交流伺服驱动保护电路制造技术

本发明专利技术公开了一种交流伺服驱动保护电路，由单电源低阻高速带ＶＣＥ保护的ＩＧＢＴ（ＩＧ１）驱动电路构成。四个反向器（Ｕ９Ｃ、Ｕ９Ｄ、Ｕ９Ｅ、Ｕ９Ｆ）分别经过四个电阻后（Ｒ３０、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３）连接，汇聚经过ＮＰＮ三极管（Ｑ４）和ＰＮＰ三极管（Ｑ５）构成的驱动功率推挽后接入ＩＧＢＴ（ＩＧ１）的门极；在其中的一个反向器（Ｕ９Ｃ）和电阻（Ｒ３０）之间，串联第一稳压管（Ｄ４）。本发明专利技术克服了现有技术价格较高，ＨＣＰＬ３１６Ｊ经常出现误动作，可靠性差的不足，能快速有效的对功率模块的过流保护，使功率器件的驱动保护大为简化，提高了系统的可靠性和扩展性，大大降低成本，可以广泛应用在电流保护上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电流保护电路，具体涉及交流电伺服驱动保护电路。
技术介绍
目前国内大多数交流伺服驱动电路都是采用专用驱动芯片，原理主要基于自 举电路的原理，电路虽然简单，但是不能对电流进行快速有效的保护，当过流 时来不及及时关断驱动信号导致烧坏功率模块。而采用专用的IPM智能功率模 块生产和维修成本都很高，过流保护也一般。交流伺服驱动一般都是小功率驱 动电路门极驱动电流《2A，常见驱动方案是光耦驱动电路，主要有HCPL3120/PC923/TLP250和HCPL316J/PC929，上述光耦驱动主要缺点是价格较 高，HCPL316J经常出现误动作，可靠性有待提高。
技术实现思路
本专利技术克服了现有技术的不足，提供交流电伺服驱动保护电路。 为解决上述的技术问题，本专利技术采用以下技术方案交流伺服驱动保护电路，由单电源低阻高速带VCE保护的IGBT元件IG1驱 动电路构成。四个反向器U9C、 U9D、 U9E、 U9F分别经过四个电阻后R30、 R31、 R32、 R33连接，汇聚经过NPN三极管Q4和PNP三极管Q5构成的驱动功率推挽 后接入IGBT元件IGl的门极；在其中的一个反向器本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种交流伺服驱动保护电路，由单电源低阻高速带ＶＣＥ保护的ＩＧＢＴ（ＩＧ１）驱动电路构成，其特征在于四个反向器（Ｕ９Ｃ、Ｕ９Ｄ、Ｕ９Ｅ、Ｕ９Ｆ）分别经过四个电阻后（Ｒ３０、Ｒ３１、Ｒ３２、Ｒ３３）连接，汇聚经过ＮＰＮ三极管（Ｑ４）和ＰＮＰ三极管（Ｑ５）构成的驱动功率推挽后接入ＩＧＢＴ（ＩＧ１）的门极；在其中的一个反向器（Ｕ９Ｃ）和电阻（Ｒ３０）之间，串联第一稳压管（Ｄ４）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：罗海明，
申请(专利权)人：成都广泰实业有限公司，
类型：发明
国别省市：90[]