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本发明公开了一种制备感光单元的工艺方法和感光单元及图像传感器，其中，工艺方法包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底的光生势阱区以第二导电类型的离子进行低浓度掺杂以形成光生电子势阱；以及，在所述衬底上制备浮空扩散区和晶体管。本发明的工艺方法...
该专利属于比亚迪半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过比亚迪半导体股份有限公司授权不得商用。

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