【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种电子设备、功率器件、元胞结构及其制造方法。
技术介绍
1、功率器件是电力电子技术中的核心器件，具有高耐压和导通电流密度大的特点。功率器件元胞结构的设计对功率器件的性能有很大影响。其中，功率器件阈值电压需要维持在较高的电压值，在优化元胞结构改善器件性能时如何保证不降低功率器件阈值电压是需要解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种电子设备、功率器件、元胞结构及其制造方法，以解决现有技术中优化元胞结构改善器件性能时不降低功率器件的阈值电压的问题。
2、本申请第一方面提供一种元胞结构，所述元胞结构包括：
3、第一导电类型的衬底；所述衬底设有相对的第一表面和第二表面；
4、第一导电类型的漂移区，所述第一导电类型的漂移区位于在所述第一导电类型的衬底的第一表面上；
5、第二导电类型的阱区，所述第二导电类型的阱区自所述第一导电类型的漂移区表面向所述第一导电类型的漂移区内部延伸，所述第二导电类型的阱区内部或者表...
【技术保护点】
1.一种元胞结构，其特征在于，所述元胞结构包括：
2.如权利要求1所述的元胞结构，其特征在于，所述金属材料区设置在所述第二导电类型的阱区内部，所述金属材料区为所述第二导电类型的阱区内掺杂金属颗粒形成的区域；
3.如权利要求2所述的元胞结构，其特征在于，所述金属材料区与所述第二导电类型的阱区表面的距离等于或者小于所述第二导电类型的阱区深度的一半。
4.如权利要求3所述的元胞结构，其特征在于，所述金属材料区设置在所述第一导电类型的源极区的下方。
5.如权利要求1所述的元胞结构，其特征在于，所述金属材料区位于所述第二导电类型的...
【技术特征摘要】
1.一种元胞结构，其特征在于，所述元胞结构包括：
2.如权利要求1所述的元胞结构，其特征在于，所述金属材料区设置在所述第二导电类型的阱区内部，所述金属材料区为所述第二导电类型的阱区内掺杂金属颗粒形成的区域；
3.如权利要求2所述的元胞结构，其特征在于，所述金属材料区与所述第二导电类型的阱区表面的距离等于或者小于所述第二导电类型的阱区深度的一半。
4.如权利要求3所述的元胞结构，其特征在于，所述金属材料区设置在所述第一导电类型的源极区的下方。
5.如权利要求1所述的元胞结构，其特征在于，所述金属材料区位于所述第二导电类型的阱区表面，所述金属材料区为在所述第二导电类型的阱区表面形成的金属层；
6.如权利要求1所述的元胞结构，...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢汉汉，吴海平，
申请(专利权)人：比亚迪半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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