偏振出光发光二极管制造技术

本发明专利技术公开了一种偏振出光发光二极管。它的发光二极管芯片包括由ｎ型区、ｐ型区和量子阱结构组成的工作区，衬底，绝缘介质膜，透明电极和金属电极；其特征在于：在发光二极管芯片的出光表面上制备浮雕式或嵌入式光栅，光栅的周期为５０～６００ｎｍ，占空比为０．２～０．９，厚度为５０～４００ｎｍ。与传统的ＬＥＤ外置偏光板实现偏振相比，本发明专利技术采用将光栅结构直接集成制作于ＬＥＤ芯片表面技术方案，不需要外置的偏光板等结构，实现了ＬＥＤ芯片的出光为偏振光的目的，因此，发光器件的整体体积大大缩小，性能优化，成本降低。同时，它可通过半导体光刻工艺一次性集成在发光芯片上，易实现产业化和推广应用。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种偏振出光发光二极管，它的发光二极管芯片包括由ｎ型区［２］、ｐ型区［４］和量子阱［３］结构组成的工作区，衬底［１］，绝缘介质膜［５］，透明电极［６］和金属电极［７、８］；其特征在于：在发光二极管芯片的出光表面上制备浮雕式或嵌入式光栅，光栅的周期为５０～６００ｎｍ，占空比为０．２～０．９，厚度５０～４００ｎｍ纳米。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曹冰，张桂菊，韩琴，王钦华，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]