静电夹头中的点火防止制造技术

本发明专利技术提供了一种静电夹头组件，包括陶瓷接触层、图案化粘合层、导电底座和地下电弧缓解层。所述陶瓷接触层和所述导电底座共同配合来限定在所述静电夹头组件的地下部分形成的多个混合气体分配通路。所述混合气体分配通路中的各个混合气体分配通路包括由导电底座提供的相对较高的电导率的表面和由陶瓷接触层提供的相对较低的电导率的表面。所述地下电弧缓解层包括相对较低电导率的层，并且该地下电弧缓解层形成在所述静电夹头组件的所述地下部分中的所述混合气体分配通路的相对较高的电导率表面之上。也提供了半导体晶片处理室。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】静电夹头中的点火防止本公开涉及静电夹头(electrostatic chucks)，特别是涉及包括有助于防止在夹头组件和正在处理的晶片之间的电弧或在背部气体分配通道中的等离子点火(Plasma ignition)的特征的静电夹头设计。静电夹头可用于固定、夹住或以其他方式处理用于半导体加工的硅片。在加工过程中也配置了很多静电夹头，以帮助调节晶片的温度。例如，如在本领域广为记载的，诸如氦气之类高导热气体可在静电夹头中循环，以帮助调节晶片的温度。更具体地说，在等离子体蚀刻制作或其他半导体加工步骤中，在相对较低的压力下的较薄的气体层可用来对吸收 (sink)来自硅片的热。一般在晶片上只施加几磅力的气体的相对较低的压力允许利用静电引力来对抗它并将晶片密封在夹头的一个面上。应用本专利技术的人员将理解，本公开的概念适用于容易以各种方式产生等离子体电弧和背部气体电离的各种各样的静电夹头配置，包括但不限于在美国专利号5，583，736、 5，715，132,5, 729，423,5, 742，331,6, 422，775,6, 606，234 和其他之中所说明的那些。为清楚起见，本公开的概念已经参照附图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤姆·史蒂文森，丹尼尔·比允，绍拉·乌拉尔，巴巴克·卡德库达彦，拉金德·丁德萨，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：