功率器件及其制备方法、功率模块和车辆技术

本发明专利技术公开一种功率器件及其制备方法、功率模块和车辆，功率器件包括：第一导电类型的漂移层；在漂移层的正面沿垂直于漂移层的方向依次设置有第二导电类型的阱区、第一导电类型的源区和第一发射极，在漂移层的背面至少设置有集电极；至少一个沟槽结构，每个沟槽结构包括沟槽，沟槽贯穿源区和阱区且沟槽的槽底延伸至漂移层，沟槽内填设有沿沟槽深度方向延伸且沿沟槽宽度方向排布的栅极和第二发射极，第二发射极与第一发射极连接。本发明专利技术的功率器件，能优化功率器件开关时栅极的震荡问题，提高器件稳定性。件稳定性。件稳定性。

【技术实现步骤摘要】
其中，每个所述长沟槽组包括两个相邻设置的长沟槽，所述长沟槽的深度大于所述短沟 槽的深度。
[0011]在本专利技术的一些实施例中，两个相邻设置的所述长沟槽之间的所述阱区的深度大于 所述长沟槽与所述短沟槽之间阱区的深度并且大于两个相邻的所述短沟槽之间所述阱 区的深度。
[0012]在本专利技术的一些实施例中，所述栅极与所述第一发射极之间设置有第一绝缘层；所 述第一绝缘层还覆盖相邻两个所述长沟槽之间的所述阱区以形成浮空区。
[0013]在本专利技术的一些实施例中，所述短沟槽深度S1的取值为2.5um≤S1≤5.5um，所述 长沟槽深度S2的取值为3.5um≤S2≤6.5um，沟槽宽度H的取值为1um≤H≤3um，槽间 距K的取值为1um≤K≤8um。
[0014]在本专利技术的一些实施例中，所述栅极包括多个子栅极，所述第二发射极包括多个子 发射极，多个所述子栅极与多个所述子发射极沿所在沟槽的所述沟槽宽度方向交错排 布。
[0015]在本专利技术的一些实施例中，所述栅极包括第一子栅极和第二子栅极，所述第二发射 极设置在所述第一子栅极与所述第二子栅极之间本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率器件，其特征在于，包括：第一导电类型的漂移层；在所述漂移层的正面沿垂直于所述漂移层的方向依次设置有第二导电类型的阱区、第一导电类型的源区和第一发射极，在所述漂移层的背面至少设置有集电极；至少一个沟槽结构，每个所述沟槽结构包括沟槽，所述沟槽贯穿所述源区和所述阱区且所述沟槽的槽底延伸至所述漂移层，所述沟槽内填设有沿沟槽深度方向延伸且沿沟槽宽度方向排布的栅极和第二发射极，所述第二发射极与所述第一发射极连接。2.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述至少一个沟槽结构为多个，多个所述沟槽结构包括多个短沟槽和至少一个长沟槽组，多个所述短沟槽与至少一个所述长沟槽组交错设置，其中，每个所述长沟槽组包括两个相邻设置的长沟槽，所述长沟槽的深度大于所述短沟槽的深度。3.根据权利要求2所述的功率器件，其特征在于，两个相邻设置的所述长沟槽之间的所述阱区的深度大于所述长沟槽与所述短沟槽之间阱区的深度并且大于两个相邻的所述短沟槽之间所述阱区的深度。4.根据权利要求3所述的功率器件，其特征在于，所述栅极与所述第一发射极之间设置有第一绝缘层；所述第一绝缘层还覆盖相邻两个所述长沟槽之间的所述阱区以形成浮空区。5.根据权利要求2所述的功率器件，其特征在于，所述短沟槽深度S1的取值为2.5um≤S1≤5.5um，所述长沟槽深度S2的取值为3.5um≤S2≤6.5um，沟槽宽度H的取值为1um≤H≤3um，槽间距K的取值为1um≤K≤8um。6.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述栅极包括多个子栅极，所述第二发射极包括多个子发射极，多个所述子栅极与多个所述子发射极沿所在沟槽的所述沟槽宽度方向交错排布。7.根据权利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述栅极包括第一子栅极和第二子栅极，所述第二发射极设置在所述第一子栅极与所述第二子栅极之间。8.根据权利要求1
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄宝伟，李庆丰，
申请(专利权)人：比亚迪半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：