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一种用于绝缘体上硅的高压Ｐ型金属氧化物半导体管，包括：半导体衬底，在半导体衬底上面设置有埋氧化层，在埋氧化层上设置由左氧化层、右氧化层以及左氧化层、右氧化层之间的多晶硅层构成的隔离深槽，在隔离深槽左右两边均是普通结构的绝缘体上硅的高压Ｐ型金...
该专利属于苏州博创集成电路设计有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州博创集成电路设计有限公司授权不得商用。

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