具有增大的附接角度的导电线的半导体装置和方法制造方法及图纸

具有增大的附接角度的导电线的半导体装置和方法。一种半导体装置包含横跨半导体裸片形成的屏蔽线和支撑所述屏蔽线的辅助线，由此减小封装的大小同时屏蔽从所述半导体裸片产生的电磁干扰。在一个实施例中，所述半导体装置包含：衬底，在其上安装有至少一个电路装置；半导体裸片，其与所述电路装置间隔开且安装到所述衬底上；屏蔽线，其与所述半导体裸片间隔开且横跨所述半导体裸片形成；和辅助线，其在所述屏蔽线下支撑所述屏蔽线且形成为垂直于所述屏蔽线。在另一实施例中，凸块结构用以支撑所述屏蔽线。在又一实施例中，辅助线包含凸块结构部分和线部分，且所述凸块结构部分和所述线部分两者用以支撑所述屏蔽线。述线部分两者用以支撑所述屏蔽线。述线部分两者用以支撑所述屏蔽线。

【技术实现步骤摘要】
具有增大的附接角度的导电线的半导体装置和方法


[0001]本专利技术的某些实施例涉及半导体装置和制作半导体装置的方法。

技术介绍

[0002]因为制造为具有各种配置的多种半导体装置和用于交换各种信号的电子装置整合到各种电子装置中，所以众所周知半导体装置和电子装置在半导体装置和电子装置的电操作期间发射电磁干扰。
[0003]电磁干扰可从按窄间隔安装于主机板上的半导体装置和电子装置发射，且相邻半导体装置可受到电磁干扰的直接或间接影响。
[0004]因此，为了部分地屏蔽半导体装置，可使用线或屏蔽层。然而，在这种情况下，使用线或屏蔽层可能增大半导体装置的大小。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种半导体装置，其包含横跨半导体裸片形成的屏蔽线和支撑所述屏蔽线的辅助结构，由此减小半导体封装的大小同时屏蔽从所述半导体裸片产生的电磁干扰。
[0006]本专利技术的以上和其它目标将在若干实施例的以下描述中进行阐述或从所述以下描述中显而易见。
[0007]根据本专利技术的实施例的一方面，提供一种半导体装置，其包含：衬底，在其上安装有至少一个电路装置；半导体裸片，其与所述电路装置间隔开且安装到所述衬底上；屏蔽线，其与所述半导体裸片间隔开且横跨所述半导体裸片形成；及辅助结构，其在所述屏蔽线下支撑所述屏蔽线。在一些实施例中，所述辅助结构包括形成为大体上垂直于所述屏蔽线的辅助线。
[0008]根据本专利技术的实施例的另一方面，提供衬底；半导体裸片，其邻近于所述衬底而安装；辅助结构，其连接到所述衬底；及导电线，其在第一端处连接到所述衬底的第一部分，且以物理方式接触所述辅助结构来增大所述导电线连接到所述衬底的角度。根据另一实施例，一种方法包含提供衬底，所述衬底具有连接到所述衬底的表面的半导体裸片。所述方法包含形成耦合到所述衬底的辅助结构和将导电线连接到所述衬底，其中所述导电线以物理方式接触所述辅助结构来增大所述导电线连接到所述衬底的角度。
[0009]如上文所描述，根据本专利技术的实施例，因为所述半导体装置包含与所述半导体裸片间隔开且横跨所述半导体裸片形成的屏蔽线和在所述屏蔽线下支撑所述屏蔽线的辅助结构，所以可减小所述半导体裸片与所述电路装置之间的距离，且可屏蔽从所述半导体裸片产生的电磁干扰，由此减小根据本专利技术的所述半导体装置的大小。
[0010]另外，根据另一实施例，因为所述半导体装置包含电连接所述半导体裸片与所述衬底的导电线和在所述导电线下支撑所述导电线的辅助结构，所以可减小所述半导体装置的大小。
[0011]此外，根据另一实施例，所述辅助结构包括邻近于所述导电线设置的凸块结构，以促进具有更陡的倾斜角的所述导电线。在又一实施例中，所述辅助结构包括凸块结构部分和线部分，且所述凸块结构部分和所述线部分两者被用来促进具有甚至更陡的倾斜角的接合线。
附图说明
[0012]图1为根据本专利技术的一实施例的半导体装置的横截面图；
[0013]图2为图1中所说明的半导体装置的平面图；
[0014]图3A和3B为图2的部分“A”的照片；
[0015]图4为根据本专利技术的另一实施例的半导体装置的平面图；
[0016]图5为根据本专利技术的一实施例的半导体装置的平面图；
[0017]图6A为应用根据本专利技术的一实施例的辅助线的半导体装置的横截面图；
[0018]图6B和6C为图6A中所说明的半导体装置的平面图；
[0019]图7A为根据本专利技术的一实施例的辅助线的正视图；
[0020]图7B为应用图7A中所说明的辅助线的半导体装置的透视图；
[0021]图8A为根据本专利技术的一实施例的辅助线的正视图；
[0022]图8B为应用图8A中所说明的辅助线的半导体装置的透视图；
[0023]图9为根据本专利技术的一实施例的半导体装置的横截面图；
[0024]图10为根据本专利技术的实施例的半导体装置的部分横截面图；
[0025]图11为图10的部分“B”的照片；
[0026]图12为根据本专利技术的实施例的半导体装置的部分横截面图；且
[0027]图13为图12的部分“C”的照片。
具体实施方式
[0028]本申请案主张2016年12月3日申请的第15/368,583号美国专利申请案和2016年3月10日申请的第10
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2016
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0028899号韩国专利申请案的优先权，所述两个申请案的全部内容在此以引用的方式并入本文中。
[0029]在下文中，将参考随附图式详细地描述各种实施例的实例，使得其可由所属领域的技术人员制作并使用。
[0030]本专利技术的各个方面可以许多不同形式体现且不应理解为受限于在本文中所阐述的实例实施例。实际上，提供本专利技术的这些实例实施例是为了使本专利技术将为充分且完整的，并且将向所属领域的技术人员传达本专利技术的各种方面。
[0031]在图式中，可为了清楚起见而放大层和区域的厚度。此处，类似参考标号通篇指代类似元件。如本文中所使用，术语“和/或”包含相关联的所列项目中的一或多项的任何和所有组合。另外，应理解，当元件A被称作“连接到”元件B时，元件A可以直接连接到元件B或者可在元件A与元件B之间存在插入元件C以使得元件A可间接地连接到元件B。
[0032]另外，本文中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意图限制本专利技术。如本文中所使用，除非上下文另外明确指示，否则单数形式还意图包含复数形式。将进一步理解，术语包括(comprises/comprising)和/或包含(includes/including)在用于
本说明书时规定所陈述特征、数目、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但并不排除一或多个其它特征、数目、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在或添加。
[0033]应理解，虽然术语第一、第二等可以在本文中使用来描述各个部件、元件、区域、层和/或区段，但是这些部件、元件、区域、层和/或区段应不受这些术语限制。这些术语仅用于区分一个部件、元件、区域、层和/或区段与另一部件、元件、区域、层和/或区段。因此，举例来说，下文论述的第一部件、第一元件、第一区域、第一层和/或第一区段可被称为第二部件、第二元件、第二区域、第二层和/或第二区段而不脱离本专利技术的教示。除非另外规定，否则如本文所使用的词语“在
……
上面”或“在
……
上”包含所规定元件可以直接或间接物理接触的定向、放置或关系。除非另外规定，否则如本文所使用的词语“与
……
重叠”包含所指定元件可在相同或不同平面中至少部分或完全重合或对准的定向、放置或关系。应进一步理解，下文中所说明并描述的实施例适当地可具有实施例和/或可在无本文中确切地揭示的任何元件的情况下实践。
[0034]图1为根据一个实施例的半导体装置100的横截面图，图2为图1中所说明的半导体装置的平面图，图3A和3B为拍摄图2的部分“A”的照片，且图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：衬底；半导体组件，安装在所述衬底上；辅助结构，仅沿着所述半导体组件的一侧附着到所述衬底；以及第一屏蔽线，包括附接到所述衬底的相对端，其中：所述第一屏蔽线与所述半导体组件的主表面间隔开并且延伸穿过所述半导体组件的所述主表面；第一屏蔽线在不是所述相对端的任何一端的位置处物理接触所述辅助结构；以及所述辅助结构在从所述第一屏蔽线的最大高度横向偏移的点处接触所述第一屏蔽线。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：电路装置，耦合到所述衬底并且与所述半导体组件间隔开以在所述半导体组件和所述电路装置之间提供空间，其中：所述衬底包括位于所述半导体组件的一侧处的第一接合垫以及位于所述半导体组件的相对侧处的第二接合垫；所述辅助结构包括辅助线，所述辅助线包括第一端和相对的第二端；所述辅助线的所述第一端与相对的所述第二端附接于所述空间内的所述衬底；以及所述第一屏蔽线包括附接于所述第一接合垫的一端以及附接于所述第二接合垫的另一端。3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述辅助结构包括：第一辅助线，包括沿所述半导体组件的所述一侧附接到所述衬底的第一部分的相对端；以及第二辅助线，包括附接至所述衬底的第二部分的相对端；以及所述第一屏蔽线物理接触所述第一辅助线。4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：所述第一屏蔽线物理接触所述第二辅助线。5.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，还包括：第二屏蔽线，附接到所述衬底，使得所述第二屏蔽线延伸穿过所述半导体组件的所述主表面，垂直于所述第一屏蔽线，并且物理接触所述第二辅助线。6.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：所述第一辅助线和所述第二辅助线中的一个或多个具有拱形形状。7.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：所述第一辅助线与所述第二辅助线重叠。8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述辅助结构包括辅助线，所述辅助线包括：凸块结构部分；以及线部分，其连接至所述凸块结构部分；以及所述第一屏蔽线物理接触所述凸块结构部分。9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
所述衬底包括主表面；以及所述第一屏蔽线接触所述辅助结构并且与所述衬底的所述主表面形成角度。10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于：所述角度在70度到90度的范围内。11.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述第一屏蔽线在不同于覆盖所述半导体组件的位置处接触...

【专利技术属性】
技术研发人员：江俊河，山坤书，纳锡河，金真烨，金阳奎，江森河，林德英，洪森门，金森竣，柳森汉，姜坤南，俞雄赫，
申请(专利权)人：艾马克科技公司，
类型：发明
国别省市：