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本发明公开了一种大偏角籽晶的加工方法，本发明首先选取比较完整、电学参数好的水平砷化镓单晶锭，在单晶锭的头部先确定出（１１１）晶面，在晶面上根据晶向要求确定偏角值，然后用（３３１）衍射角衍射，根据所需长度切割出单晶块，再用环氧树脂把截取的单晶...
该专利属于新乡市神舟晶体科技发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新乡市神舟晶体科技发展有限公司授权不得商用。

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