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本申请提供一种电子设备、功率器件、元胞结构及其制造方法，元胞结构包括：第一导电类型的衬底、第一导电类型的漂移区、第二导电类型的阱区、在第二导电类型的阱区内部或者表面的金属材料区、第二导电类型的注入区、第一导电类型的源极区。本技术方案通过在第...
该专利属于比亚迪半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过比亚迪半导体股份有限公司授权不得商用。

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