了切削之后，按照将该倒角部的余部去除的方式对晶片的背面侧进行磨削(例如参照专利文献1)。
[0005]专利文献1：日本特开2000
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173961号公报
[0006]在芯片的制造工序中，有时在使用粘接剂将晶片贴合于其他晶片而形成贴合晶片之后，将该贴合晶片分割而制造芯片。例如为了实现制造出的芯片的小型化等，有时将分别在正面侧形成有多个器件的多个晶片(以下也称为“器件晶片”)使用粘接剂而贴合于支承晶片。
[0007]具体而言，首先将支承晶片的正面与器件晶片的正面借助粘接剂贴合而形成贴合晶片。接着，在通过对支承晶片的背面进行吸引而保持着贴合晶片的状态下，按照将形成于器件晶片的外周缘的倒角部和附着于倒角部的粘接剂去除的方式对器件晶片进行切削。接着，对器件晶片的背面侧进行磨削。
[0008]接着，将磨削后的器件晶片的背面与其他器件晶片的正面借助粘接剂贴合而形成包含层叠的两张器件晶片的贴合晶片。接着，在通过对支承晶片的背面进行吸引而保持着贴合晶片的状态下，按照将形成于该其他器件晶片的外周缘的倒角部和附着于倒角部的粘接剂去除的方式对该其他器件晶片进行切削。接着，对该其他器件晶片的背面侧进行磨削。
[0009]以下，根据需要重复同样的处理，由此能够形成包含层叠的三张以上的器件晶片的贴合晶片。在这样形成贴合晶片的情况下，在将附着于形成在器件晶片的外周缘的倒角部的粘接剂去除之后，对器件晶片的背面侧进行磨削。由此，能够防止粘接剂伴随该磨削被拉出而使贴合晶片破损。
[0010]不过，当在通过对支承晶片的背面进行吸引而保持着贴合晶片的状态下对器件晶片进行切削时，有时因该切削而产生的切削屑被吸到支承晶片的背面侧而附着于支承晶片的背面。并且，当在支承晶片的背面上附着有切削屑的状态下对器件晶片的背面侧进行磨削时，有可能在器件晶片的背面上形成凹痕且/或使器件晶片破损。

技术实现思路

[0011]鉴于该点，本专利技术的目的在于提供贴合晶片的加工方法，在以通过对支承晶片的背面进行吸引而保持着贴合晶片的状态对器件晶片进行了切削之后，在以同样的状态对器件晶片的背面侧进行磨削时，能够防止在器件晶片的背面上形成凹痕且/或使器件晶片破损。
[0012]根据本专利技术，提供贴合晶片的加工方法，该贴合晶片包含：晶片，其在正面侧形成有多个器件且在外周缘具有倒角部；以及支承晶片，其具有与该晶片的该正面贴合的正面，其中，该贴合晶片的加工方法具有如下的步骤：切削步骤，在通过对该支承晶片的背面进行吸引而保持着该贴合晶片的状态下按照将该晶片的该倒角部去除的方式对该晶片进行切削；清洗步骤，在该切削步骤之后，对该支承晶片的该背面进行清洗；以及磨削步骤，在该清洗步骤之后，在通过对该支承晶片的该背面进行吸引而保持着该贴合晶片的状态下对该晶片的背面侧进行磨削。
[0013]本专利技术具有如下的清洗步骤：在以通过对支承晶片的背面进行吸引而保持着贴合晶片的状态对晶片进行切削的切削步骤与以同样的状态对晶片的背面侧进行磨削的磨削步骤之间，对支承晶片的背面进行清洗。
[0014]因此，在该本专利技术中，能够在磨削步骤之前的清洗步骤中将附着于支承晶片的背面的切削屑冲掉。其结果是，在本专利技术中，能够防止在磨削步骤中在器件晶片的背面上形成凹痕且/或使器件晶片破损。
附图说明
[0015]图1的(A)是示意性示出晶片的一例的俯视图，图1的(B)是示意性示出晶片的一例的剖视图。
[0016]图2是示意性示出贴合晶片的加工方法的一例的流程图。
[0017]图3的(A)是示意性示出贴合晶片的一例的剖视图，图3的(B)是示意性示出切削步骤的情况的局部剖视侧视图。
[0018]图4的(A)是示意性示出晶片清洗步骤的情况的局部剖视侧视图，图4的(B)是示意性示出支承晶片清洗步骤的情况的局部剖视侧视图。
[0019]图5的(A)是示意性示出磨削步骤的情况的局部剖视侧视图，图5的(B)是示意性示出磨削步骤完成后的贴合晶片的剖视图。
[0020]图6是示意性示出贴合晶片的加工方法的其他例的流程图。
[0021]图7的(A)是示意性示出贴合晶片的其他例的剖视图，图7的(B)是示意性示出第2磨削步骤完成后的贴合晶片的剖视图。
[0022]标号说明
[0023]2：切削装置；4：θ台；6：卡盘工作台(6a：框体)；8：切削单元；10：主轴；11：晶片(11a：正面、11b：侧面、11c：背面)；12：切削刀具；13：器件；14：清洗装置；15：支承晶片(15a：正面、15b：背面)；16：主轴；17：贴合晶片；18：卡盘工作台(18a：框体)；19：粘接剂；20：喷嘴单元(20a：臂部、20b：喷嘴)；21：第2晶片(21a：正面、21b：背面)；22：磨削装置；23：贴合晶片；24：卡盘工作台(24a：框体、24b：多孔板)；25：粘接剂；26：主轴；28：轴承；30：支承板；32：工作台基座；34：倾斜调整单元(34a：固定支承机构、34b：第1可动支承机构、34c：第2可动支
承机构)；36：支柱；38：上部支承体；40：轴承；42：支承板；44：电动机；46：磨削单元；48：主轴；50：磨轮安装座；52：磨削磨轮；54：磨轮基台；56：磨削磨具。
具体实施方式
[0024]参照附图，对本专利技术的实施方式进行说明。图1的(A)是示意性示出晶片的一例的俯视图，图1的(B)是示意性示出晶片的一例的剖视图。图1的(A)和图1的(B)所示的晶片11例如由硅(Si)形成。
[0025]在该晶片11的正面11a侧形成有多个器件13。多个器件13分别包含例如用于构成IC、半导体存储器或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)图像传感器的元件。另外，多个器件13的边界例如呈格子状延伸。
[0026]另外，可以在晶片11上形成设置硅贯通电极(TSV(Through
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种贴合晶片的加工方法，该贴合晶片包含：晶片，其在正面侧形成有多个器件且在外周缘具有倒角部；以及支承晶片，其具有与该晶片的该正面贴合的正面，其中，该贴合晶片的加工方法具有如下的步骤：切削步骤，在通过对该支承晶片的背面进行吸引而保持着该贴合晶片...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤村圣，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：