【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种发光二极管芯片、其制法及封装方法，特别是指一 种封装体积小且制程速度快的发光二极管芯片、其制法及封装方法。
技术介绍
如图1所示，习知发光二极管芯片91通常藉由打线方式与载板92上的外 部电极93电连接。由于打线制程需要占用载板92较大的空间，而且打线过程 是用机器一条一条的连接，制程效率极低，不利于系统封装(system in package ) 或晶圆级去于装(wafer level package )。为了改善打线制程的缺点，目前常见的方式是利用覆晶(flip-chip)的方 式作电性连结，以省去打线制程。但是覆晶制程需在单颗芯片上植大量金球， 过程耗时，也影响封装效率。除了覆晶方式之外，另有一些不需打线的封装方 式，例如翻转芯片将位于芯片表面的电极直接与载板上的电极縣着而不使用金 球，如此方式则需使芯片表面的电极等高，且具有极佳的平整度，制作精度要 求较高，相对使制程难度较高。另一种方式是调整芯片结构，使芯片电极由芯 片表面延伸至芯片底面，例如日本专利公开案JP2008-130875所揭示的芯片制 造方法，如图2及图3所示，是在芯片...
【技术保护点】
一种发光二极管芯片，包含： 一基板，具有一表面及一底面； 一磊晶层单元，位于该基板的表面； 二斜面单元，各该斜面单元系由该磊晶层单元朝该基板的底面方向往下并往外倾斜，各包括位于该磊晶层单元之一倾斜侧壁，及位于该基板之一基板倾斜壁；及 二电极单元，各该电极单元包括一设于该磊晶层单元之电极，及一由该电极沿相对应的该斜面单元延伸至该基板倾斜壁的导电层； 其中，该二电极单元其中之一的导电层与对应的该倾斜侧壁之间还设有一绝缘层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高志强，
申请(专利权)人：旭丽电子广州有限公司，光宝科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：81
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。