LED阵列微显示器件及制作方法技术

本发明专利技术属于发光显示技术领域，是一种高亮度微显示器件及制作方法。本发明专利技术所述的微显示器件包括有：上电极、透光层、发光层、反射层、基片、下电极、上保护层、光阑。上述器件制备过程包括：（Ａ）在透光层和基片上制作金属薄膜和保护层，（Ｂ）制作上隔离沟槽和制备上电极，（Ｃ）制备光阑，（Ｄ）制作下隔离沟槽，（Ｅ）制作下电极；封装、制作电路引线，完成器件制作。本发明专利技术采用无机主动发光二极管芯片制备微显示器件，结构简单、牢固、响应快；克服了有机发光器件寿命短和驱动电流低而限制光输出强度的问题，提供一种自发光、体积小、功耗低并基于高亮度发光芯片的微显示器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于发光显示
，涉及一种微型显示器件，具体地说是一种高亮度AlGaInP-LED微显示器件及制作方法。
技术介绍
近年来，随着电子产业的发展，微显示器件发展迅速。通常的微型显示系统是基于液晶显示器(LCD)或有机发光二极管(OLED)技术。但液晶显示通常需要一个外部照明光源，使得结构复杂；有机发光二极管(OLED)受驱动电流限制不能得到较高的输出光强，而且寿命较低。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种AlGaInP-LED微显示器件及制作方法。本专利技术所述的微显示器件的结构如图1～5所示，包括上电极1、透光层4、发光层5、反射层6、基片7、下电极9、上保护层10、光阑11。反射层6的上面依次为发光层5、透光层4，反射层6的下面是基片7。在透光层4上有上电极1，上电极1为条形，每个条形上电极1互相平行。在发光层5和透光层4上开有纵向、横向交错的上隔离沟槽2，上隔离沟槽2将发光层5和透光层4分割成纵向和横向排列的长方形或正方形。在上隔离沟槽2内有光阑11，光阑11与上电极1将每个纵向和横向排列的长方形或正方形透光层4又分割成两个长方形或正方形透光区3，这些透光区3也本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＡｌＧａＩｎＰ－ＬＥＤ微显示器件，其特征是由上电极（１）、透光层（４）、发光层（５）、反射层（６）、基片（７）、下电极（９）、光阑（１１）构成；反射层（６）的上面依次为发光层（５）、透光层（４），反射层（６）的下面是基片（７）；在透光层（４）上有互相平行的条形上电极（１），发光层（５）和透光层（４）中开有纵向、横向交错的上隔离沟槽（２）内是光阑（１１）；光阑（１１）与上电极（１）将透光层（４）分割成长方形或正方形透光区（３），透光区（３）构成二维阵列；反射层（６）下面的基片（７）上开有与上电极（１）互相垂直的下隔离沟槽（８），将基片（７）分割成平行排列的条状结构，在每个条状结构的基片（７）...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁静秋，王波，王维彪，梁中翥，朱万彬，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：82[中国|长春]