高效抗静电氮化镓基发光器件及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种高效抗静电氮化镓基发光器件及其制造方法，在蓝宝石衬底依次生长缓冲层、Ｎ型氮化镓层、发光层多量子肼结构ＭＱＷ、Ｐ型氮化镓层；蚀刻发光二极管与保护二极管之间的外延层到衬底，保护二极管是由两个二极管串联而成，这两个保护二极管串联可以是两个Ｎ极相连，也可以是两个Ｐ极相连；两个保护二极管串联后的另两端分别再与发光二极管的Ｐ、Ｎ电极分别连接。这样在不改变现有氮化镓基外延结构的基础上，在一个发光二极管器件中集成了：两个保护二极管和一个发光二极管，两个保护二极管串联后再与发光二极管并联，提高了产品抗静电能力、减少了后续产品封装中并联保护二极管，减少工序，降低产品成本，减少了单个保护二极管的功耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种氮化镓(GaN)基发光二极管器件的结构及其制作流程，尤其是在 不改变现有发光器件外延结构的情况下，通过在发光器件内同时集成发光二极管、两个串 联的保护二极管形成一个发光器件，来提高发光二极管的抗静电性能。
技术介绍
发光二极管(LED)具有高效、节能、绿色环保等优点，在交通指示、户内外全彩色 显示、液晶电视背光源等方面有着广泛的应用，尤其是利用大功率LED可能实现半导体固 态照明，其有望成为新一代光源进入千家万户，引起人类照明史上的革命，其中蓝宝石衬底 氮化镓外延的蓝光LED芯片上涂敷黄光荧光粉，蓝光激发黄光荧光粉发出黄光，蓝光与黄 光混合得到白光，从而用蓝光LED就能得到白光。氮化镓衬底材料目前常见有二种，即蓝宝 石和碳化硅，碳化硅机械加工性能差，价格昂贵以及专利方面的问题使其应用得到限制，因 此当前用于氮化镓外延生长的衬底主要是蓝宝石，氮化镓外延层与蓝宝石的晶格失配度相 当大，所以在蓝宝石上生长氮化镓容易造成大量的缺陷，而这些缺陷大大降低发光器件抗 静电能力；另一方面由于蓝宝石衬底不导电，发光二极管上的静电不能得到有效释放，因此 蓝宝石衬底的氮化镓基发光二极管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高效抗静电氮化镓基发光器件，其特征在于：在蓝宝石衬底上依次生长缓冲层、Ｎ型氮化镓层、发光层多量子肼结构ＭＱＷ、Ｐ型氮化镓层，将发光器件外延层蚀刻成两或三个外延隔离区域，一部分外延层隔离区域上制作发光二极管，另一到两个外延层隔离区域上制作两个保护二极管。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑如定，周武，刘榕，张建宝，
申请(专利权)人：武汉华灿光电有限公司，
类型：发明
国别省市：83[中国|武汉]