【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光装置，尤其涉及-一种交流电发光装置及其制法。
技术介绍
随着光电科技的不断发展，属于发光源之一的发光二极管(Light Emitting Diode, LED)已大量应用于各种领域，并于光电产业中占有举 足轻重的地位。传统LED芯片(chip)均是以直流电源驱动，在以交 流电为主的一般生活环境中使用时必须外加交流转直流的控制电路以 及降压元件方可正常操作，如此不仅增加制造成本，操作效率亦随之 降低，因此开发交流电直接操作的LED芯片确有其必要。自2005年 以来，美、日、韩、中等国陆续有厂商发表以交流电直接操作的LED (AC LED)芯片，足见ACLED已被视为极具潜力的新型元件。在美国专利第US 6,547,249号案与第US 6,957,899号案以及台湾 专利申请第093126201号案中，均提出于单一芯片中连接多颗微小化 发光二极管管芯以使该芯片可达到高压交流电环境下直接操作的目 的，其中相仿的设计均包括至少一组交流微管芯发光二极管模块形成 于一芯片之上，且该交流微管芯发光二极管模块至少包含两颗微管芯 发光二极管相互电性连结，在施加交...
【技术保护点】
一种交流电发光装置，至少包括：基材；多个微管芯发光元件，形成于该基材上，每一微管芯发光元件至少具有一有源层及导电端子；整流元件专用部，形成于部份微管芯发光元件的表面；整流单元，形成于该整流元件专用部上，具有至少四个依惠斯通电桥电路结构配置的整流元件，用以提供整流作用而输出直流电信号至各该微管芯发光元件；以及导电结构，电性连接各该整流元件与微管芯发光元件。
【技术特征摘要】
1. 一种交流电发光装置，至少包括基材；多个微管芯发光元件，形成于该基材上，每一微管芯发光元件至少具有一有源层及导电端子；整流元件专用部，形成于部份微管芯发光元件的表面；整流单元，形成于该整流元件专用部上，具有至少四个依惠斯通电桥电路结构配置的整流元件，用以提供整流作用而输出直流电信号至各该微管芯发光元件；以及导电结构，电性连接各该整流元件与微管芯发光元件。2. 根据权利要求1所述的交流电发光装置，其中，该基材为晶片 及绝缘基板的其中之一。3. 根据权利要求1所述的交流电发光装置，其中，该有源层为一 发光活性层。4. 根据权利要求1所述的交流电发光装置，其中，该导电端子为 欧姆电极。5. 根据权利要求1所述的交流电发光装置，其中，该整流元件专 用部为采用外延生长及沉积的其中--种方式制成的整流元件专用层。6. 根据权利要求5所述的交流电发光装置，其中，该整流元件专 用层为半导体材料AlGaN形成的构造。7. 根据权利要求1所述的交流电发光装置，其中，该整流元件专 用部为釆用离子注入及扩散的其中一种方式掺杂杂质制成于该基材上 的整流元件专用区域。8. 根据权利要求7所述的交流电发光装置，其中，该杂质为N型 杂质。9. 根据权利要求1所述的交流电发光装置，其中，各该微管芯发光元件选自相互串联、并联、及串联且并联的其中之一。10. 根据权利要求9所述的交流电发光装置，其中，各该微管芯发 光元件具有选自相同及相异波长的其中之--。11. 根据权利要求1所述的交流电发光装置，其中，该导电结构为 选自导电架桥、打线金属构造、及具导电能力的透明金属氧化层的其 中之一。12. 根据权利要求l所述的交流电发光装置，其中，该微管芯发光 元件包含缓冲层、N型半导体、有源层及P型半导体。13. 根据权利要求l所述的交流电发光装置，其中，各该微管芯发 光元件为矩阵排列。14. 根据权利要求l所述的交流电发光装置，其中，该整流元件为 肖特基二极管。15. —种交流电发光装置的制法，至少包括 提供一基材；于该基材上形成至少具一层有源层的多个微管芯发光元件； 于部份微管芯发光元件的表面形成整流元件专用层； 于该整流元件专用层上形成整流单元，该整流单元具有至少四个 依惠斯通电桥电路结构配置的整流元件；蚀刻沟槽以使各该微管芯发光元件与整流元件相互绝缘； 于各该微管芯发光元件形成导电端子；以及形成电性连接各该整流元件与微管芯发光元件的导电端子的导电 结构。16. 根据权利要求15所述的交流电发光装置的制法，其中，预先 以蚀刻方式于该整流元件专用层表面定义出整流元件区域之后再形成 整流单元，后续并完全去除该整流元件专用层的残留部份。17. 根据权利要求15所述的交流电发光装置的制法，其中，预先 于各该微管芯发光元件的外缘包覆一保护层，再移除部分保护层以穿 过该保护...
【专利技术属性】
技术研发人员：颜玺轩，叶文勇，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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