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本发明公开了一种太阳能电池硅片边缘及背面扩散层的刻蚀方法，其工艺步骤是：将已经扩散完毕的太阳能电池硅片一面沉积阻挡层掩膜；然后将太阳能电池硅片放入腐蚀液中，将太阳能电池硅片未沉积阻挡层掩膜的一面和侧面扩散层腐蚀掉，然后取出用去离子水冲洗；把...
该专利属于中电电气(南京)光伏有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中电电气(南京)光伏有限公司授权不得商用。

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