【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，尤其涉及一种半导体结构及其制备方法、电子设备。
技术介绍
1、随着电子技术的发展，电子设备的功能不断的区域丰富化、全面化，也趋使电子设备内的集成电路向小型化和密集化发展。
2、为了提高集成电路的封装密度以及实现集成电路小型化，就需要将集成电路上的半导体设计的更小。
3、然而，半导体结构的尺寸减小会带来半导体结构的性能降低等问题，导致集成电路的性能降低。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种半导体结构及其制备方法、电子设备，用于降低半导体结构的寄生电容。
2、为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：
3、本申请实施例的第一方面，提供一种半导体结构，半导体结构包括设置在衬底上的栅极、源极、漏极、位于栅极侧面的第一介电层以及层间介电层。其中，第一介电层还延伸至源极和漏极的顶面，且第一介电层和栅极的至少一个侧面之间具有空隙。层间介电层设置在第一介电层远离源极和漏极一侧。半导体结构还包括贯穿层间介电层和第一介电层、且与源极接触的源极...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括保护层；所述保护层覆盖在所述空隙的上方。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层还延伸至所述层间介电层上；所述保护层设置在所述层间介电层远离所述源极和所述漏极的表面，且位于所述源极接触部和所述漏极接触部的外围。
4.根据权利要求2或3所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层的厚度大于或者等于所述空隙的尺寸。
5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体结构，其特征在于，
6.根据权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括保护层；所述保护层覆盖在所述空隙的上方。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层还延伸至所述层间介电层上；所述保护层设置在所述层间介电层远离所述源极和所述漏极的表面，且位于所述源极接触部和所述漏极接触部的外围。
4.根据权利要求2或3所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层的厚度大于或者等于所述空隙的尺寸。
5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体结构，其特征在于，
6.根据权利要求1-5任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述空隙位于所述衬底的上方。
7.根据权利要求1-6任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述空隙的高度小于或者等于所述栅极的高度。
8.根据权利要求1-7任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括栅极侧墙，所述栅极侧墙包裹在所述栅极的侧面；所述空隙位于所述栅极侧墙远离所述栅极一侧。
9.根据权利要求1-8任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括第二介电层，所述第二介电层覆盖所述栅极和所述层间介电层的表面，且位于所述源极接触部和所述漏极接触部的外围。
10.根据权利要求1-9任一项所述的半...
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