半导体结构的清洗方法技术

本公开提供了一种半导体结构的清洗方法，包括：对半导体结构的表面进行亲水化处理，形成亲水层，形成覆盖亲水层的膜液层，对膜液层进行固化处理，形成与膜液层的体积不同的固化层，去除固化层。本公开通过在半导体结构的表面形成膜液层，并对膜液层进行固化处理，使得膜液层转变为与其体积不同的固化层，固化层体积膨胀或者体积收缩的过程中可以拔除半导体结构表面的颗粒物和微尘，使得颗粒物在去除固化层时一并去除，以得到具有洁净表面的半导体结构，提升半导体结构在后续制程工艺中的良率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的清洗方法


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构的清洗方法。

技术介绍

[0002]制造芯片的半导体制作工艺包括许多步骤，例如形成薄膜的沉积制作工艺、对薄膜进行图案化的刻蚀制作工艺、分离晶圆的切割工艺、平坦化工艺等。一些制作工艺得到的半导体结构的表面容易粘附微尘和颗粒物，需要对其进行清洗和去除，以确保半导体结构在后续制程工艺中的良率。
[0003]现有技术中，通常采用去离子水清洗、水气二流体清洗、SC1清洗液清洗等清洗方式对半导体结构的表面进行清洗，然而这些方法仍然无法有效去除颗粒物和微尘。

技术实现思路

[0004]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0005]本公开提供了一种半导体结构的清洗方法，所述半导体器件的清洗方法包括：
[0006]对所述半导体结构的表面进行亲水化处理，形成亲水层；
[0007]形成覆盖所述亲水层的膜液层；
[0008]对所述膜液层进行固化处理，形成固化层，所述固化层的体积与所述膜液层的体积不同；
[0009]去除所述固化层。
[0010]根据本公开的一些实施例，对所述半导体结构的表面进行亲水化处理，形成亲水层，包括：
[0011]采用NH3、O2、CO、Ar、N2、H2中的一种气体对所述半导体结构的表面进行等离子处理，形成所述亲水层；
[0012]或者，
[0013]采用亲水化处理液对所述半导体结构的表面进行处理，形成所述亲水层。
[0014]根据本公开的一些实施例，所述亲水化处理液包括臭氧溶液、过氧化氢溶液或氨水。
[0015]根据本公开的一些实施例，形成覆盖所述亲水层的膜液层，包括：
[0016]将所述半导体结构放置于调温卡盘上；
[0017]在所述亲水层的表面涂布成膜液，所述成膜液覆盖所述亲水层，形成所述膜液层。
[0018]根据本公开的一些实施例，所述成膜液包括去离子水和/或丙烯酸树脂。
[0019]根据本公开的一些实施例，所述成膜液包括去离子水，所述对所述膜液层进行固化处理，形成固化层，包括：
[0020]调节所述调温卡盘的温度为第一预设温度，使所述膜液层在所述固化过程中体积膨胀，形成所述固化层。
[0021]根据本公开的一些实施例，所述固化层的体积与所述膜液层的体积的比值为1.05～1.15。
[0022]根据本公开的一些实施例，所述成膜液包括丙烯酸树脂，所述对所述膜液层进行固化处理，形成固化层，包括：
[0023]调节所述调温卡盘的温度为第二预设温度，使所述膜液层在所述固化过程中体积收缩，形成所述固化层，其中，所述第二预设温度大于第一预设温度。
[0024]根据本公开的一些实施例，所述成膜液中，所述丙烯酸树脂的体积比为60
‑
70％。
[0025]根据本公开的一些实施例，去除所述固化层，包括：
[0026]采用第三预设温度的所述去离子水溶解所述固化层。
[0027]本公开提供的半导体结构的清洗方法中，通过在半导体结构的表面形成膜液层，并对膜液层进行固化处理，使得膜液层转变为与其体积不同的固化层，固化层体积膨胀或者体积收缩的过程中可以拔除半导体结构表面的颗粒物和微尘，使得颗粒物在去除固化层时一并去除，以得到具有洁净表面的半导体结构，提升半导体结构在后续制程工艺中的良率。
[0028]在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
[0029]并入到说明书中并且构成说明书的一部分的附图示出了本公开的实施例，并且与描述一起用于解释本公开实施例的原理。在这些附图中，类似的附图标记用于表示类似的要素。下面描述中的附图是本公开的一些实施例，而不是全部实施例。对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，可以根据这些附图获得其他的附图。
[0030]图1是根据一示例性实施例示出的半导体结构的清洗方法的流程图。
[0031]图2是根据一示例性实施例示出的半导体结构的清洗过程中形成亲水层的示意图。
[0032]图3是根据一示例性实施例示出的半导体结构的清洗过程中形成膜液层的示意图。
[0033]图4是根据一示例性实施例示出的半导体结构的清洗过程中形成固化层的示意图。
[0034]图5是根据一示例性实施例示出的半导体结构的清洗过程中去除固化层的示意图。
[0035]图6是根据一示例性实施例示出的半导体结构放置于调温卡盘的示意图。
[0036]附图标记说明：
[0037]10、半导体结构；20、亲水层；30、膜液层；40、固化层；50、颗粒物；60、调温卡盘。
具体实施方式
[0038]为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。需要说明
的是，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
[0039]制造芯片的半导体制作工艺包括许多步骤，例如形成薄膜的沉积制作工艺、对薄膜进行图案化的刻蚀制作工艺、分离晶圆的切割工艺、平坦化工艺等。一些制作工艺得到的半导体结构的表面容易粘附微尘和颗粒物，需要对其进行清洗和去除，以确保半导体结构在后续制程工艺中的良率。
[0040]现有技术中，通常采用去离子水清洗、水气二流体清洗、SC1清洗液清洗等清洗方式对半导体结构的表面进行清洗，然而这些方法仍然无法有效去除颗粒物和微尘。
[0041]有鉴于此，本公开提供了一种半导体结构的清洗方法，包括：对半导体结构的表面进行亲水化处理，形成亲水层，形成覆盖亲水层的膜液层，对膜液层进行固化处理，形成与膜液层的体积不同的固化层，去除固化层。本公开通过在半导体结构的表面形成膜液层，并对膜液层进行固化处理，使得膜液层转变为与其体积不同的固化层，固化层体积膨胀或者体积收缩的过程中可以拔除半导体结构表面的颗粒物和微尘，使得颗粒物在去除固化层时一并去除，以得到具有洁净表面的半导体结构，提升半导体结构在后续制程工艺中的良率。
[0042]下面结合附图及具体实施例对本公开进行说明。本公开示例性的实施例提供了一种半导体结构的清洗方法，如图1所示，图1是根据一示例性实施例示出的半导体结构的清洗方法的流程图，该方法包括如下步骤：
[0043]步骤S100、对半导体结构的表面进行亲水化处理，形成亲水层；
[0044]步骤S200、形成覆盖亲水层的膜液层；
[0045]步骤S300、对膜液层进行固化处理，形成固化层，固化层的体积与膜液层的体积不同；
[0046]步骤S400、去除固化层。
[0047]本实施例中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的清洗方法，其特征在于，所述半导体器件的清洗方法包括：对所述半导体结构的表面进行亲水化处理，形成亲水层；形成覆盖所述亲水层的膜液层；对所述膜液层进行固化处理，形成固化层，所述固化层的体积与所述膜液层的体积不同；去除所述固化层。2.根据权利要求1所述的半导体结构的清洗方法，其特征在于，对所述半导体结构的表面进行亲水化处理，形成亲水层，包括：采用NH3、O2、CO、Ar、N2、H2中的一种气体对所述半导体结构的表面进行等离子处理，形成所述亲水层；或者，采用亲水化处理液对所述半导体结构的表面进行处理，形成所述亲水层。3.根据权利要求2所述的半导体结构的清洗方法，其特征在于，所述亲水化处理液包括臭氧溶液、过氧化氢溶液或氨水。4.根据权利要求1所述的半导体结构的清洗方法，其特征在于，形成覆盖所述亲水层的膜液层，包括：将所述半导体结构放置于调温卡盘上；在所述亲水层的表面涂布成膜液，所述成膜液覆盖所述亲水层，形成所述膜液层。5.根据权利要求4所述的半导体结构的清洗方法，其特征在于，所述成膜液包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：张志伟，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：