【技术实现步骤摘要】
封装基板及芯片
[0001]本申请涉及芯片领域,尤其涉及一种封装基板及芯片。
技术介绍
[0002]随着半导体及集成电路技术进步,芯片集成要求进一步提升,当前的芯片设计和制造,都朝着尺寸更小、集成密度更高方向发展,相当大的工作都在芯片封装中完成;而在芯片中的射频或微波影响下产生的辐射会对封装基板的性能造成影响。
[0003]传统的封装基板中往往采用在封装基板上额外安装屏蔽罩,利用屏蔽罩来屏蔽辐射,而由于屏蔽罩本身会在芯片中占用一定的空间,这样就不利于芯片的小尺寸设计以及高集成密度的发生,浪费了芯片内的空间。
[0004]因此,如何能够在不额外设置屏蔽罩的情况下,对封装基板进行辐射屏蔽,节约空间,成为本领域亟需解决的问题。
技术实现思路
[0005]本申请的目的是提供一种封装基板及芯片,以在不额外设置屏蔽罩的情况下,对封装基板进行辐射屏蔽,节约空间。
[0006]本申请公开了一种封装基板,包括从表面至底面依次堆叠的第一金属线路层、第二金属线路层、第三金属线路层以及第四金属线路层,所述第二金属 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种封装基板,包括从表面至底面依次堆叠的第一金属线路层、第二金属线路层、第三金属线路层以及第四金属线路层,所述第二金属线路层和所述第四金属线路层为金属地层,其特征在于,所述第二金属线路层和所述第四金属线路层中至少一层在竖直方向上的正投影覆盖所述第一金属线路层和所述第三金属线路层在竖直方向的正投影,所述金属线路层的外表面覆盖有金属层,所述第二金属线路层和所述第四金属线路层中至少一层与所述金属层连接。2.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,所述第二金属线路层和所述第四金属线路层均与所述金属层连接。3.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,所述第二金属线路层或所述第四金属线路层与所述金属层连接。4.根据权利要求2或3所述的封装基板,其特征在于,所述金属层为银粉铺设形成。5.根据权利要求4所述的封装基板,其特征在于,所述金属层的厚度范围在0.005毫米至0.015毫米之间。6.根据权利要求2所述的封装基板,其特征在于,所述第二金属线路层和所述第四金属线路层之间间隔设置有多个盲孔,多个所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:顾红伟,
申请(专利权)人:深圳市时创意电子有限公司,
类型:新型
国别省市:
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