一种芯片系统及通信设备技术方案

一种芯片系统及通信设备，涉及芯片封装技术领域。芯片系统包括芯片封装体和电磁屏蔽体，芯片封装体通过第一连接部与电路板电连接，芯片封装体包括电连接的封装基板和至少一个芯片，电磁屏蔽体包括导电的第一屏蔽结构和导电的第二屏蔽结构；第一屏蔽结构与封装基板连接；第一屏蔽结构包括的第一腔体用于容纳至少一个芯片；第二屏蔽结构的第一端连接电路板或电路板的焊盘或，第二屏蔽结构的第二端连接第一屏蔽结构以形成第二腔体；或者，第二屏蔽结构的第一端连接电路板或电路板上的焊盘，第二屏蔽结构覆盖第一屏蔽结构以形成第二腔体；第一连接部位于第二腔体内。该方案降低了第一连接部的电磁泄漏，提升了对芯片封装的电磁屏蔽能力。蔽能力。蔽能力。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片系统及通信设备


[0001]本申请涉及芯片
，尤其涉及一种芯片系统及通信设备。

技术介绍

[0002]随着半导体工艺尺寸不断缩小，电子设备内的各类芯片的集成度逐渐提高，芯片的工作频率不断提高，这使得电子设备内部尺寸较小的导电元件或导电结构会成为天线，向外进行电磁辐射，进而对电子设备自身包含的易受射频干扰影响的射频电路，以及需要使用时钟信号的处理器、存储器等造成电磁干扰。减少电磁辐射影响的常规方法是对产生电磁辐射辐射器件，或对易受电磁辐射影响的敏感器件设置电磁屏蔽体。
[0003]参见图1，该图为传统芯片封装体的电磁屏蔽体的示意图。
[0004]图示的芯片封装体包括了芯片11和封装基板14。芯片11和封装基板14之间通过焊球焊接。电磁屏蔽体13一般为技术冲压结构，覆盖芯片11上方即侧面，并且与封装基板14的上表面通过连接部15进行固定。芯片11上表面通过热界面材料(Thermal interface material，TIM)12与电磁屏蔽体13接触以加快散热。利用电磁屏蔽体13可以减小芯片11的电磁辐射。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片系统，其特征在于，所述芯片系统包括芯片封装体和电磁屏蔽体，所述芯片封装体通过第一连接部与电路板电连接，所述芯片封装体包括封装基板和至少一个芯片，所述封装基板和所述至少一个芯片电连接，所述电磁屏蔽体包括：第一屏蔽结构和第二屏蔽结构，所述第一屏蔽结构与第二屏蔽结构均导电；所述第一屏蔽结构与所述封装基板连接；所述第一屏蔽结构包括第一腔体，所述第一腔体用于容纳所述至少一个芯片；所述第二屏蔽结构的第一端连接所述电路板上的焊盘或连接所述电路板，所述第二屏蔽结构的第二端连接所述第一屏蔽结构以形成第二腔体；或者，所述第二屏蔽结构的第一端连接所述电路板上的焊盘或连接所述电路板，所述第二屏蔽结构覆盖所述第一屏蔽结构以形成第二腔体；所述第一连接部位于所述第二腔体内。2.根据权利要求1所述的芯片系统，其特征在于，所述第一连接部包括绝缘材料以及多个电连接结构件；所述多个电连接结构件，用于连接所述芯片封装体以及所述电路板；所述绝缘材料填充于所述封装基板、所述电路板以及所述多个电连接结构件之间的区域。3.根据权利要求2所述的芯片系统，其特征在于，所述第一连接部包括两个连接面，靠近所述电路板的一个连接面为第一连接面，靠近所述芯片封装体的另一连接面为第二连接面，所述第一连接面的宽度大于所述第二连接面的宽度。4.根据权利要求2或3所述的芯片系统，其特征在于，所述第二屏蔽结构覆盖全部所述绝缘材料的侧壁，或覆盖部分所述绝缘材料的侧壁。5.根据权利要求1至4中任一项所述的芯片系统，其特征在于，所述焊盘接地。6.根据权利要求5所述的芯片系统，其特征在于，所述封装基板位于所述焊盘上，所述第二屏蔽结构的第一端与所述焊盘电连接。7.根据权利要求6所述的芯片系统，其特征在于，所述芯片封装体采用栅格阵列LGA封装技术和所述电路板电连接，所述芯片封装体的接地引脚与所述第二屏蔽结构电连接。8.根据权利要求1
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7中任一项所述的芯片系统，其特征在于，所述至少一个芯片中的每个芯片的第一表面，通过第一材料与所述第一屏蔽结构连接；所述至少一个芯片中的每个芯片的第二表面，与所述封装基板的第一表面电连接；所述第一屏蔽结构通过第二连接部与所述封装基板的第一表面连接。9.根据权利要求8所述的芯片系统，其特征在于，所述第二连接部为金属焊料；或，所述第二连接部为导电胶；或，所述第二连接部为绝缘熔胶。10.根据权利要求1
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7中...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜白，姬忠礼，佘飞，李瑞琳，郭庆超，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：