温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种侧面倾斜的发光二极管芯片及其制备方法，该芯片外延层的侧面具有一定的倾斜角度，能提高发光二极管芯片的出光效率；制备方法是首先在衬底上生长外延层，其中外延层包括缓冲层、Ｎ型层、多量子阱层和Ｐ型层；刻蚀出Ｎ型层区域，在Ｐ型区域镀上...
该专利属于武汉华灿光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉华灿光电有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。