本发明公开一种降低ＩＩＩ族氮化物发光二极管光衰的方法，该ＩＩＩ族氮化物发光二极管外延结构从下向上的顺序依次为衬底、低温缓冲层、本征氮化镓层、Ｎ型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层、Ｐ型氮化镓层、Ｐ型接触层，在ＩＩＩ族氮化物发光二极管外延结...

本发明涉及一种可增加光抽取效率的基于ＺｎＯ纳米球的ＧａＮ基发光二极管表面粗化方法，该方法包括：在衬底上生长Ｎ型ＧａＮ材料、量子阱、Ｐ型ＧａＮ材料；在Ｐ型材料上沉积一层用来欧姆接触的Ｐ型透明电极；用熔胶凝胶法在透明电极上制备一层ＺｎＯ纳米...

本发明涉及了一种垂直结构发光二极管芯片结构及其制造方法，本发明垂直结构发光二极管芯片是通过在Ｐ－ＧＡＮ的欧姆接触层上邦定金属支撑层，机械研磨晶圆背面蓝宝石衬底，在蓝宝石上激光划槽并通过磷酸＋硫酸溶液腐蚀划道，露出Ｎ－ＧＡＮ层，淀积Ｎ电极...

本发明公开一种全湿刻蚀后去胶的方法，属于ＬＥＤ制程工艺中ＧａＮ刻蚀后去胶，包括溶液配制和使用方法。采用碱性溶液，添加适量的双氧水，放入晶片，浸泡一段时间后，取出冲水后甩干，其晶片表面的光刻胶即被去除干净。本发明适合任何不与碱性溶液发生反...

本发明公开一种带滤光膜的发光二极管，氮化镓基发光二极管以正常流程加工出Ｐ、Ｎ电极，在发光二极管Ｐ、Ｎ电极区域外，使用电子束蒸镀或离子束溅射镀膜系统生长波通滤光膜层，这层滤光膜对紫外光等短波长光有截止作用，对长波长光有高透射率。由于短波长...

本发明公开一种抗静电发光二极管器件结构及其制造方法，在蓝宝石衬底依次生长缓冲层、Ｎ型氮化镓层、发光层多量子肼结构ＭＱＷ、Ｐ型氮化镓层，蚀刻发光二极管与保护二极管之间的外延层到衬底，制作发光二极管的Ｐ、Ｎ电极，并分别与保护二极管的Ｎ、Ｐ电...

本发明公开一种高效抗静电氮化镓基发光器件及其制造方法，在蓝宝石衬底依次生长缓冲层、Ｎ型氮化镓层、发光层多量子肼结构ＭＱＷ、Ｐ型氮化镓层；蚀刻发光二极管与保护二极管之间的外延层到衬底，保护二极管是由两个二极管串联而成，这两个保护二极管串联...

本发明提供了一种侧面倾斜的发光二极管芯片及其制备方法，该芯片外延层的侧面具有一定的倾斜角度，能提高发光二极管芯片的出光效率；制备方法是首先在衬底上生长外延层，其中外延层包括缓冲层、Ｎ型层、多量子阱层和Ｐ型层；刻蚀出Ｎ型层区域，在Ｐ型区域...

本发明公开了一种氮化镓基ＬＥＤ的量子阱结构及生长方法，其主要在形成多量子阱结构时，数目上形成Ｘ＋Ｙ（１≤Ｘ≤１０，１≤Ｙ≤２０）的生长方式，即先生长Ｘ个量子阱，再生长Ｙ个量子阱。其中前Ｘ个量子阱的势阱层厚度比后Ｙ个量子阱的势阱层厚度小。...

本发明公开了一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法，该发光二极管外延片结构从下向上的顺序依次为衬底，低温缓冲层，未掺杂的氮化镓高温缓冲层，氮化铝镓／氮化镓超晶格结构，未掺杂的氮化镓高温缓冲层、Ｎ型接触层、Ｎ型氮化镓导电层、发光层多量...

本发明涉及了一种带热沉的ＬＥＤ芯片及其制造方法，通过在蓝宝石衬底的背面蒸镀铝或银作为反光层，并淀积多层金属，与表面带有钎焊层的热沉，在有超声、压力、加温的情况下进行共晶邦定，这样ＬＥＤ芯片背面邦定一个自身面积至少三倍的热沉，从而增大了导...

本发明公开了一种提高发光二极管外量子效率的方法，发光二极管外延片结构中Ｐ型层的生长方式采用了一种新颖的粗化方法：提高Ｐ型层Ｍｇ的掺杂浓度，从而达到外延片表面粗糙化的效果。粗化层可以是Ｐ型复合层中任意一层，或多层，或某一层某一个区域。本发...

一种倒装焊发光二极管芯片的制造方法，其特征在于包括以下步骤：①首先，根据ＬＥＤ芯片工艺制作好ＬＥＤ芯片Ｂ，在芯片Ｂ的嵌合面蒸镀有良好的金属反光层，既可以让电流更为均匀，又可以让光从ＬＥＤ芯片的背面射出；②根据芯片Ｂ，制造大小合适的芯片Ａ...

一种增加内量子效率的半导体发光二极管的量子阱结构，其特征在于：将原位电子俘获发射层３或原位空穴俘获发射层４通过具有高隧穿几率的隧穿势垒层５与量子阱层２连接，层１，３或４，５和２组成一个周期，进行重复，周期数可选择从１至１０，最上和最下层...

本发明涉及了一种倒装焊发光二极管硅基板及其制造方法，通过Ｎ型硅基板（１９）背面金属层（２０）导电，使用第一绝缘层（１４）和第二绝缘层（２１），实现围墙下金属层（８）和凸点下金属层（１８）的分步电镀，解决Ｎ型硅基板围墙和凸点的制造问题，在...

本发明是一种在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓薄膜的方法。本发明方法特征是：氮化镓生长转入初次二维生长一段时间后，采用低Ｖ／Ⅲ比生长来改变生长模式，氮化镓外延层的生长过程包括低温缓冲层生长、重结晶、初次三维生长、初次二维生长、三维生长、二维...

本发明提出一种低热阻发光二极管芯片的结构及其制作方法，包括完成电极制作的含ｐ、ｎ电极，半导体外延层和蓝宝石衬底的ＬＥＤ发光芯片，沉积在减薄后的蓝宝石衬底的底面的金属反光层，其特征在于，所述芯片进一步包括：（ａ）低热阻散热基片，其尺寸比Ｌ...

一种具有光子晶体侧向光提取器的发光二极管芯片，包括衬底（１００）、ｎ极区域（１０１）、活性层（１０２）和ｐ极区域（１０３），在ｎ极区域（１０１）上设有Ｎ电极（１０６），在ｐ极区域（１０３）上设有Ｐ电极（１０７）和电流扩散层（１０８），在...

一种倒装焊芯片，它由Ａ、Ｂ两个芯片结合在一起的，Ａ芯片的多个电极与Ｂ芯片的对应电极对接，其特征是：在其中一个芯片上有凸起的“围墙”，该“围墙”的形状和大小与另一芯片的用于嵌入的边界相等。可以克服传统倒装焊芯片对接难的问题，具有结构简单，...

一种在蓝宝石衬底材料上外延生长Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ单晶薄膜的方法，０≤ｘ≤１，在蓝宝石衬底材料与Ａｌ↓［ｘ］Ｇａ↓［１－ｘ］Ｎ单晶薄膜之间有着缓冲层，其特征在于：所述的缓冲层为两层，首先在衬底材料上生长一层厚度为２ｎｍ至８ｎｍ...