【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种太阳能电池的制备方法，具体说是一种太阳能电池硅片边 缘及背面扩散层的刻蚀方法。
技术介绍
硅太阳能电池制作过程中，太阳能电池硅片经扩散工艺后，表面形成扩散 层。太阳能电池硅片边缘及一面扩散层需要通过一定工艺刻蚀掉，只保留硅片 另外一面扩散层。随着太阳能电池边沿刻蚀以及背面全刻蚀技术的发展，背面 漏电问题解决较好，但是同时存在很多相应的问题，比如刻蚀不够或者刻蚀过 多等难以掌控和难以监测的问题，从而导致电池漏电较大，电池性能急剧下降的问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题，就在于克服现有技术存在的缺陷，提供一种 太阳能电池硅片边缘及背面扩散层的刻蚀方法，该方法采用正面掩膜后再整体 腐蚀，最后去除掩膜的方式，对设备要求不高，容易掌控，效果明显，而且能 有效减小硅片周围缺陷以及裂紋从而降低后续工艺碎片率，同时可以制成两面 不同表面形貌的硅片。本专利技术方法的工艺思路是沉积阻挡层、腐蚀、去除阻挡层。本专利技术一种 太阳能电池硅片边缘及背面扩散层的刻蚀方法，其工艺步骤如下1、将已经扩散完毕的太阳能电池硅片一面(保留扩散层的那一面，称为正面)沉积...
【技术保护点】
一种太阳能电池硅片边缘及背面扩散层的刻蚀方法，其工艺步骤如下： ａ、将已经扩散完毕的太阳能电池硅片一面沉积阻挡层掩膜； ｂ、然后将太阳能电池硅片放入腐蚀液中，将太阳能电池硅片未沉积阻挡层掩膜的一面和侧面扩散层腐蚀掉，然后取出用去 离子水冲洗； ｃ、把太阳能电池硅片置于化学溶液中去除阻挡层掩膜，然后取出用去离子水冲洗。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：姚文杰，王建波，解柔强，黄海冰，
申请(专利权)人：中电电气南京光伏有限公司，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]
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