【技术实现步骤摘要】
本专利技术是一种能解决快速、准确加工。
技术介绍
制造高亮度发光管和大功率激光器，多使用水平掺硅砷化镓低位错衬 底外延片，晶向为(100)向(111) A偏15° 。用正(lll)籽晶生长单晶， 切出符合要求的晶片，单晶厚度需要增加，而厚度的增加对单晶生长不利。 若改变单晶生长方向，即籽晶(111)偏角，就可以解决此问题。因为偏角 越大，所需单晶厚度越小，越有利于单晶生长，故多采用大偏角籽晶生长 单体，但籽晶(111)偏角如大于13° ，则难以测定、测准，目前尚未发 现有关籽晶大偏角的精准加工方法。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种能解决快速、准确加工大偏角籽晶的方法。 本专利技术的技术解决方案是以如下方式完成的，是， 首先选取比较完整、电学参数好的水平砷化镓单晶锭，在单晶锭的头部先 确定出(111)晶面，在晶面上根据晶向要求确定偏角值，然后用(331) 衍射角衍射，根据所需长度切割出单晶块，再用环氧树脂把截取的单晶段晶头朝上粘接在底部粘固有金属块的石墨板上，粘贴后切片定向(211)晶 面的偏差角度，用(311)衍射角衍射，根据所需高度切割，然后将单晶块 旋转90° ，定准(110)晶面的偏差角为零度时切割出所需宽度，然后进 行清洗即可。本专利技术不仅能解决了大偏角籽晶加工的难题，而且具有简单、准确、 快捷的优点。具体实施例方式本专利技术的方法是首先选取比较完整、电学参数好的水平砷化镓单晶锭，最好选取位错密度《1000个/cmS的单晶锭，然后在单晶锭的头部先确定出 (111)晶面，在晶面上根据晶向确定偏角值，再用(331)晶面衍射角衍3射，根据所...
【技术保护点】
大偏角籽晶的加工方法，其特征在于：首先选取比较完整、电学参数好的水平砷化镓单晶锭，在单晶锭的头部先确定出（１１１）晶面，在晶面上根据晶向要求确定偏角值，然后用（３３１）衍射角衍射，根据所需长度切割出单晶块，再用环氧树脂把截取的单晶段晶头朝上粘接在底部粘固有金属块的石墨板上，粘贴后切片定向（２１１）晶面的偏差角度，用（３１１）衍射角衍射，根据所需高度切割，然后将单晶块旋转９０°，定准（１１０）晶面的偏差角为零度时切割出所需宽度，然后进行清洗即可。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李百泉，陈坚邦，李闯，
申请(专利权)人：新乡市神舟晶体科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：41[中国|河南]
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