【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于功率半导体器件领域，更具体的说，是关于一种适用于高压应用的绝缘体上硅的高压p型金属氧化物半导体管。
技术介绍
功率半导体器件是电力电子系统进行能量控制和转换的基本电子元件，电力电 子技术的不断发展为半导体功率器件开拓了广泛的应用领域，而半导体功率器件的导通 电阻和击穿电压等特性则决定了电力电子系统的效率、功耗等基本性能。以横向双扩 散金属氧化物半导体晶体管为代表的现代电力电子器件和相关产品在工业、能源、交通 等用电的场合发挥着日益重要的作用，是机电一体化设备、新能源技术、空间和海洋技 术、办公自动化及家用电器等实现高性能、高效率、轻量小型的技术基础。随着绝缘体 上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的出现，它以普通横向双扩散金属氧化物半 导体晶体管无法比拟的优点(功耗低、抗干扰能力强、集成密度高、速度快、消除闩锁效 应)而得到学术界和工业界的广泛垂青。 然而正是由于绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管被广泛用于高 压应用领域，所以对其半导体晶体管之间的隔离技术的要求也就更加的严格，既要可以 有效地进行半导体晶体管之间的隔离，又要尽量减小集...
【技术保护点】
一种用于绝缘体上硅的高压Ｐ型金属氧化物半导体管，包括：半导体衬底（１），在所述半导体衬底（１）上面设置有埋氧化层（２），在所述埋氧化层（２）上设置有左氧化层（１０）、右氧化层（１１）以及在所述左氧化层（１０）、所述右氧化层（１１）之间的多晶硅层（１２）构成的隔离深槽，在所述隔离深槽左右两边均是绝缘体上硅的高压Ｐ型金属氧化物半导体管，所述绝缘体上硅的高压Ｐ型金属氧化物半导体管构成包括：在所述埋氧化层（２）上设有Ｐ型半导体漂移区（３），在所述Ｐ型半导体漂移区（３）上设有Ｎ型阱（４）和Ｐ型漏区（７），在所述Ｎ型阱（４）表面设有Ｎ型接触区（５）和Ｐ型源区（６），在所述Ｎ型接触区（５...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：易扬波，李海松，王钦，陈文高，
申请(专利权)人：苏州博创集成电路设计有限公司，
类型：发明
国别省市：32[]
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