具防止静电破坏的光罩制造技术

本发明专利技术提出一种具防止静电破坏的光罩，包括多个彼此间隔的金属线，其中，所述每个金属线分别具有多个间隔，所述多个间隔的宽度小于曝光分辨率。本发明专利技术提出一种具防止静电破坏的光罩，其能够有效防止静电电荷累积，避免产生静电电荷放电，从而保护光罩。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，且特别涉及一种具防止静电破坏的光罩。
技术介绍
半导体加工过程中，微影加工过程是一关键性步骤，特别是在组件尺寸曰 趋微细化的集成电路时代，使微影加工过程面临极大的挑战。光罩，是在微影 加工过程中用以将所需要的图案，定义在半导体芯片的光致抗蚀层上，然后半 导体芯片才进一步利用光致抗蚀层的图案作为基础，进行后续的蚀刻或离子布 值处理。因此，光罩若出现了问题，对后续的曝光、显影、蚀刻等加工过程的 改善也都无法获得所要的图案而无法达到所要求的电路设计。随着半导体加工过程中图案的缩小，光罩上由金属铬所构成的图案的线宽线距也越来越小，致使静电电荷(electric static charge, ESC )容易导致光罩上的 金属线因电场而产生静电电荷放电(ESD)。在此情况之下，静电荷通常会由光 罩上相邻两图案的尖角之间，尤其是较大型的图案尖角间，以点对点尖端放电 的方式来达到释放静电的效果。请参考图1，图1所示为现有技术的光罩上的金 属线结构示意图，相邻两金属线10和20之间具有窄间隔30，在间隔30处会产 生静电电荷放电。然而，在电放电瞬间将产生一足够大的热能而破坏电路图案， 而使加工合格率下降。严重的话，甚至将造成光罩的损毁。上述的尖端放电现 象在光罩加工演进至更窄的线宽(linewidth)时，其情形将更加严重。为了解决静电所导致的光罩图案破坏，在工业上已有许多方法。 一种是从 环境上着手，例如，在操作员的手套上加装接地装置以防止手接触光罩时产生 静电，或在光罩的放置位置以及移动的路线上喷洒离子以中和产生的静电。但 是往往需要大量的设备以及成本。另一种则是由光罩盒的材料着手。但是，一 来是换材料的成本浩大，二来是步进机等用以处理光罩盒的机台的接口都可能 要加以变更，也是成本的问题。
技术实现思路
本专利技术提出一种具防止静电破坏的光罩，其能够有效防止静电电荷累积，避免产生静电电荷;改电，从而保护光罩。为了达到上述目的，本专利技术提出一种具防止静电破坏的光罩，包括多个彼 此间隔的金属线，其中，所述每个金属线分别具有多个间隔。进一步的，所述多个间隔的宽度小于曝光分辨率。进一步的，所述金属线为销金属层。进一步的，所述^^r属层下具有基底层。进一步的，所述基底层的材料为二氧化硅玻璃。本专利技术提出的具防止静电破坏的光罩，在每个金属线上形成多个宽度小于 曝光分辨率的间隔，因此能够有效防止静电电荷累积，避免产生静电电荷放电， 从而保护光罩，同时由于其宽度小于曝光分辨率，因此不会再后续的微影加工 过程中将金属线上的间隔定义到光致抗蚀层上。附图说明图l所示为现有技术的光罩上的金属线结构示意图。图2所示为本专利技术较佳实施例的具防止静电破坏的光罩上的金属线结构示 意图。具体实施例方式为了更了解本专利技术的
技术实现思路
，特举具体实施例并配合所附图式说明如下。 本专利技术提出一种具防止静电破坏的光罩，其能够有效防止静电电荷累积， 避免产生静电电荷放电，从而保护光罩。请参考图2，图2所示为本专利技术较佳实施例的具防止静电破坏的光罩上的金 属线结构示意图。本专利技术提出的具防止静电破坏的光罩，包括多个彼此间隔的 金属线，其中，所述每个金属线分别具有多个间隔。图2中举例相邻两个金属 线100和200，两者之间具有窄间隔300,金属线100和200分别具有多个间隔 110和210。所述多个间隔110和210的宽度小于曝光分辨率，所述金属线1004和200为铬金属层，所述4^r属层下具有基底层，所述基底层的材料为二氧化 硅玻璃。综上所述，本专利技术提出的具防止静电破坏的光罩，在每个金属线上形成多 个宽度小于曝光分辨率的间隔，由于具有多个间隔，因此电荷能够分散开并且 通过间隔放电，能够有效防止静电电荷累积，避免产生静电电荷放电，从而保 护光罩，同时由于其宽度小于曝光分辨率，因此不会再后续的微影加工过程中 将金属线上的间隔定义到光致抗蚀层上。虽然本专利技术已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本专利技术。本专利技术 所属
中具有通常知识者，在不脱离本专利技术的精神和范围内，当可作各 种的更动与润饰。因此，本专利技术的保护范围当视权利要求书所界定者为准。权利要求1.一种具防止静电破坏的光罩，包括多个彼此间隔的金属线，其特征在于所述每个金属线分别具有多个间隔。2. 根据权利要求1所述的具防止静电破坏的光罩，其特征在于所述多个间 隔的宽度小于曝光分辨率。3. 根据权利要求1所述的具防止静电破坏的光罩，其特征在于所述金属线 为销金属层。4. 根据权利要求3所述的具防止静电破坏的光罩，其特征在于所述铬金属 层下具有基底层。5. 根据权利要求4所述的具防止静电破坏的光罩，其特征在于所述基底层 的材料为二氧化硅玻璃。全文摘要本专利技术提出一种具防止静电破坏的光罩，包括多个彼此间隔的金属线，其中，所述每个金属线分别具有多个间隔，所述多个间隔的宽度小于曝光分辨率。本专利技术提出一种具防止静电破坏的光罩，其能够有效防止静电电荷累积，避免产生静电电荷放电，从而保护光罩。文档编号G03F1/40GK101566791SQ200910052549公开日2009年10月28日 申请日期2009年6月4日 优先权日2009年6月4日专利技术者于世瑞 申请人:上海宏力半导体制造有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具防止静电破坏的光罩，包括多个彼此间隔的金属线，其特征在于所述每个金属线分别具有多个间隔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：于世瑞，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]