在无盖半导体封装中包含电磁干扰辐射制造技术

本公开的实施例涉及在无盖半导体封装中包含电磁干扰辐射。一种半导体封装可以包括：衬底；专用集成电路(ASIC)，被设置于衬底的表面的第一部分上；存储器装置，被设置于衬底的表面的第二部分上；以及加强板，被设置于衬底的表面的第三部分上。加强板可以与ASIC和存储器装置间隔开并且可以包围ASIC和存储器装置。半导体封装可以包括被设置于衬底的表面的第四部分上的电磁干扰(EMI)吸收器。EMI吸收器可以被设置于加强板与ASIC和存储器装置之间。EMI吸收器可以包围ASIC和存储器装置并且可以阻挡由ASIC和存储器装置生成的EMI辐射。阻挡由ASIC和存储器装置生成的EMI辐射。阻挡由ASIC和存储器装置生成的EMI辐射。

【技术实现步骤摘要】
在无盖半导体封装中包含电磁干扰辐射


[0001]本公开的实施例涉及无盖半导体封装。

技术介绍

[0002]一种无盖半导体封装提供优于基于散热器的(例如带盖的)半导体封装的改进的热性能。由于在无盖半导体封装中不使用散热器(例如盖)，因此无盖半导体封装的制造成本也低。在无盖半导体封装中，半导体装置(semiconductor device)(例如专用集成电路(ASIC))的暴露允许半导体装置与散热片之间的直接接触，这提高了半导体装置的热性能。

技术实现思路

[0003]本文中所描述的一些实现涉及一种半导体封装。半导体封装可以包括：衬底；半导体装置，被设置于衬底的表面的第一部分上；以及加强板，被设置于衬底的表面的第二部分上。第二部分可以与第一部分分离，并且加强板可以被配置为与半导体装置间隔开并且包围半导体装置。半导体封装可以包括被设置于衬底的表面的第三部分上的电磁干扰吸收器。第三部分可以与第一部分和第二部分分离，并且电磁干扰吸收器可以被配置为被设置于半导体装置与加强板之间。
[0004]本文中所描述的一些实现涉及一种用于半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，包括：衬底；半导体装置，被设置于所述衬底的表面的第一部分上；加强板，被设置于所述衬底的所述表面的第二部分上，其中所述第二部分与所述第一部分分离，其中所述加强板被配置为与所述半导体装置间隔开并且包围所述半导体装置；以及电磁干扰吸收器，被设置于所述衬底的所述表面的第三部分上，其中所述第三部分与所述第一部分和所述第二部分分离，其中所述电磁干扰吸收器被配置为被设置于所述半导体装置与所述加强板之间。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述半导体装置包括以下一项或多项：专用集成电路，或者存储器装置。3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述电磁干扰吸收器被配置为吸收由所述半导体装置生成的电磁干扰辐射。4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述电磁干扰吸收器包括：本体部分；主开口，被设置于所述本体部分中并且被配置为容纳所述半导体装置；以及一个或多个开口，被设置于所述本体部分中并且被配置为容纳被设置于所述衬底的所述表面上的一个或多个对应组件。5.根据权利要求4所述的半导体封装，其中所述电磁干扰吸收器的所述本体部分被配置为减少由所述半导体装置生成的电磁干扰辐射到达被设置于所述衬底的所述表面上的所述一个或多个组件。6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述电磁干扰吸收器包括以下一项或多项：金属材料，碳材料，陶瓷材料，水泥材料，聚合物材料，或者混合材料。7.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述电磁干扰吸收器被配置为阻挡大约两千兆赫到四十千兆赫的范围内的频率的电磁干扰辐射。8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述半导体封装是无盖专用集成电路封装。9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述电磁干扰吸收器被配置为比不具有所述电磁干扰吸收器的封装多阻挡至少十分贝的电磁干扰辐射。10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述电磁干扰吸收器的厚度取决于要由所述半导体装置生成的电磁干扰辐射的量。11.一种用于半导体封装的电磁干扰吸收器，所述电磁干扰吸收器包括：本体部分，被配置为被设置于衬底的表面的第一部分上，所述衬底包括被设置于所述衬底的所述表面的第二部分上的半导体装置和被设置于所述衬底的所述表面的第三部分
上的加强板，其中所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分是分离的，其中所...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：瞻博网络公司，
类型：发明
国别省市：