一种铝碳化硅镶嵌式基板制造技术

技术编号:37916716 阅读:11 留言:0更新日期:2023-06-21 22:39
本实用新型专利技术公开了一种铝碳化硅镶嵌式基板,涉及种铝碳化硅基板技术领域,其包括:铝碳化硅基板,所述铝碳化硅基板的上方设置有氧化铝陶瓷,所述氧化铝陶瓷的上方设置有铝层,所述铝层的上方设置有铜层,所述铜层的上表面设置有散热槽,所述铝碳化硅基板的下表面固定连接有嵌入块,所述铝碳化硅基板下表面的中部设置有容纳槽,所述容纳槽的内部设置有加强片。通过设置的嵌入块,可以提高嵌入的牢固度,而且整体式的嵌入块,可以承受更大的压力,使用时不容易损坏;设置的加强片,可以提高整体的强度,提高整体的使用寿命;设置的散热槽,可以增大与空气的接触面积,散热的效果良好。散热的效果良好。散热的效果良好。

【技术实现步骤摘要】
一种铝碳化硅镶嵌式基板


[0001]本技术涉及种铝碳化硅基板
,特别涉及一种铝碳化硅镶嵌式基板。

技术介绍

[0002]铝碳化硅基板是使用电子元器件常用的基板,如申请号为:“201720363436.6”的中国专利,其名称为:“一种铝碳化硅镶嵌式基板”,所述基板从下至上依次包括铝碳化硅基板和覆铜层,所述铝碳化硅基板的上端面为平面,所述上端面浸渗有氧化铝/氮化铝陶瓷,所述氧化铝/氮化铝陶瓷上设置有铝层,所述铝层的厚度为10~20微米,所述覆铜层的厚度为10~1000微米。该技术铝碳化硅镶嵌式基板,在碳化硅陶瓷上先镶嵌氮化铝,然后通过铸造工艺使碳化硅和氮化铝形成镶嵌式基板,然后通过加工处理使氮化铝基板表面达到一定平整度,通过表面处理在铝碳化硅基板上覆铜,厚度10~1000微米,通过铸造一次成型制备碳化硅和氮化铝镶嵌式基板,结合强度高,表面易加工,解决铝碳化硅可焊性差的问题,减少焊接工序,降低生产成本。
[0003]但是,其嵌入方式不够稳定,整体的强度不够理想,使用起来不够耐用。

技术实现思路

[0004]为了克服现有技术的不足,本技术的目的之一在于提供一种铝碳化硅镶嵌式基板,通过设置的嵌入块,可以提高嵌入的牢固度,而且整体式的嵌入块,可以承受更大的压力,使用时不容易损坏;设置的加强片,可以提高整体的强度,提高整体的使用寿命;设置的散热槽,可以增大与空气的接触面积,散热的效果良好。
[0005]本技术的目的之一采用如下技术方案实现:一种铝碳化硅镶嵌式基板,包括铝碳化硅基板,所述铝碳化硅基板的上方设置有氧化铝陶瓷,所述氧化铝陶瓷的上方设置有铝层,所述铝层的上方设置有铜层,所述铜层的上表面设置有散热槽,所述铝碳化硅基板的下表面固定连接有嵌入块,所述铝碳化硅基板下表面的中部设置有容纳槽,所述容纳槽的内部设置有加强片。通过设置的嵌入块,可以提高嵌入的牢固度,而且整体式的嵌入块,可以承受更大的压力,使用时不容易损坏;设置的加强片,可以提高整体的强度,提高整体的使用寿命;设置的散热槽,可以增大与空气的接触面积,散热的效果良好。
[0006]根据所述的一种铝碳化硅镶嵌式基板,所述嵌入块的形状为三角形。可以提高嵌入的牢固度,而且整体式的嵌入块,可以承受更大的压力,使用时不容易损坏。
[0007]根据所述的一种铝碳化硅镶嵌式基板,所述嵌入块的数量有四个,且为轴对称设置。提高嵌入的牢固程度。
[0008]提供所述的一种铝碳化硅镶嵌式基板,所述加强片的形状为十字形。
[0009]根据所述的一种铝碳化硅镶嵌式基板,所述散热槽剖面的形状为圆弧形。
[0010]根据所述的一种铝碳化硅镶嵌式基板,所述散热槽的数量有两个,且为对称设置。可以增大与空气的接触面积,散热的效果良好。
[0011]根据所述的一种铝碳化硅镶嵌式基板,所述散热槽的长度与铜层的长度相同。
[0012]根据所述的一种铝碳化硅镶嵌式基板,所述加强片的厚度为0.2


[0013]本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0014]下面结合附图和实施例对本技术进一步地说明;
[0015]图1为本技术一种铝碳化硅镶嵌式基板的结构示意图;
[0016]图2为本技术一种铝碳化硅镶嵌式基板的另一视角的结构示意图;
[0017]图3为本技术一种铝碳化硅镶嵌式基板的下视图;
[0018]图4为本技术一种铝碳化硅镶嵌式基板的上视图。
[0019]图例说明:
[0020]101、铝碳化硅基板;102、氧化铝陶瓷;103、铝层;104、铜层;1041、散热槽;201、嵌入块;202、加强片;203、容纳槽。
具体实施方式
[0021]本部分将详细描述本技术的具体实施例,本技术之较佳实施例在附图中示出,附图的作用在于用图形补充说明书文字部分的描述,使人能够直观地、形象地理解本技术的每个技术特征和整体技术方案,但其不能理解为对本技术保护范围的限制。
[0022]参照图1

4,本技术实施例一种铝碳化硅镶嵌式基板,其包括铝碳化硅基板101,铝碳化硅基板101的上方设置有氧化铝陶瓷102,氧化铝陶瓷102的上方设置有铝层103,铝层103的上方设置有铜层104,铜层104的上表面设置有散热槽1041,散热槽1041剖面的形状为圆弧形,散热槽1041的数量有两个,且为对称设置,可以增大与空气的接触面积,散热的效果良好,散热槽1041的长度与铜层104的长度相同,铝碳化硅基板101的下表面固定连接有嵌入块201,嵌入块201的形状为三角形,可以提高嵌入的牢固度,而且整体式的嵌入块201,可以承受更大的压力,使用时不容易损坏,嵌入块201的数量有四个,且为轴对称设置,提高嵌入的牢固程度,铝碳化硅基板101下表面的中部设置有容纳槽203,容纳槽203的内部设置有加强片202,加强片202的厚度为0.2

,加强片202的形状为十字形。通过设置的嵌入块201,可以提高嵌入的牢固度,而且整体式的嵌入块201,可以承受更大的压力,使用时不容易损坏;设置的加强片202,可以提高整体的强度,提高整体的使用寿命;设置的散热槽1041,可以增大与空气的接触面积,散热的效果良好。
[0023]工作原理:通过设置的嵌入块201,可以提高嵌入的牢固度,而且整体式的嵌入块201,可以承受更大的压力,使用时不容易损坏;设置的加强片202,可以提高整体的强度,提高整体的使用寿命;设置的散热槽1041,可以增大与空气的接触面积,散热的效果良好。
[0024]上面结合附图对本技术实施例作了详细说明,但是本技术不限于上述实施例,在所属
普通技术人员所具备的知识范围内,还可以在不脱离本技术宗旨的前提下做出各种变化。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铝碳化硅镶嵌式基板,包括铝碳化硅基板(101),所述铝碳化硅基板(101)的上方设置有氧化铝陶瓷(102),所述氧化铝陶瓷(102)的上方设置有铝层(103),所述铝层(103)的上方设置有铜层(104),其特征在于,所述铜层(104)的上表面设置有散热槽(1041),所述铝碳化硅基板(101)的下表面固定连接有嵌入块(201),所述铝碳化硅基板(101)下表面的中部设置有容纳槽(203),所述容纳槽(203)的内部设置有加强片(202)。2.根据权利要求1所述的一种铝碳化硅镶嵌式基板,其特征在于,所述嵌入块(201)的形状为三角形。3.根据权利要求2所述的一种铝碳化硅镶嵌式基板,其特征在于,所...

【专利技术属性】
技术研发人员:周友军陶天宇刘莹吴道勋黄尔书江树昌林逢佺
申请(专利权)人:中民福建电子制造有限公司
类型:新型
国别省市:

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