一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板，涉及IGBT基板技术领域，其包括：基板本体，所述基板本体的上部设置有铝合金层，所述铝合金层的上表面固定连接有散热底部，所述散热底部的上部固定连接有散热尖部，所述散热底部的内部设置有吸热液体，所述基板本体的两侧面设置有半导体制冷片，所述半导体制冷片的侧面设置有散热槽。通过设置的散热底部、散热尖部、吸热液体，可以提高铝合金层的散热效果，并且吸热液体可以从液体和气态相互转换，吸收更多的热量；设置的散热槽，可以提高空气与半导体制冷片之间的接触面积，进一步提高整体的散热效果。整体的散热效果。整体的散热效果。

【技术实现步骤摘要】
一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板


[0001]本技术涉及IGBT基板
，特别涉及一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板。

技术介绍

[0002]IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由一种由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，作为一种常见的电子器件已经广泛应用在各种电子设备上。
[0003]IGBT基板材料为铜以及铝碳化硅复合材料制成，如申请号为：“201721670812.2”的中国专利，其名称为：“一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板”，包括焊接面和散热面，所述焊接面为平面结构，所述散热面为拱形结构，所述焊接面和散热面均为铝合金层，所述焊接面和散热面之间包括AlSiC层，所述焊接面、AlSiC层和散热面为一体结构；所述IGBT基板的两侧还包括半导体制冷片，所述半导体制冷片的制冷端与所述IGBT基板的两侧贴合。该技术所述IGBT基板具有较高的热导率和与IGBT封装材料相匹配的热膨胀系数，散热速度快。
[0004]上述的IGBT基板依靠铝合金层和半导体制冷片，提高整体的散热效果，但是，铝合金层和半导体制冷片仅依靠表面积进行散热，散热的效率有待提高，使用起来散热效果不够理想。

技术实现思路

[0005]为了克服现有技术的不足，本技术的目的之一在于提供一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板，通过设置的散热底部、散热尖部、吸热液体，可以提高铝合金层的散热效果，并且吸热液体可以从液体和气态相互转换，吸收更多的热量；设置的散热槽，可以提高空气与半导体制冷片之间的接触面积，进一步提高整体的散热效果。
[0006]本技术的目的之一采用如下技术方案实现：一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板，包括基板本体，所述基板本体的上部设置有铝合金层，所述铝合金层的上表面固定连接有散热底部，所述散热底部的上部固定连接有散热尖部，所述散热底部的内部设置有吸热液体，所述基板本体的两侧面设置有半导体制冷片，所述半导体制冷片的侧面设置有散热槽。通过设置的散热底部、散热尖部、吸热液体，可以提高铝合金层的散热效果，并且吸热液体可以从液体和气态相互转换，吸收更多的热量；设置的散热槽，可以提高空气与半导体制冷片之间的接触面积，进一步提高整体的散热效果。
[0007]根据所述的一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板，所述散热尖部和散热底部相连通。保证吸热液体可以进入散热尖部。
[0008]根据所述的一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板，所述吸热液体为散热底部容积的1/3。为吸热液体变成气态提供容纳空间。
[0009]提供所述的一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板，所述散热尖部剖面的形状为
梯形。
[0010]根据所述的一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板，所述散热尖部和散热底部的数量有六个，且为对称设置。
[0011]根据所述的一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板，所述散热槽的长度与半导体制冷片的长度相同。增大散热的面积。
[0012]根据所述的一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板，所述散热槽剖面的形状为圆弧形。
[0013]根据所述的一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板，所述铝合金层的上表面为圆弧状。
[0014]本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0015]下面结合附图和实施例对本技术进一步地说明；
[0016]图1为本技术一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板的结构示意图；
[0017]图2为本技术一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板的正视图；
[0018]图3为本技术一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板的散热底部的内部结构示意图；
[0019]图4为本技术一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板的俯视图。
[0020]图例说明：
[0021]1、基板本体；101、铝合金层；2、半导体制冷片；201、散热槽；301、散热尖部；302、散热底部；3021、吸热液体。
具体实施方式
[0022]本部分将详细描述本技术的具体实施例，本技术之较佳实施例在附图中示出，附图的作用在于用图形补充说明书文字部分的描述，使人能够直观地、形象地理解本技术的每个技术特征和整体技术方案，但其不能理解为对本技术保护范围的限制。
[0023]参照图1
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4，本技术实施例一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板，其包括基板本体1，基板本体1的上部设置有铝合金层101，铝合金层101的上表面为圆弧状，铝合金层101的上表面固定连接有散热底部302，散热底部302的上部固定连接有散热尖部301，散热尖部301剖面的形状为梯形，散热尖部301和散热底部302的数量有六个，且为对称设置，散热尖部301和散热底部302相连通，保证吸热液体3021可以进入散热尖部301，散热底部302的内部设置有吸热液体3021，吸热液体3021为散热底部302容积的1/3，为吸热液体变成气态提供容纳空间，基板本体1的两侧面设置有半导体制冷片2，半导体制冷片2的侧面设置有散热槽201，散热槽201的长度与半导体制冷片2的长度相同，增大散热的面积，散热槽201剖面的形状为圆弧形，使用时，一部分热量从铝合金层101的表面散发到空气中，一部分热量被吸热液体3021吸收，吸热液体3021从液态转化为气态，并充斥在散热尖部301的内部，由于散热尖部301远离铝合金层101，因此，散热尖部301的温度较低，气态与低温再次液化成
液体流入散热底部302内，提高了铝合金层101的散热效率，散热效果良好，设置的散热槽201，增大了半导体制冷片2与空气的接触面积，进一步提高半导体制冷片2的散热效果。通过设置的散热底部302、散热尖部301、吸热液体3021，可以提高铝合金层101的散热效果，并且吸热液体3021可以从液体和气态相互转换，吸收更多的热量；设置的散热槽201，可以提高空气与半导体制冷片2之间的接触面积，进一步提高整体的散热效果。
[0024]工作原理：使用时，一部分热量从铝合金层101的表面散发到空气中，一部分热量被吸热液体3021吸收，吸热液体3021从液态转化为气态，并充斥在散热尖部301的内部，由于散热尖部301远离铝合金层101，因此，散热尖部301的温度较低，气态与低温再次液化成液体流入散热底部302内，提高了铝合金层101的散热效率，散热效果良好，设置的散热槽201，增大了半导体制冷片2与空气的接触面积，进一步提高半导体制冷片2的散热效果。
[0025]上面结合附图对本技术实施例作了详细说明，但是本技术不限于上述实施例，在所属
普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本技术宗旨的前提下做出各种变本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板，包括基板本体(1)，其特征在于，所述基板本体(1)的上部设置有铝合金层(101)，所述铝合金层(101)的上表面固定连接有散热底部(302)，所述散热底部(302)的上部固定连接有散热尖部(301)，所述散热底部(302)的内部设置有吸热液体(3021)，所述基板本体(1)的两侧面设置有半导体制冷片(2)，所述半导体制冷片(2)的侧面设置有散热槽(201)。2.根据权利要求1所述的一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板，其特征在于，所述散热尖部(301)和散热底部(302)相连通。3.根据权利要求2所述的一种铝碳化硅复合材料制备的IGBT基板，其特征在于，所述吸热液体(3021)为散热底部(302)容...

【专利技术属性】
技术研发人员：周友军，陶天宇，刘莹，吴道勋，黄尔书，江树昌，林逢佺，
申请(专利权)人：中民福建电子制造有限公司，
类型：新型
国别省市：