封装固体高纯金属有机化合物的容器及其应用制造技术

本发明专利技术涉及封装固体高纯金属有机化合物的容器及其应用，包括筒体、上盖、进气管和出气管，在筒体中设置一竖立的隔板，隔板将筒体的内腔分成左腔和右腔，并在筒体的下部设置一网孔板，网孔板将左腔分成左上腔和左下腔，网孔板将右腔分成右上腔和右下腔，并在左下腔与右上腔之间设置一连接管，连接管将右上腔与左下腔相连通；进气管从上盖插入并与左上腔相连通，出气管从上盖插入并穿过右上腔与右下腔相连通；在上盖上开有两加料口，一加料口与左上腔相通，另一加料口与右上腔相通。该封装容器用于ＭＯＣＶＤ时，腔体盛装固体源，容器的有效体积可得到充分利用，载气在容器内部经过的路程延长到原来的四倍以上，气体与固体源的接触几率大为增加。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机金属化学气相沉积技术，尤其涉及为实现化学气相沉 积过程对金属有机化合物固体源的蒸气压稳定及封装的容器，属于光电子 新材料

技术介绍
高纯三甲基铟等金属有机化合物，是金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)、化学束外延(CBE)过程中生长光电子材料的重要原料，广 泛应用于生长磷化铟、铟镓砷氮(InGaAsN)、铟镓砷(InGaAs)、铟镓磷(InGaP)等化合物半导体薄膜材料。纯净的三甲基铟在室温下为固体， 当用于MOCVD时需要将该固体源封装在钢瓶内，然后控制钢瓶温度，使 其蒸气压达到一定值，再通过持续流动的载气，将在使用温度下气一固平 衡状态气相中的三甲基铟带入MOCVD或CBE生长系统。实际使用发现用普通钢瓶封装三甲基铟时，三甲基铟的利用率较低； 又由于三甲基铟在使用环境下是固体，而固体的晶粒大小不可能十分均 匀，造成装入普通瓶内的固体三甲基铟各部位的松紧不均匀，很容易引起 所谓的"沟流现象"，这将严重影响到三甲基铟蒸气压的稳定性，导致化 合物半导体薄膜材料生长过程的蒸气压不稳定，从而影响生成的化合物半 导体薄膜材料的质量。为了解决这一技术难题，科研工本文档来自技高网...

【技术保护点】
封装固体高纯金属有机化合物的容器，包括筒体（６）、上盖（５）、进气管（４）和出气管（９），所述上盖（５）盖于筒体（６）上，其特征在于：在所述筒体（６）中设置一竖立的隔板（１０），所述隔板（１０）将筒体（６）的内腔分成左腔和右腔，并在筒体（６）的下部设置一网孔板（８），所述网孔板（８）将左腔分成左上腔和左下腔，所述网孔板（８）将右腔分成右上腔和右下腔，并在所述左下腔与右上腔之间设置一连接管（７），所述连接管（７）将右上腔与左下腔相连通；另外，所述进气管（４）从上盖（５）插入并与左上腔相连通，所述出气管（９）从上盖（５）插入并穿过右上腔与右下腔相连通；在所述上盖（５）上开有两加料口，一加料口与左上...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙祥祯，陈化冰，潘毅，俞冬雷，
申请(专利权)人：江苏南大光电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]