一种新型的高压ＭＯＳ管制造技术

本实用新型专利技术提供一种新型的高压ＭＯＳ管，包括漏极区域１，Ｎ＋衬底区域２，Ｎ－漂移区域３，Ｐ－阱区域４，Ｐ＋区域５，Ｎ＋有源区域６，源极区域７，栅极区域８，其特征是在Ｎ－漂移区域３的上部设有ＪＦＥＴ区域，Ｐ－阱区域４具有浅结深，栅极区域８是短栅极。本实用新型专利技术具有和国外同类产品同样品质，但成本更低，能够控制产品质量和稳定产品成品率，并且能达到产量要求。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种高压MOS管。
技术介绍
MOSFET是一种较理想的开关器件，它具有开关速度快，功耗小，易驱动等优点，适用于高频低功耗电子产品。以前类似的产品技术被国外大公司所掌握，国内企业不能做到量产。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种新型的高压MOS管，具有和国外同类产品同样品质，但成本更低，能够控制产品质量和稳定产品成品率，并且能达到量产要求。一种新型的高压MOS管，包括漏极区域，N+衬底区域，N-漂移区域，P-阱区域，P+区域，N+有源区域，源极区域，栅极区域，^#征是在N-漂移区域的上部设有JFET区域，P-阱区域具有浅结深，栅极区域是短栅极。有益效果本技术结构特征是P阱结深比现有技术的MOSFET浅，并且有JFET结构。这种结构的优点如下a) 浅结工艺使得导通电阻减小(区域4);b) 相同外延材料规格下耐压效率高(区域9);C)相同导通电阻下可以减小管芯面积降低成本；d) 栅电荷(Qg)更小，开关速度更快(区域8);e) 由结构特点能够实现P+自对准工艺，使得参数均匀性更高;在工艺上本技术采用VDMOS技术，能够精确控制沟it长度，并容易获得理想的击穿电压。结终端技术的设计，采用场板、分压环、截止环结构，以提高反向击穿特性。附簡说明附图说明图1为本技术结构示意图。具体实施方式本技术公开了一种新型的高压MOS管，它采用了VlMyS技术，如图1所示。区域1为漏极，区域2为N+衬底，区域3为N-漂移区，区域4为P-胼，P阱结深比现有技术的MOSFET浅，区域5为P+区，区域6为N+有源区，区域7为源极，区域8为短栅极，在N-漂移区域的上部设有JFET区域。JFET结构的MOSFET产品由于其工艺复杂，生产环节控制严格，设备要求高，所以只有少数国际知名半导体公司拥有该项技术。由于该项技术加大了元胞密度，使芯片面积大大縮小，降低了产品成本。本技术产品能满足例如手机充电器等大电压小电流驱动电路的要求。权利要求1、一种新型的高压MOS管，包括漏极区域(1)，N+衬底区域(2)，N-漂移区域(3)，P-阱区域(4)，P+区域(5)，N+有源区域(6)，源极区域(7)，栅极区域8，其特征是在N-漂移区域(3)的上部设有JFET区域，P-阱区域(4)具有浅结深，栅极区域(8)是短栅极。专利摘要本技术提供一种新型的高压MOS管，包括漏极区域1，N+衬底区域2，N-漂移区域3，P-阱区域4，P+区域5，N+有源区域6，源极区域7，栅极区域8，其特征是在N-漂移区域3的上部设有JFET区域，P-阱区域4具有浅结深，栅极区域8是短栅极。本技术具有和国外同类产品同样品质，但成本更低，能够控制产品质量和稳定产品成品率，并且能达到产量要求。文档编号H01L29/78GK201430141SQ20092003385公开日2010年3月24日 申请日期2009年7月10日 优先权日2009年7月10日专利技术者徐向军, 巍 朱, 义 罗, 罗季义, 江 谢 申请人:西安芯派电子科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型的高压ＭＯＳ管，包括漏极区域（１），Ｎ＋衬底区域（２），Ｎ－漂移区域（３），Ｐ－阱区域（４），Ｐ＋区域（５），Ｎ＋有源区域（６），源极区域（７），栅极区域８，其特征是在Ｎ－漂移区域（３）的上部设有ＪＦＥＴ区域，Ｐ－阱区域（４）具有浅结深，栅极区域（８）是短栅极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：罗义，罗季义，谢江，徐向军，朱巍，
申请(专利权)人：西安芯派电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：87[中国|西安]