一种侧面倾斜的发光二极管芯片及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种侧面倾斜的发光二极管芯片及其制备方法，该芯片外延层的侧面具有一定的倾斜角度，能提高发光二极管芯片的出光效率；制备方法是首先在衬底上生长外延层，其中外延层包括缓冲层、Ｎ型层、多量子阱层和Ｐ型层；刻蚀出Ｎ型层区域，在Ｐ型区域镀上透明导电层，并在Ｎ、Ｐ区域分别蒸镀金属电极，在整个芯片上制备钝化层；通过钝化层的保护，对外延进行刻蚀，控制向两侧刻蚀的速度，形成一定角度倾斜的刻蚀侧面；对芯片进行减薄、划片、裂片、测试和分选。本发明专利技术工艺简单，成本较低；同时，本发明专利技术中对外延层的处理有助于减少芯片内的应力，减少芯片在加工过程中的弯曲变形，有利于改善减薄、划片和裂片效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种特殊外形结构的发光二极管芯片，具体的说涉及到一种侧面 倾斜的发光二极管芯片及其制备方法。
技术介绍
发光二极管是一种能高效率的将电能转化为光能的发光器件，是目前最有前 景的新一代光源。发光二极管一般利用通过直接带隙半导体的本征跃迁发光，具 有很高的光电转换效率，即很高的内量子效应。但是这些半导体的折射率一般为 2~3.5。相对与空气的折射率近似为1，光线从这些半导体中射向空气的时候只有 很小的出光范围，其它角度的出光都被全反射回来，见附图一。光在半导体中传 播会损耗一些能量，能量最终转换为热量。传统发光二极管的外形结构为上表面 和底面与发光功能层平行，侧面与发光功能层垂直，见附图二。在这样的外形结 构下，光在器件内会经过多次的全反射而不能折射到外界，最后消耗完能量。这 样发光二极管的出光效率很低。出光效率低，则存在大量不能射出的光，其能量 在器件内损耗，损耗的能量转化为热，大量的热量在发光二极管芯片中积累会使 芯片的温度升高，降低内量子效应，在芯片中产生热应力，加速芯片及封装结构 老化等等问题。在利用倾斜侧面提高出光效率的技术中，最著名的是CREE公 司在红黄光L本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种侧面倾斜的发光二极管芯片，包括衬底及层叠于衬底之上的外延层，该外延层依次包含缓冲层、Ｎ型层、多量子阱层和Ｐ型层，Ｐ型层上镀有透明导电层，Ｐ型层上设置有Ｐ电极，Ｎ型层上设置有Ｎ电极；芯片表面除Ｐ、Ｎ电极以外的表面生长有钝化层；其特征在于：其外延层的侧面为倾斜面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张建宝，罗红波，
申请(专利权)人：武汉华灿光电有限公司，
类型：发明
国别省市：83[中国|武汉]