制备感光单元的工艺方法和感光单元以及图像传感器技术

本发明专利技术公开了一种制备感光单元的工艺方法和感光单元及图像传感器，其中，工艺方法包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底的光生势阱区以第二导电类型的离子进行低浓度掺杂以形成光生电子势阱；以及，在所述衬底上制备浮空扩散区和晶体管。本发明专利技术的工艺方法、感光单元和图像传感器，通过降低钳位电压，减小势垒电容，提高扩散电容对于输出信号的控制作用，在原本势垒电容作用下应该饱和的光强下，扩散电容使输出信号继续增加，直到在更高的光强下饱和，输出信号可以在更宽的光强范围内有输出信号对应值，量化光强对输出信号的影响，增大了图像传感器的动态范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及传感器，尤其是涉及一种制备感光单元的工艺方法，以及感光单元和图像传感器。

技术介绍

1、小尺寸像素会制约其满阱容量(fwc，full well capacity)和动态范围(dr，dynamic range)。

2、因此，普通像素在自然场景下，对于不同光强的入射光，通常只能呈现有限亮度的图像场景，不能完全还原图像细节，影响成像质量。

技术实现思路

1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术的目的在于提出一种制备感光单元的工艺方法，该方法可以提高扩散电容对于输出信号的主导作用，增大图像传感器的动态范围，可以呈现更多不同亮度下的图像场景，提高成像质量。

2、本专利技术的目的还在于提出一种感光单元。

3、本专利技术的目的还在于提出一种cmos图像传感器。

4、为了达到上述目的，本专利技术第一方面实施例提出的制备感光单元的工艺方法，包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底的光生势阱区，以第二导电类型的离子进行低浓度掺杂，以形成本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种制备感光单元的工艺方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备感光单元的工艺方法，其特征在于，所述第二导电类型的离子的离子注入剂量L取值满足1.5e11/cm2≤L≤2.0e12/cm2。

3.根据权利要求2所述的制备感光单元的工艺方法，其特征在于，所述第二导电类型的离子的离子注入剂量L取值满足1.6e11/cm2≤L≤1.8e12/cm2。

4.根据权利要求3所述的制备感光单元的工艺方法，其特征在于，所述第二导电类型的离子的离子注入剂量L取值满足为1.6e11/cm2≤L≤1.0e12/cm2。

5.根据权利要求1-4任...

【技术特征摘要】

1.一种制备感光单元的工艺方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备感光单元的工艺方法，其特征在于，所述第二导电类型的离子的离子注入剂量l取值满足1.5e11/cm2≤l≤2.0e12/cm2。

3.根据权利要求2所述的制备感光单元的工艺方法，其特征在于，所述第二导电类型的离子的离子注入剂量l取值满足1.6e11/cm2≤l≤1.8e12/cm2。

4.根据权利要求3所述的制备感光单元的工艺方法，其特征在于，所述第二导电类型的离子的离子注入剂量l取值满足为1.6e11/cm2≤l≤1.0e12/cm2。

5.根据权利要求1-4任一项所述的制备感光单元的工艺方法，其特征在于，所述工艺方法还包括：

6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：林彤，
申请(专利权)人：比亚迪半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：